CVD SiC beschichtete Grafit RTP-Schacht
Bei Semixlab fänke mir mat SGL6510 isostateschem Graphit un a gi him eng héichreine CVD SiC Beschichtung. De Graphit bitt eng zolidd, stabil Basis, während d'SiC Schicht eng haart, propper Uewerfläch bäidréit, déi iwwer Méint vun der Produktioun laang hält.
Beschreiwung
RTP-Systemer drécken d'Wafer-Support-Schachte wierklech duerch d'Wrenger. All Zyklus gëtt d'Schacht séier erhëtzt an dann genee sou séier ofgekillt - an dat geschitt Dausende vu Mol iwwer seng Liewensdauer. Wann d'Material oder de Fabrikatiounsprozess net suergfälteg kontrolléiert gëtt, kann dee widderhollten Thermoschock d'Schacht lues a lues verformen oder seng Form verléieren.
Eis Approche geet net nëmmen doriwwer, héich Temperaturen ze iwwerliewen – et geet drëms, sécherzestellen, datt d'Waferen Zyklus fir Zyklus fest ënnerstëtzt a gläichméisseg erhëtzt bleiwen.
Firwat SGL6510 Grafit?
Firwat wielen mir also SGL6510? Well de Substrat d'Grondlag vum ganze Plateau ass. SGL6510 ass e isostatesche Grafit mat enger bemierkenswäert eenheetlecher Struktur, héijer thermescher Konduktivitéit a gerénger thermescher Expansioun - all dat hëlleft d'intern Belaaschtung ze reduzéieren an den Plateau mat der Zäit dimensional stabil ze halen. Dat ass besonnesch wichteg fir dënn Plateauen, déi vill Temperaturzyklen duerchmaachen.
Nodeems mir de Graphit an déi gewënscht Form veraarbecht hunn, applizéiere mir eng dicht CVD SiC Beschichtung. Dës Beschichtung schützt d'Uewerfläch virun Oxidatioun, Korrosioun a Verschleiung, an hält d'Partikelbildung op e Minimum.
Flaachheet ass méi wichteg wéi d'Temperatur
Tatsächlech huelen déi meescht Leit un, datt déi grouss Erausfuerderung ass, ob den Tableau 700°C aushale kann. Mee dat ass net wierklech de Problem – de richtege Kappwéi ass d'Deformatioun. En dënnen Graphittableau ka sech beim Bearbechten, beim Beschichtungen oder einfach duerch widderholl Erhëtzen a Killen verformen. Och eng kleng Ännerung vun der Form kann beaflossen, wéi gutt de Wafer sëtzt a wéi gläichméisseg d'Hëtzt sech verdeelt.
Dofir ass d'Kontroll vun der Flaachheet eng vun eisen Top-Prioritéiten während der ganzer Produktioun. Mir benotzen héichwäertege SGL6510-Graphit mat enger eenheetlecher interner Struktur, mir halen d'Bearbechtungstoleranzen enk virun der Beschichtung, mir benotzen e Stressarm-CVD-SiC-Prozess a mir kontrolléieren d'Flaachheet no all gréisserer Produktiounsphase. D'Resultat: Déi meescht vun eisen Trenntabletten erreechen eng Flaachheet ≤0.50 mm, a vill kommen nach méi flaach eraus.
Material Leeschtung
D'CVD SiC-Beschichtung ass net nëmmen eng dënn Schuel – si bilt eng dicht, haart Barrière, déi d'Liewensdauer vum Graphit drënner wierklech verlängert. Am praktesche Gebrauch bedeit dat manner Partikelen, exzellenter Widderstandsfäegkeet géint Oxidatioun a Korrosioun, a gudder Wärmeschockbeständegkeet. Dës Schachte si gebaut fir a Hallefleeder-Cleanrooms laang ze halen.
Eis Standardschichtdicke ass 100 ± 20 μm, awer mir kënnen dat upassen, wann Är Uwendung eppes anescht erfuerdert.
Firwat Semixlab wielen?
D'Hierstellung vun engem zouverléissege RTP-Tablett ass méi wéi nëmmen d'Beschichtung vu Graphit mat SiC. Wann den Tablett dënn ass, zielt all Detail - Bearbeitungspräzisioun, Beschichtungsspannung, endgülteg Flaachheet. Mir schaffen zënter Jore mat Präzisiounsgraphit a CVD SiC-Beschichtungen, dofir verstinn mir, wéi mir dës Faktoren ausbalancéiere kënnen. D'Ennresultat ass en Tablett, deen seng Geometrie behält, propper bleift a laang Liewensdauer an der Produktioun garantéiert.
Spezifikatioune
● Produkt: CVD SiC beschichtete Grafit RTP-Schacht
● Basismaterial: SGL6510 Isostatesche Grafit
● Uewerflächenbeschichtung: CVD Siliziumcarbid (SiC)
● Beschichtungsdicke: 100 ± 20 μm (personaliséierbar)
● Maximal kontinuéierlech Betribstemperatur: bis zu 1400°C
● Typesch Prozesstemperatur: ongeféier 700°C
● Flaachheet: ≤0.20 mm (ofhängeg vum Design)
● Benotzerdefinéiert Design: verfügbar
| Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiC Beschichtung | |
| Property | Typesche Wäert |
| Kristall Struktur | FCC β Phase polykristallin, haaptsächlech (111) orientéiert |
| Dicht | 3.21 g / cm³ |
| Hardness | 2500 Vickers Hardness (500g Laascht) |
| Kärengréisst | 2 ~ 10μm |
| Chemesch Reinheet | 100.00% |
| Hëtzt Kapazitéit | 640 J·kg-1K-1 |
| Sublimatioun Temperatur | 2700 ℃ |
| Flexural Kraaft | 415 MPa RT 4-Punkt |
| Young säi Modul | 430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃ |
| Thermescher Conduktivitéit | 300W·m-1K-1 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Applicatioun
Dir fannt dës Schachte a verschiddene Hallefleiterprozesser – RTP, RTA, allgemeng Héichtemperatur-Waferënnerstëtzung a Reinraumfabrikatioun. Hir Haaptaufgab ass einfach: de Wafer sécher halen an d'Hëtzt während dem ganzen thermesche Zyklus konsequent iwwerdroen.
FAQ
1. Firwat ass Flaachheet sou wichteg?
Well d'Schacht de Wafer direkt beim schnelle Erhëtzen an Ofkille ënnerstëtzt. Wann e sech och nëmmen e bëssen verformt, läit de Wafer eventuell net gläichméisseg, wat d'Hëtztverdeelung an d'Prozessreproduzabilitéit beeinträchtigen kann.
2. Kann den Tableau kontinuéierlech bei 700°C lafen?
Jo – 700°C ass gutt an senger Komfortzon. Den Tablett ass fir eng kontinuéierlech Benotzung bis zu ongeféier 1400°C geduecht, dofir sinn 700°C kee Problem.
3. Wéi eng Beschichtungsdicke bitt Dir un?
Eise Standard ass 100 ± 20 μm, awer mir kënnen en upassen, wann Är Uwendung eng aner Déckt brauch.
4. Maacht Dir personaliséiert RTP-Schachten?
Absolut. Mir kënnen op Basis vun Ären Zeechnunge schaffen, fir Tableaue mat spezifeschen Dimensiounen, Beschichtungsdicke, Ufuerderunge fir d'Flaachheet an all aner Spezifikatiounen ze produzéieren, déi Dir braucht.
eis Services

Semixlab Produktshop


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ






