Grafit Heizelementer
| Place Hierkonft: | China |
| Marque: | Semixlab |
| Model Number: | Grafit Heizelementer-01 |
| Zertifikatioun: | ISO9001 |
| Mindestbestand Quantitéit: | Sujet ze Verhandlunge |
| Präis: | Kontakt fir personaliséiert Devis |
| Packaging Detailer: | Standard Export Package |
| Liwwerzäit: | 30-45 Deeg no der Bestellungsbestätegung |
| Bezuelen Konditiounen: | T / T |
| Kapazitéit liwweren: | 1000 Eenheeten/Mount |
Beschreiwung
Grafit-Heizelementer gi präzis aus héichreinegem isostatesche Graphit (Reinheet ≥99.95%) hiergestallt a si fir extrem héich Temperaturen (bis zu 3000°C) a fuerdernd Prozessbedingungen entwéckelt. Wéinst hirer exzellenter Hëtztbeständegkeet, hirem niddrege Wärmeausdehnungskoeffizient a hirem stabile Widderstand gi dës Elementer wäit verbreet a Kär-Hallefleederherstellungsprozesser wéi Eenzelkristall-Wuesstumsuewen, CVD-Ausrüstung, epitaktesch Oflagerung an Héichtemperaturglühung benotzt. Si déngen och High-End-Applikatiounen wéi Vakuumuewen a wëssenschaftlecher Fuerschungsqualitéit an thermesch Felder fir Loftfaartmaterial.
Applikatioun:
Grafit-Heizelementer si fir héich Temperaturen an haart Ëmfeld entwéckelt a gi wäit verbreet a Vakuumuewen, Eenkristall-Wuesstumssystemer an der Hallefleederproduktioun benotzt. Si gi virun allem an der CVD-Oflagerung, epitaktischem Wuesstum an Héichtemperatur-Glühprozesser a Hallefleederprozesser benotzt. Si leeschte sech och aussergewéinlech gutt an thermesche Feldsystemer fir Eenkristall-Silizium-Wuesstum a Saphirkristallvirbereedung an der Photovoltaikindustrie.
Servicer déi geliwwert kënne ginn:
Client Applikatioun Szenario Analyse, passende Materialien, technesch Problemléisung.
Firma Profil:
Semixlab huet 2 Laboratoiren, en Team vun Experten mat 20 Joer Materialerfahrung, mat R&D a Produktioun, Testen a Verifizéierungsfäegkeeten.
Spezifikatioune
technesch Parameter
| Projet | Parameter |
| Material | Isostatesch Grafit |
| Maximal Temperatur | Vakuumumfeld 2800°C / Inertgas 3000°C |
| Resistivitéit | 8~15 μΩ·m |
| Surface Behandlung | Héichdichtbeschichtung (Anti-Oxidatioun, Anti-Korrosioun) |
| Dimensiounsgenauegkeet | ± 0.1mm |
Applicatioun
Main Applikatioun Felder
| Applikatioun Richtung | Typesch Szenario |
| Semiconductor Fabrikatioun | Silizium/Siliziumkarbid epitakzial Uewenheizung, Ionenimplantatiouns-Postglühuewen thermescht Feld |
| Kristallwuesstum | Saphir-Eenkristalluewen, photovoltaescht Polysilizium-Barrenheizungssystem |
| Vakuum Hëtzt Behandlung | Héich Temperatur Sintering Uewen |
Genehmegung vun der Verifizéierung vun der ökologescher Ketten
D'Verifizéierung vun der ökologescher Ketten vu Graphitheizelementer vu Semixlab deckt d'Rohmaterialien bis zur Produktioun of, huet international Standardzertifizéierung bestanen a verfüügt iwwer eng Rei patentéiert Technologien, fir hir Zouverlässegkeet an Nohaltegkeet am Beräich vun den Hallefleeder an den neien Energien ze garantéieren.
Fir detailléiert technesch Spezifikatiounen, Whitepaperen oder Beispiller vun Testarrangementer, kontaktéiert w.e.g. eisen techneschen Supportteam fir erauszefannen, wéi Semixlab Är Prozesseffizienz verbessere kann.
Kompetitiv Virdeel
Kärvirdeeler vu Semixlab Grafit Heizelementer
Excellent héich Temperatur Resistenz
Grafit-Heizelementer benotzen héichreine isostatesche Graphit, wat e laangfristege stabile Betrib an extremen Héichtemperaturëmfeld garantéiert. Graphit widdersteet Erweichung a Verformung bei héijen Temperaturen an eliminéiert de Risiko vun Verdampfung a Kontaminatioun, wouduerch seng Liewensdauer däitlech verlängert gëtt. Dës Elementer si besonnesch gutt geegent fir Héichtemperaturprozesser, déi Vakuum- oder Inertgasschutz erfuerderen, wéi Siliziumcarbid-Kristallwuesstum a Sinterung bei Héichtemperatur.
Uniform a stabil thermesch Feldverdeelung
Eis Graphitheizelementer erreechen eng Temperaturuniformitéit am Uewen vun ≤±5°C, wat eng gläichméisseg Erhëtzung vum Material garantéiert. Dës Eegeschaft ass entscheedend fir Prozesser wéi Eenkristallsiliziumwuesstum an Epitakzialoflagerung vu Hallefleeder, wouduerch Gitterdefekter effektiv reduzéiert ginn an d'Ausbezuelung verbessert gëtt.
Héich Rengheet a geréng Kontaminatioun
Den Äschegehalt vu Réistoffer gëtt streng kontrolléiert, a bal keng Ongereinheete ginn an Héichtemperaturëmfeld ausgefällt, wouduerch d'Kontaminatioun vu Waferen oder Thermofeldkomponenten vermeit gëtt. Et ass besonnesch gëeegent fir d'Hallefleederherstellung (wéi z. B. Wafer-CVD-Prozesser) an d'Hëtztbehandlung vu Materialien mat héijer Rengheet, wouduerch d'Propretéit vun der Prozesskammer garantéiert gëtt.
Schnell Reaktioun a Energiespueren
Déi héich Wärmeleitfäegkeet vum Grafit, kombinéiert mat engem optiméierten Strukturdesign, erhéicht d'Heizgeschwindegkeet vum Heizelement a verkierzt d'Prozesszyklen. Ausserdeem passt säin elektresche Widderstand präzis der Stroumversuergung un, wat zu enger Energieerspuernis vun 15% bis 30% am Verglach mat traditionelle Metallheizungen féiert, wat d'laangfristeg Betribskäschte reduzéiert.
eis Services

Semixlab Produktshop


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ





