Ⅰ. Wat sinn d'Applikatiounsszenarie vu Siliziumkarbid-Keramikprodukter?

Siliziumkarbid (SiC) Keramik gëtt wäit verbreet an de Kärkomponente vu Schlësselprozessausrüstung an der Hallefleiter- a Photovoltaikindustrie benotzt wéinst hirer exzellenter Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, héijer Wärmeleitfäegkeet a niddreger Wärmeausdehnungskoeffizient. Folgend sinn spezifesch Uwendungsszenarie vun typesche Produkter:

Siliziumkarbidboot

Funktioun:

SiC-Booter ginn normalerweis benotzt fir Waferen (wéi Siliziumwaferen oder Siliziumcarbidwaferen) fir d'Iwwerdroung an d'Positionéierung an Héichtemperaturprozesser ze transportéieren.

Auslandsszenarios:

Beräich vun der Hallefleiterveraarbechtung: An Diffusiounsuewen an Oxidatiounsuewen muss de Boot laangfristeg stabil an enger Héichtemperaturëmfeld iwwer 1000 °C funktionéieren, fir Deformatiounen oder Kontaminatioun vum Wafer duerch thermesch Belaaschtung ze vermeiden.

Photovoltaikindustrie: An PECVD-Ausrüstung (Plasma-enhanced chemical vapor deposition) gëtt de Boot benotzt fir Siliziumwaferen z'ënnerstëtzen, fir Siliziumnitrid-Antireflexfilm ofzesetzen, a muss héichfrequenten Plasmabombardementer an héijen Temperaturen aushalen.

Siliziumkarbid-Uewenröhr (SiC-Reaktiounsröhr)

Funktioun: Als Kärkomponent vun der Héichtemperaturreaktiounskammer bitt et e uniformt Temperaturfeld an eng chemesch inert Ëmwelt.

Auslandsszenarios:

Hallefleiterindustrie: Am Oxidatiounsuewen muss d'Uewenrouer laang Zäit an enger Sauerstoff- oder Waasserdampumgebung stabil bleiwen, fir d'Verëffentlechung vun Ongereimtheeten duerch Oxidatioun oder Korrosioun ze vermeiden.

Photovoltaikindustrie: Am Diffusiounsuewen gëtt d'Uewenrouer fir de Phosphordiffusiounsprozess benotzt (wéi d'Virbereedung vu PERC-Zellen), an et ass néideg fir d'Säurgaskorrosioun an der POCl₃-Atmosphär ze widderstoen.

Cantilever Paddel a Bootshalter

Funktioun: De Cantilever-Paddel gëtt benotzt fir de Kristallboot automatesch ze transferéieren, an den Bootshalter gëtt benotzt fir d'Positioun vum Kristallboot ze fixéieren.

Auslandsszenarios:

Am Halbleiter-Wafer-Prozess muss de Cantilever-Paddel eng héich mechanesch Stäerkt beim schnelle Hiewen an Senken behalen, fir Broch duerch thermesch Middegkeet ze vermeiden; den Bootshalter muss d'geometresch Genauegkeet bei héijer Temperatur behalen, fir Ofwäichung vun der Wafer ze vermeiden.

Ⅱ. Wat sinn d'Uwendungsrichtungen vu Siliziumkarbidmaterialien an der Photovoltaik- an Hallefleederindustrie?

Déi zentral Uwendungen vu Siliziumkarbid-Keramikprodukter konzentréiere sech op d'Prozessglieder vun zwou Zorte vun Ausrüstung:

Performance Indikatoren	Grafitmaterial	Siliziumkarbidmaterial
Héich Temperatur Stabilitéit	Liicht ze oxidéieren (>500°C erfuerdert Beschichtungsschutz)	Antioxidatioun (kann eng oxidéierend Atmosphär vun 1600 °C laang aushalen)
Chemescher Inertitéit	Liicht duerch sauer Gaser (wéi Cl₂, POCl₃) korrodéiert ze ginn	Säure- a Alkalikorrosiounsbestännegkeet (inklusiv staark korrosiv Medien wéi HF, HNO₃)
Risiko vun der Partikelkontaminatioun	Einfach Staubverschmotzung ze generéieren, wat zu Waferdefekter féiert	Dicht Uewerfläch, kee Risiko vu Partikelverloscht
Mechanesch Stäerkt	Liicht ze deforméieren bei héijer Temperatur (héijen thermeschen Ausdehnungskoeffizient)	Héich Häert (Mohs-Häert 9.2), staark Wärmeschockbeständegkeet
Wuelhaft Leitung	Anisotropie, héije Risiko vun lokaler Iwwerhëtzung	Héich thermesch Konduktivitéit (120 W/m`K), eenheetlecht Temperaturfeld

Photovoltaik Industrie

PECVD-Uewen: gëtt benotzt fir Antireflexiounsfilmer (wéi Siliziumnitrid) ofzesetzen. Siliziumkarbiddeeler mussen dem Ionenbombardement widderstoen, deen duerch Glühungsentladung an enger Plasmaëmfeld vu 400~500°C verursaacht gëtt, wärend d'Filmerkontaminatioun vermeit gëtt.

Diffusiounsuewen: gëtt fir Phosphor/Bor-Diffusioun benotzt fir PN-Verbindungen ze bilden. Siliziumkarbid-Uewenréier mussen der Korrosioun duerch POCl₃ oder BBr₃-Gaser bei 800~1000°C standhalen an eng Dotieruniformitéit garantéieren.

Semiconductor Industrie

Diffusiounsuewen an Oxidatiounsuewen:

Diffusiounsuewen: gëtt fir den Glühprozess no Ionenimplantatioun benotzt. Siliziumkarbid-Kristallschëffer mussen d'Verëffentlechung vu Metallongereien (wéi Fe, Ni) vermeiden, soss féiert dat zu engem erhéichte Wafer-Leckstroum.

Oxidatiounsuewen: Siliziumdioxidschichten an dréchenen oder naassen Sauerstoffëmfeld wuessen. Siliziumkarbiduewenréier mussen eng niddreg Sauerstoffpermeabilitéit bei enger héijer Temperatur vun 1200°C behalen, fir eng ongläichméisseg Oxidschichtdicke ze vermeiden.

Ⅲ. Wat sinn d'Virdeeler vu Siliziumkarbidmaterialien am Verglach mat Graphit?

Obwuel Graphitmaterialien d'Virdeeler vun niddrege Käschten an einfacher Veraarbechtung hunn, si se wäit mannerwäerteg wéi Siliziumcarbid a punkto folgende Schlësseleegeschaften:

Analyse vun de spezifesche Fäll:

No den aktuellen Produktiounsstatistike vu Veteksemicon muss am Hallefleederdiffusiounsuewen de Graphitboot all 3 Méint ersat ginn, während de Siliziumcarbidboot méi wéi 2 Joer hale kann, an d'Waferausbezuelung ëm 5%~10% eropgeet.

No de Produktiounsdaten, déi vu Semixlab geliwwert goufen, kann de Siliziumcarbid-Cantilever-Paddle am photovoltaesche PECVD-Prozess d'Batterieeffizienz ëm 2%~5% erhéijen, well keng Partikelverschmotzung do ass.

Ⅳ. firwat Semixlab wielen?

Semixlab ass e féierende Produzent a Fournisseur a China, deen sech zënter 20 Joer op d'Fuerschung vu Graphit- a SiC-Uewerflächenbeschichtunge konzentréiert. No Jore vun technescher Fuerschung an Entwécklung kann eise SiC-Beschichtungsprozess eng Rengheet vu méi wéi 99.98% erreechen, a mir kënnen och Siliziumcarbidprodukter mat ënnerschiddlecher Rengheet a Präisser no Äre Applikatiounsszenarien personaliséieren. Wann Dir e Produkt mat méi héijer Rengheet braucht, wéi zum Beispill direkten Kontakt mat Hallefleiterwaferprodukter, kënne mir CVD SiC-Beschichtungen, CVD TaC-Beschichtungen an aner Prozesser op der Uewerfläch vum Substratmaterial ubidden, fir Är verschidde streng technesch Ufuerderungen ze erfëllen.