CVD SiC Beschichtung wafer susceptor

Semixlab konzentréiert sech op d'Entwécklung a Produktioun vu Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtungen mat héijer Rengheet a setzt sech dofir an, héich performant Léisunge fir d'Hallefleederindustrie ze bidden. Duerch fortgeschratt chemesch Vapor Deposition (CVD) Technologie bidden mir personaliséiert Beschichtungsservicer fir Wafer-Susceptoren, fir hir iwwerleeën Leeschtung an extremen Prozessëmfeld ze garantéieren.

Mir bilden eng héichrein β-SiC Beschichtung (Kristallorientéierung (111)) op der Uewerfläch vun engem héichreine Graphitsubstrat duerch CVD-Technologie, déi gläichzäiteg eng ultra-héich Temperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet a gläichméisseg Hëtztverdeelung huet. Produkter gëeegent fir Aixtron, Veeco an aner Mainstream-Epitaxialwachstumsausrüstung, wäit verbreet a GaN/GaAs an aner epitaktesch Wuesstumsausrüstung.

De Substrat vun der CVD SiC Beschichtungswafer besteet aus héichreinegem SGL-Graphit, an eng dicht Siliziumcarbidbeschichtung gëtt gläichméisseg op senger Uewerfläch duerch chemesch Dampfoflagerung (CVD) ugebaut. Dëse Prozess gëtt an enger Héichtemperaturreaktiounskammer duerchgefouert a garantéiert d'kristallin Integritéit vun der Beschichtung op Nanoskala, andeems de Verhältnes vun der Siliziumquell (z. B. Methyltrichlorsilan) zum Kuelestoffquellgas, dem Temperaturgradient (typesch tëscht 1000 °C an 1400 ℃) an der Oflagerungsquote präzis kontrolléiert gëtt. D'Déckt vun der Beschichtung kann no den Ufuerderunge vun der Uwendung personaliséiert ginn, vun e puer Mikrometer bis Zénger Mikrometer, fir d'Ufuerderunge fir mechanesch Stäerkt bei extremen Temperaturen ze erfëllen, wärend de Risiko vu Spannungsrëss wéinst exzessiver Déckt vermeit gëtt.

Beim epitaktischen LED-Wuesstum muss de Wafer-Schacht direkt héijen Temperaturen iwwer 1600 ℃ an e schnelle Wärmezyklus standhalen. Mat sengem inherenten héije Schmelzpunkt (ongeféier 2700 ℃), sengem niddrege Wärmeausdehnungskoeffizient (4.5 × 10^-6/K) an exzellenter Wärmeleitfäegkeet (~120 W/m·K), kann d'CVD SiC Beschichtung d'geometresch Stabilitéit ënner staarken Temperaturschwankungen behalen an d'Verzerrung vu Waferen oder Mikrorëss, déi duerch Wärmestress verursaacht ginn, vermeiden. Zousätzlech mécht déi chemesch Inertitéit vum SiC et zu enger staarker Korrosiounsbeständegkeet a korrosive Gasen (wéi HCl, H₂₂) Ëmwelt, wouduerch d'Verschmotzung vun Ongereinheeten, déi duerch Verflüchtegung oder Niewereaktiounen während dem Prozess entstinn, däitlech reduzéiert gëtt, wouduerch d'Uniformitéit vun der epitaktischer Schicht op der Waferuewerfläch an den Ausbezuelungsgrad vum Apparat verbessert ginn.

Dëst Produkt gëtt wäit verbreet an der Hallefleederproduktioun vun der drëtter Generatioun an der Produktioun vun Héichleistungs-LED-Chips benotzt. Zum Beispill erreecht de CVD SiC-Schacht am metallorganesche chemesche Vapor Deposition (MOCVD) Prozess fir GaN-op-SiC HF-Bauelementer eng Temperaturuniformitéit bannent ±1℃ vun der Waferuewerfläch duerch e präzisen Thermofeldverdeelungsdesign, wat garantéiert, datt d'Ofwäichung vun der epitaktischer Schichtdicke manner wéi 1% ass. Gläichzäiteg sinn seng niddreg Partikelfräisetzungscharakteristiken (Partikeldicht <0.1/cm²) ...²wéi gemooss mat SEM-EDS) maachen et exzellent an ultra-propperen Raumëmfeld, besonnesch gëeegent fir fortgeschratt Prozessknueten, déi empfindlech op Defekter reagéieren (wéi z. B. assistéiert Prozesser fir Logikchips ënner 5 nm).

Am Verglach mat traditionelle Wafer-Trays kann d'Liewensdauer vun engem CVD SiC-Beschichtungs-Wafer-Hypnotiker ëm den 3-5-Fach verlängert ginn. Seng Uewerflächen-Selbstreinigungseigenschaften reduzéieren d'Ënnerhaltsfrequenz a reduzéieren, kombinéiert mat der reparéierbarer lokaler Beschichtungs-Nei-Oflagerungstechnologie, de Return on Investment-Zyklus ëm méi wéi 40%. No Industriemiessdaten kann déi 6-Zoll SiC epitaktesch Produktiounslinn, déi dëst Produkt benotzt, d'Prozessschwankungen tëscht Chargen ëm 15% reduzéieren, d'jäerlech Produktiounskapazitéit ëm 20% erhéijen an d'Ofschrottquote wéinst Verschmotzung op manner wéi 0.03% reduzéieren.

Vu Laborfuerschung an Entwécklung bis zur Groussproduktioun war de CVD SiC Beschichtungswafer-Hypnotiktor vu Semixlab ëmmer un de Branchenleader gezielt. Et ass net nëmmen e Prozessverbrauchsstoff, mä och en technologesche Grondsteen am Beräich vun der Präzisiounsfabrikatioun bei héijen Temperaturen. Et wäert weiderhin eng zouverlässeg Garantie fir d'High-End-Geräterfabrikatioun a modernen Beräicher wéi 5G-Kommunikatioun, nei Energieleistungselektronik a Quantecomputer bidden.

Waferënnerstëtzung an Hëtziwwerdroung a MOCVD-Prozesser, dorënner blo a gréng LED, UV-LED an déif-UV-LED etc., déi un Ausrüstung vun LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI a sou weider ugepasst ass.

Féierend Technologie: CVD-Prozess fir eng (111) Orientéierung β-SiC, Kärgréisst 2-10μm, dicht Struktur z'erreechen.

Extrem Ëmweltadaptatioun: Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen, Plasmaerosiounsbeständegkeet, Äsch < 5ppm.

Excellent Wärmemanagement: Wärmeleitfäegkeet vun 300W/m·K, CTE passt perfekt zum Graphit fir thermesch Spannungsrëss ze vermeiden.

Komplette Prozessservice: Ënnerstëtzung fir Substratveraarbechtung, Beschichtungsoflagerung, Tester, Liwwerung aus enger eenzeger Stopp.