Poréis Tantalkarbid TaC

Semixlab huet e poröst Graphitmaterial agefouert, dat mat Tantalkarbid (TaC) beschichtet ass. Et benotzt e poröst Graphitskelett mat kontrolléierbarer Porositéit (50%–75%), fir seng grouss spezifesch Uewerfläch fir d'Gasphas-Flossleitung a Filtratioun ze notzen. Duerch d'CVD-Technologie gëtt eng dicht TaC-Beschichtung (Schmëlzpunkt: 3880 °C) souwuel op intern wéi och extern Uewerflächen ofgesat, wat dem Material eng aussergewéinlech Héichtemperaturbeständegkeet an H₂-Korrosiounsbeständegkeet gëtt (méi wéi 10-mol méi héich wéi konventionell SiC-Beschichtungen). En eenzegaartegen Design vun der Gradienteniwwergangsschicht garantéiert en reibungslosen Iwwergang vum thermeschen Ausdehnungskoeffizient, wat verhënnert, datt d'Beschichtung bei widderhollten thermesche Schocken opbrécht oder ofblättert. Dës Struktur erméiglecht véier Kärfunktiounen am SiC-Kristallwuesstum: als héichpräzis Filter ze handelen, fir partikelfërmeg Ongereinheeten ze blockéieren, d'Temperaturfeld präzis iwwer d'héich thermesch Konduktivitéit vun TaC ze reguléieren, fir d'Wuestumsquote ze kontrolléieren, de geriichte Gasphas-Floss duerch d'Porenstruktur ze leeden, fir en eenheetlecht Kristallwuesstum ze förderen, an eng stabil Atmosphär duerch d'Synergie vun der dichter Uewerfläch an dem porösen Interieur ze erhalen, wouduerch d'Kristallertrag an d'Prozessreproduzéierbarkeet däitlech verbessert ginn.

Typescht Schema vun der TaC-Oflagerungseenheet: (a) In-situ-Chloréierungsapparat; (b) CVD-Reaktor.

Applikatiounsszenarien

1. Kärapplikatioun: PVT SiC Eenzelkristallwuesstem

Am Prozess vum SiC-Eenkristallwuesstum mat der PVT-Method (Physical Vapor Transport) ginn eis Produkter haaptsächlech als thermesch Feldkomponenten wéi poréis Tiegel, Tiegeldeckel, Flossleitréier a Schacht benotzt. Am Verglach mat traditionelle Graphitmaterialien kënne si Kuelestoffinschlëss eliminéieren andeems se Kuelestoffpartikelen dovun ofhalen, an de Kristall anzekommen, fir Mikropäifdefekter däitlech ze reduzéieren, d'Bildung vun Ätzgruben ze verhënneren andeems d'strukturell Integritéit während dem laangzyklege Wuesstum erhale bleift fir Polykristallisatioun ze vermeiden, an d'Ausbezuelung ze verbesseren andeems se eng méi reng Wuessumgebung ubidden, fir d'Kristallqualitéit an d'Produktiounseffizienz ze verbesseren.

2. Erweidert Applikatioun

①Halbleiter-Epitaxie-Ausrüstung

Am SiC-Epitaxieprozess (LPE, MOCVD-Ausrüstung) kënnen eis Materialien als Heizelementer, Graphittabletten a Reaktiounskummerauskleeder benotzt ginn. D'NH₃-Korrosiounsbeständegkeet vun der TaC-Beschichtung schützt effektiv Graphitkomponenten, verhënnert d'Kontaminatioun duerch Ongereinheeten a verlängert d'Liewensdauer vun de Komponenten, wouduerch e stabile Betrib vun der Epitaxieausrüstung garantéiert gëtt.

②PV-Beschichtungsausrüstung

Am PECVD-Prozess vun der Fabrikatioun vu Photovoltaikzellen kënnen eis Produkter als Beschichtungsmaterial fir Graphitbooter a Trägerplacke benotzt ginn. Si widderstoen der Ätzung duerch fluorhalteg/chlorhalteg Plasmaen, verhënneren datt Graphitpulver op Siliziumwafere fällt a se kontaminéiert, a si gëeegent fir Héicheffizienz-Zellprozesser wéi PERC an HJT, wat zu der Verbesserung vun der Qualitéit vun de Photovoltaikzellen bäidréit.