EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
TaC-beschichtete Graphitring
TaC-beschichtete Graphitréng vu Semixlab si fir extrem Leeschtung an der Hallefleederproduktioun entwéckelt ginn. Eis héichreine Tantalkarbid (TaC) CVD-Beschichtungsréng si fir CVD-, PVD- a Plasmaätzprozesser onverzichtbar a déngen als Féierungsréng, Fokusréng a Linerréng. Reduzéiert d'Partikelkontaminatioun a verbessert d'Wafer-Ausbezuelung mat eise robusten a verlässleche Komponenten.
Beschreiwung
De Semixlab TaC beschichtete Grafitring ass eng wichteg Komponent, déi haaptsächlech an Ausrüstung fir d'Produktioun vu Hallefleeder benotzt gëtt. E besteet aus engem héichreinege Grafitsubstrat, dat grëndlech mat enger Schicht Tantalkarbid (TaC) beschichtet ass. Dës fortgeschratt Beschichtung bitt eng iwwerleeën Uewerfläch, déi de Graphit virun haarde chemeschen Ëmfeld an héijen Temperaturen schützt.
Eis TaC-beschichtete Grafitréng si wichteg a Prozesser wéi chemesch Dampfoflagerung (CVD), physikalesch Dampfoflagerung (PVD) a Plasmaätzen. Si déngen als Schutzbarriär, e Féierungsrank oder e wichtege strukturelle Bestanddeel an der Reaktiounskammer a garantéieren d'Integritéit a Qualitéit vum fäerdege Hallefleederwafer.
Spezifikatioune
| Physikalesch Eegeschafte vun der Tantalkarbid (TaC) Beschichtung | |
| Dicht | 14.3 (g/cm³) |
| Spezifesch Emissioun | 0.3 |
| Thermesch Erweiderungskoeffizient | 6.3*10-6/K |
| Hardness (HK) | 2000 HK |
| Resistenz | 1 × 10-5 ohm*cm |
| Thermesch Stabilitéit | <2500 ℃ |
| Graphite Gréisst Ännerungen | -10-20 Uhr |
| Schichtdicke | ≥20um typesche Wäert (35um±10um) |
Applicatioun
Uwendungen an Hallefleiterprozesser
Déi robust Eegeschafte vun eisen TaC-beschichtete Grafitréng fir d'Hallefleiterproduktioun maachen se a verschiddene Schlësselapplikatiounen onentbehrlech.
1. Chemesch Vapor Deposition (CVD)
Bei CVD-Prozesser, wou Gase bei héijen Temperaturen reagéiert ginn, fir dënn Schichten op Waferen ofzesetzen, ass d'Reaktiounskammer eng héich aggressiv Ëmwelt. Eis CVD TaC-beschichtete Réng ginn als Susceptorréng, Führungsréng a Linerréng benotzt. Si bidden aussergewéinleche Schutz géint korrosiv Gase a chemesch Attacken, verhënneren d'Kontaminatioun vu Partikelen a garantéieren eng eenheetlech Schichtdicke iwwer de ganze Wafer. Déi héich thermesch Stabilitéit vum TaC erméiglecht e stabile Betrib och bei extremen Temperaturen.
2. Physical Vapor Deposition (PVD)
Fir PVD-Sputtering an E-Beam-Verdampfung déngen eis Réng als wesentlech Komponenten an der Vakuumkammer. Si handelen als Schutzréng oder Féierungsréng, déi aner empfindlech Deeler viru Sputterrester a Plasmabombardement schützen. Déi aussergewéinlech Häert an Dicht vun der TaC-Beschichtung maachen se héich resistent géint Partikelerosioun, wat de Risiko vun enger Komponentendegradatioun an duerno spéideren Waferdefekter däitlech reduzéiert.
3. Plasma Ätz
Beim Plasmaätzen gëtt e ganz reaktivt Plasma benotzt fir Material selektiv aus dem Wafer ze entfernen. Dëse Prozess ënnerworf Komponenten
Kompetitiv Virdeel
Virdeeler vun Semixlab TaC beschichtete Grafitréng
1. Superior Haltbarkeet
● Déi dicht CVD TaC Beschichtung ass vill besser géint Plasma, chemeschen Attacken a mechanesche Verschleiung widderstoen ewéi blanne Graphit.
2. Héich Rengheet fir Hallefleiterausbezuelung
● Hiergestallt mat ultra-niddregem Onreinheetsgrafit an enger héichreiner TaC-Beschichtung fir ionesch Kontaminatioun ze minimiséieren.
3. Präzisiounsbearbechtung & Beschichtungskontroll
●Fortgeschratt Bearbechtung fir eng enk Toleranzen; gläichméisseg Beschichtungsdicke fir eng konsequent Leeschtung.
4. Personnaliséierung & Ingenieursënnerstëtzung
●Optioune fir verschidden Duerchmiesser, Querschnittsprofiler, Beschichtungsdicken an Dichtungseigenschaften.
● Technesch Berodung fir prozessspezifesch Entwërf.
5. Schnell Prototyping & global Liwwerung
● Schnell Proufproduktioun, global Logistik a verlässlech Liwwerzäiten.
eis Services
Semixlab Produktshop
