Héichreinheets-SiC-Boot
| Place Hierkonft: | China |
| Marque: | Semixlab |
| Model Number: | Héichreinheets-SiC-Boot-01 |
| Zertifikatioun: | ISO9001 |
| Mindestbestand Quantitéit: | Sujet ze Verhandlunge |
| Präis: | Kontakt fir personaliséiert Devis |
| Packaging Detailer: | Standard Export Package |
| Liwwerzäit: | 45-60 Deeg no der Bestellungsbestätegung |
| Bezuelen Konditiounen: | T / T |
| Kapazitéit liwweren: | 50 Eenheeten/Mount |
Beschreiwung
Héichreine Siliziumkarbid (SiC)-Boot ass en héichperformante Keramikträger, dee fir Héichtemperatur-Halbleiterprozesser, Kristallwuesstum a präzis Hëtztbehandlung entwéckelt gouf. E gëtt mat ultra-héichreinem SiC-Material gesintert an huet eng exzellent Héichtemperaturbeständegkeet, Wärmeschockbeständegkeet a chemesch Stabilitéit. E gëtt wäit verbreet an der Hallefleiterdiffusioun, CVD, LED-Epitaxie a photovoltaescher Eenkristallwuesstum agesat.
Applikatioun:
Héichreine SiC-Boat ass e wichtege Verbrauchsstoff fir Hallefleiterprozesser, deen haaptsächlech benotzt gëtt fir Waferen an Héichtemperaturëmfeld ze transportéieren an ze transferéieren, a gëtt wäit verbreet a Siliziumwaferdiffusiouns-, Oxidatiouns-, Glüh- a CVD-Prozesser benotzt. Et ass besonnesch gëeegent fir Héichtemperaturprozesser vun Hallefleiter vun der drëtter Generatioun (wéi SiC/GaN) an Energieversuergungskomponenten.
Servicer déi geliwwert kënne ginn:
Client Applikatioun Szenario Analyse, passende Materialien, technesch Problemléisung.
Firma Profil:
Semixlab huet 2 Laboratoiren, en Team vun Experten mat 20 Joer Materialerfahrung, mat R&D a Produktioun, Testen a Verifizéierungsfäegkeeten.
Spezifikatioune
technesch Parameter
| Projet | Parameter |
| Materialtyp | Gesintert Siliziumkarbid (SSiC/RSiC) |
| Dicht | 3.0-3.2 g/cm3 |
| Thermescher Conduktivitéit | 120-150 W/m·K |
| Maximal Betribstemperatur | 1600°C (Oxidéierend Atmosphär) |
| Surface Rauheet | Ra ≤0.5μm (Poléierbar) |

Applicatioun
Main Applikatioun Felder
| Applikatioun Richtung | Typesch Szenario |
| Semiconductor Industrie | Träger a Waferdiffusiouns-, Glüh- an Oxidatiounsprozesser. |
| Ënnerstëtzungsinstrumenter fir epitaktesch Wuesstem (wéi z.B. SiC-Epitaxie). | |
| LED/MOCVD | Als Schachte am Wuesstumsprozess vu GaN- an LED-Chips. |
| Photovoltaik Industrie | Benotzt fir Héichtemperatur-Sinterung vu Solarzellen. |
| Fuerschungsberäich | Behälter fir Héichtemperaturexperimenter (wéi z.B. Materialsynthese an Hëtzebehandlung). |
Genehmegung vun der Verifizéierung vun der ökologescher Ketten
D'Verifizéierung vun der ökologescher Ketten vum Semixlab High-Purity SiC Boat deckt d'Rohmaterialien bis zur Produktioun of, huet eng international Standardzertifizéierung bestanen an huet eng Rei vu patentéierte Technologien fir seng Zouverlässegkeet a Nohaltegkeet an de Beräicher Hallefleeder a nei Energien ze garantéieren.
Typesch Uwendungsprozess
Réistoffvirbereedung (Héichreine SiC-Pulver) → Formprozess (Dréchepressen/Isostatescht Pressen) → Sinterprozess → Bearbechtung & Uewerflächenveraarbechtung (CNC-Schleifen/Polieren, Chemescht Ätzen, Glühen) → Reinigung & CVD-Beschichtung → Qualitéitskontroll → Verpackung
Duerch modern Prozessparameteroptimiséierung garantéiert den eenzegaartegen Strukturdesign vum Semixlab High-Purity SiC Boat eng exzellent Waferstabilitéit a reduzéiert gläichzäiteg de Risiko vun der Partikelkontaminatioun däitlech. Seng Liewensdauer kann 5-8 Mol sou laang sinn wéi déi vun traditionelle Quarzbooter, wat et zu enger idealer Trägerléisung fir d'Veraarbechtung vu Waferen bei Héichtemperatur mécht. Dës Innovatioun erméiglecht et, Importprodukter um Hallefleedermaart graduell z'ersetzen an eng héich performant a käschtegënschteg Inlandsléisung ze bidden.
Fir detailléiert technesch Spezifikatiounen, Whitepaperen oder Beispiller vun Testarrangementer, kontaktéiert w.e.g. eisen techneschen Supportteam fir erauszefannen, wéi Semixlab Är Prozesseffizienz verbessere kann.
Kompetitiv Virdeel
Kärvirdeeler vu Semixlab High-Reinheet SiC Boot
1. Extrem Rengheet (Haaptvirdeel)
De Semixlab High-Purity SiC Boat huet eng ultra-héich Rengheet (≥99.9999%), an den Unreinheetsgehalt (Fe, Al, Na, etc.) gëtt op 1 ppm kontrolléiert, fir Kontaminatioun vu Waferen oder epitaktischen Materialien ze vermeiden, wat besonnesch fir d'Hallefleederproduktioun vu SiC/GaN gëeegent ass.
2. Chemesch Inertheet (Korrosiounsbeständegkeet)
Resistent géint Säure-, Alkali-/Plasma-Erosioun a kann korrosiv Gase wéi HF, HCl, H2 (wéi z.B. Halbleiterätzprozesser) widderstoen. Keng Gasfräisetzung bei héijen Temperaturen.
3. Mechanesch Stäerkt a Liewensdauer
Ultrahéich Häert, exzellent Verschleißbeständegkeet, reduzéiert de Risiko vu Partikelverloscht a verlängert d'Liewensdauer (normalerweis 3 bis 5 Mol sou héich wéi déi vun engem Quarzboot). Verformt sech net einfach bei héijen Temperaturen, wouduerch d'Waferflaachheet behalen gëtt (wéi z.B. Verzerrung an engem Diffusiounsuewen <0.1 mm).
4. Prozesskompatibilitéit
Upassungsfäeg un eng Villfalt vun haarde Ëmfeldbedingungen, Oxidatiouns-/Reduktiounsatmosphären (wéi O2, H2, Ar) a CVD/PVD-Beschichtungsprozesser. D'Uewerfläch kann personaliséiert ginn, wéi z.B. Polieren (Ra<0.1μm) oder Beschichtung (wéi SiO2) fir d'Kontaminatioun weider ze reduzéieren.
eis Services

Semixlab Produktshop


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




