PECVD Grafit Boot fir PV

De PECVD Boat (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Boat) ass eng speziell fir d'Photovoltaikindustrie entwéckelt, déi an der Dënnschichtoflagerungsphase vun der Produktioun vun héicheffiziente Solarzellen agesat gëtt. E besteet aus héichreinegen an héichtemperaturbeständege Materialien a kann stabil an der haarder PECVD-Prozessumgebung funktionéieren, wouduerch eng eenheetlech Filmbeschichtung op Siliziumwafere garantéiert gëtt an d'Konversiounseffizienz an d'laangfristeg Zouverlässegkeet vun den Zellen verbessert ginn. Dëst Produkt ass gëeegent fir d'Oflagerung vu Siliziumnitrid (SiNx) oder aner funktionelle Filmer an héicheffiziente Photovoltaikzellen, wéi monokristallin/multikristallin Siliziumwafere, TOPCon an HJT, an ass e wichtege Verbrauchsstoff a Masseproduktiounslinne vu Photovoltaikzellen.

technesch Parameter

Material: Gemaach aus isostateschem Graphit (Reinheet ≥ 99.99%), kann et der momentaner héijer Temperatur vun 1200°C an de reegelméissege Kalt- a Wärmezyklen am PECVD-Prozess standhalen. Den thermeschen Ausdehnungskoeffizient ass nëmmen 4.5×10⁻⁶/°C, wat Rëssbildung a Verformung verhënnert. D'Liewensdauer gëtt am Verglach mat traditionelle Materialien ëm méi wéi 30% erhéicht.

Super-uniformen Thermalfelddesign

Déi héich Wärmeleitfäegkeet vu Graphit (100-120 W/m·K) a Kombinatioun mat enger wabenfërmeger Loftkanalstruktur erméiglecht eng séier an gläichméisseg Wärmeleitung an der Reaktiounskammer. Den Temperaturënnerscheed tëscht de Siliziumwaferen ass ≤ ±2°C, an d'Uniformitéit vun der Schichtdicke erreecht ±2.5% (branchenféierend).

Technologie fir d'Behandlung vun Uewerflächen mat gerénger Kontaminatioun

D'Uewerfläch gëtt mat enger Siliziumcarbid (SiC)-Beschichtung mat héijer Dicht oder engem superglatten Polierprozess (Ra ≤ 0.2μm) behandelt, wat d'Ofschëddung vu Graphitpulver ënnerdréckt an d'Partikelfräisetzungsquote ënner 5 Partikelen/cm² hält, wat d'Ufuerderunge fir d'Sauberkeet vun den High-End-Photovoltaikzellenherstellungsprozesser erfëllt.

Antioxidatioun a laang Liewensdauergarantie

Optional kënnen Antioxidatiounsbeschichtungen aus Gradientkompositmaterial (wéi z.B. Al₂O₃/SiC-Multischichtestruktur) ausgewielt ginn, wat d'Antioxidatiounsleistung an héichtemperaturéierten, sauerstoffhaltegen Ëmfeld ëm d'5-facht verbessert. D'Liewensdauer iwwerschreit 1500 Zyklen, wat d'Produktiounskäschte pro Watt däitlech reduzéiert.

Firwat sollt Dir e Grafit PECVD Boot wielen?

Photovoltaesch Prozessadaptatioun: Personnaliséiert Porositéits- a Uewerflächenmodifikatiounsléisunge fir TOPCon Phosphor-Siliciumglas (PSG) Entlackéierung, HJT-Niddregtemperaturoflagerung an aner speziell Ufuerderungen.

Käschteeffizienz: natierleche Käschtevirdeel vu Graphitmaterialien + laang Liewensdauer, d'Gesamtkäschte gi méi wéi 40% am Verglach mat Keramikgefierer reduzéiert.

Global Verifizéierung a Zouverlässegkeet: D'Produkt gëtt an der globaler Photovoltaik-Produktiounslinn mat enger Kapazitéit vu méi wéi 50 GW benotzt, mat enger Ausfallquote vu < 0.1%.

Semixlab PECVD Bootsgehäuse:

Beschichtungsuniformitéit: ±2.8% → ±2.1% (optimiséiert 25%)

Rumpfwiesselfrequenz: 800 Mol → 1300 Mol (62.5% Verlängerung)

Uwendbar Temperatur: ≤800°C

Kompatibilitéit mat Siliziumchips: 125mm × 125mm bis 210mm × 210mm (Ënnerstëtzung fir Personnalisatioun)

Liewensdauer: ≥1000 Mol (ofhängeg vun de spezifesche Prozessbedingungen)

Uewerflächenrauheet: Ra≤0.5μm (fir eng niddreg Partikelverschmotzung ze garantéieren)

Quick Detail:

1. Aner Nimm: PECVD-Boot, Grafitboot fir de PECVD-Prozess, PECVD-Boot (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Carrier Boat).

2. Uwendung: Photovoltaikindustrie, benotzt an der Dënnschichtoflagerungsphase vun der Produktioun vun héicheffiziente Solarzellen.

3. Kärparameter: Rengheet ≥99.995%, Dicht 1.80-1.85g / cm³.

Typesch Applikatioun Szenarie

Eenkristall PERC-Zell Siliziumnitrid Antireflexfilmoflagerung.

Virbereedung vun der TOPCon Zelltunneloxidschicht a polykristalliner Siliziumschicht.

Prozess vun der Oflagerung vun amorphem Siliziumfilm an HJT-Zellen.

Aussergewéinlech Héichtemperaturbeständegkeet: Duerch d'Benotzung vu reinegem Graphit oder personaliséierte Keramik-Kompositmaterialien kann et den kontinuéierlechen héijen Temperaturen vun bis zu 800 °C am PECVD-Prozess ouni Deformatioun oder Kontaminatioun standhalen, wat eng laangfristeg Stabilitéit garantéiert.

Präzis Uniformitéitsdesign: Optiméiert Schlitzstruktur an Uewerflächenbehandlungstechnologie garantéieren eng gläichméisseg Erhëtzung vun de Siliziumwafer während dem Oflagerungsprozess, mat enger Konsistenz vun der Filmdicke bannent ±3%, wat d'Batterieeffizienz an den Ausbezuelung däitlech verbessert.

Niddreg Kontaminatioun a laang Liewensdauer: Spezial Uewerflächenbeschichtungstechnologie hemmt effektiv d'Partikelhaftung a reduzéiert de Risiko vun der Prozesskontaminatioun; eng staark Korrosiounsbeständegkeet garantéiert eng Liewensdauer vu méi wéi 1000 Zyklen, wat d'Gesamtkäschte vum Client senkt.

Kompatibilitéit a Flexibilitéit: Ënnerstëtzt verschidde Gréissten vu Siliziumwafer (M6/M10/G12, etc.) a verschidde Prozessufuerderungen, bitt personaliséiert Schlitzofstand an Bootsstrukturdesignen, an ass kompatibel mat Mainstream PECVD-Ausrüstung (wéi Centrotherm, Meyer Burger, etc.).