all Kategorie
SiC Keramik
SSiC Dichtungsréng
SSiC Dichtungsréng

SSiC Dichtungsréng


D'SSiC-Dichtungsréng vu Semixlab si reng, volldicht gesintert Siliziumcarbidkomponenten, déi entwéckelt goufen, fir aussergewéinlech Dichtungsleistung bei de fuerderndsten Hallefleiterprozesser ze liwweren. Dës Réng, déi fir Epitaxiereaktoren, ALD/CVD-Oflagerungskammeren an Diffusiouns- oder Héichtemperaturglühsystemer entwéckelt goufen, bidden eng ongeëwen chemesch Resistenz, thermesch Stabilitéit a dimensional Präzisioun. Andeems se stabil Kammerbedingungen erhalen an d'Partikelgeneratioun reduzéieren, hëllefen d'SSiC-Dichtungsréng vu Semixlab de Fabriken, eng méi héich Prozessuniformitéit, eng verlängert Ausrüstungsuptime an eng iwwerleeën Rendementsleistung bei fortgeschrattene Hallefleiterknueten z'erreechen.

Beschreiwung

Bei Semixlab stellen eis SSiC-Dichtungsréng e Grondstee vun der héichperformanter Dichtungstechnologie duer, déi fir déi streng Ufuerderunge vun der moderner Hallefleederfabrikatioun entwéckelt gouf. Dës Dichtungskomponenten, déi aus volldichtem, héichreinegem gesintertem Siliziumcarbid hiergestallt ginn, bidden aussergewéinlech chemesch Stabilitéit, thermesch Ausdauer a mechanesch Stäerkt an de fuerderndsten Vakuum-, Héichtemperatur- a korrosiven Gasëmfeld. Mat räicher Ingenieurserfahrung an der Front-End-Waferveraarbechtung entwéckele mir SSiC-Dichtungsléisungen, déi d'Prozessstabilitéit verbesseren, d'Liewensdauer vun den Ausrüstungen verlängeren an d'Ausbezuelung vun den Apparater an fortgeschrattene Hallefleederknäpp schützen.

Bannent Epitaxie- (Epi-) Prozesser, wou Waferen wasserstoffräicher Atmosphär, aggressiven chloréierte Chemikalien an Temperaturen iwwer 1200°C ausgesat sinn, spillen SSiC-Dichtungsréng eng entscheedend Roll fir eng loftdicht Trennung tëscht dem Reaktiounskammerraum an den ëmleiende mechanesche Baugruppen ze garantéieren. Hir ultra-niddreg Porositéit an hir onerreechbar Korrosiounsbeständegkeet garantéieren eng laangfristeg Gasintegritéit am Reaktor, wouduerch Leckage, Kontaminatioun a parasitär Reaktiounen verhënnert ginn, déi d'Filmuniformitéit oder d'Dopéierungspräzisioun a Gefor brénge kéinten. A rotéierende Susceptorsystemer erméiglechen déi iwwerleeën Verschleißbeständegkeet an d'Dimensiounsstabilitéit vum SSiC e reibungslosen, partikelfräie Betrib duerch kontinuéierlecht thermescht Zyklen, wat d'Produktioun vun héichwäertege Si-, SiGe-, SiC- a GaN-Epitaxialschichten ënnerstëtzt.

An ALD-, CVD-, PECVD- a LPCVD-Plattforme déngen SSiC-Dichtungsréng als primär Kammerdichtung, Isolatiounsréng a plasma-exposéiert Strukturkomponenten, déi halogenbaséiert Virleefer, Plasmaerosioun a widderholl Pumpdown-Zyklen standhale mussen. Hir Fäegkeet, chemesch inert a Präsenz vun TEOS, TMA, Chlorsilanen, Fluorspezies an Oflagerungsnebenprodukter ze bleiwen, mécht se zu enger bevorzugter Alternativ zu beschichtete Metaller oder Polymer-Komposit-Dichtungen. Déi dicht kristallin Struktur vum SSiC vu Semixlab eliminéiert Ausgasung a Partikelgeneratioun, wat déi héich Widderhuelbarkeet an d'Defektarm-Ëmfeld ënnerstëtzt, déi fir fortgeschratt Dënnschichtoflagerung erfuerderlech sinn. Duerch d'Erhalen vun enger präziser Dichtung an enger mechanescher Integritéit stabiliséieren dës Réng den Drock an der Kammer, d'Temperaturverdeelung an d'Flossprofile vun de Virleefer - Faktoren, déi essentiell fir eng konsequent dielektresch, Barrière- a epitaktesch Filmleistung sinn.

An Diffusiouns-, Héichtemperaturglüh- a schnelle thermesche Veraarbechtungsëmfeld bidden SSiC-Dichtungsréng eng zouverlässeg Dichtung tëscht den waarme Reaktiounszonen an den ëmweltfrëndleche mechaneschen Grenzflächen vun Uewensystemer. Hiren extrem niddrege thermeschen Ausdehnungskoeffizient, kombinéiert mat héijer Bruchsehäet an exzellenter Oxidatiounsbeständegkeet, erlaabt hinnen, d'Gasintegritéit an d'mechanesch Stabilitéit och iwwer 1400 °C ze erhalen. Dëst garantéiert eng eenheetlech Dotierungsaktivéierung, stabil Uewenatmosphären an eng Wafer-zu-Wafer-Konsistenz, wouduerch d'Integratioun vun Ongereinheeten miniméiert gëtt an d'Drift an de Prozessparameter reduzéiert gëtt. Fir Réieruewen an RTP/RTA-Kummeren gläichermoossen garantéiert d'Widderstandsfäegkeet vun SSiC ënner schnelle Temperaturramper eng laang Liewensdauer, manner Ënnerhaltsënnerbriechungen an eng geséchert Prozessreinheet.

Duerch héichopléisend Mikrostrukturinspektioun, Plasmaätzwidderstandsbewertung, präzis Dimensiounskontroll a Kontaminatiounsanalyse gëtt all Dichtungsring no strenge globale Industrienormen validéiert. Déi resultéierend Komponenten weisen extrem niddreg ionesch Ongereinheeten, bal Null Permeabilitéit a laangfristeg Dimensiounsstabilitéit op, wat et Fabriken an Ausrüstungshersteller erméiglecht, eng méi héich Uptime, verlängert PM-Zyklen an eng iwwerleeën Prozessuniformitéit iwwer all Produktiounslinnen z'erreechen. Semixlab ass ëmmer Äre vertrauenswürdege laangfristege Partner am Beräich vum Hallefleeder-Sintersiliziumcarbid (SSiC).

Spezifikatioune
Physikalesch Eegeschafte vu Sinter Silicon Carbide
Property Typesche Wäert
Chemescher Masker SiC>95%, Si<5%
Bulk Dicht >3.07 g/cm³
Scheinbar Porositéit Scheinbar Porositéit
Brochmodul bei 20 ℃ 270 MPa
Brochmodul bei 1200 ℃ 290 MPa
Hardness bei 20 ℃ 2400 kg/mm²
Frakturstäerkt bei 20% 3.3 MPa · m1/2
Thermesch Konduktivitéit bei 1200 ℃ 45 w/m .K
Thermesch Expansioun bei 20-1200 ℃ 4.5 1 × 10-6/℃
Max.Aarbechtstemperatur 1400 ℃
Wärmeschockbeständegkeet bei 1200 ℃ Gutt
eis Services

Semixlab Produktshop

ondefinéiert

Ëmfro

Hot Kategorien