Massiven SiC-Kanterank
De Solid SiC Edge Ring ass eng héichperformant Keramikkomponent, déi a Plasmaätzprozesser fir Hallefleeder benotzt gëtt. Aus héichreinem Siliziumcarbid hiergestallt, bitt en eng aussergewéinlech Plasmabeständegkeet, chemesch Haltbarkeet, thermesch Stabilitéit a laang Liewensdauer. Mat enger glatter Uewerfläch an anti-partikelegen Eegeschafte garantéiert en optimale Waferschutz a Reinheet vun der Kammer. Semixlab bitt personaliséiert Léisungen a séier Liwwerung. Wëllkomm bei enger Berodung.
Beschreiwung
Schlëssel Leeschtung Fonctiounen
De Semixlab Bulk SiC Edge Ring ass entwéckelt fir den héijen Ufuerderungen vun der Hallefleederproduktioun vun der nächster Generatioun gerecht ze ginn. Déi folgend Leeschtungseigenschaften maachen et zu enger bevorzugter Wiel fir Plasmaätzkammeren an fortgeschrattene Fabriken:
● Excellent Resistenz géint Plasmabombardement
De Kantrank, deen aus héichreinem Festsiliziumcarbid hiergestallt ass, weist eng aussergewéinlech Widderstandsfäegkeet géint héichdichteg Plasma op, wat minimale Verschleiung an eng verlängert Liewensdauer vun de Komponenten ënner intensivem Ionenbombardement garantéiert.
● Iwwerleeën Gaskorrosiounsbeständegkeet
SiC-Material bitt eng héich chemesch Inertitéit a hält korrosive Ätzgase wéi Cl₂, CF₄ a SF₆ effektiv stand, ouni Uewerflächenverschlechterung, och a héichtemperaturéierten Ëmfeld.
● Aussergewéinlech Widderstandsfäegkeet géint Thermoschocken a Wärmebelaaschtung
Mat enger Wärmeleitfäegkeet vun 120-150 W/m·K an engem niddregen thermeschen Ausdehnungskoeffizient (~4.5×10⁻⁶ /K) behält déi massiv SiC-Struktur hir dimensional Stabilitéit a mechanesch Integritéit während schnelle thermesche Zyklen.
● Glat Uewerfläch, partikelfräi Operatioun
Fortgeschratt Uewerflächenveraarbechtungstechniken garantéieren eng niddreg Uewerflächenrauheet (Ra ≤ 0.2 µm), miniméieren d'Partikelbildung an vereinfachen d'Kammerreinigungsprozesser, wat d'Ausfallzäit reduzéiert.
● Keng Verzerrung oder Deformatioun mat der Zäit
Am Géigesaz zu konventionelle Komposit-Kanteréng bleift eisen monolithesche SiC-Design flaach a formstabil während verlängerte Prozesszyklen, wat eng zouverlässeg Leeschtung iwwer laang Liewensdauer liwwert.

Firwat solle mir Semixlab SiC Kantenréng wielen?
Bei Semixlab liwwere mir iwwerleeën Qualitéit, ënnerstëtzt vun Expertise an Innovatioun. Hei ass firwat Semixlab SiC Edge Rings sech eraushiewen:
● Léisungen op Mooss
Mir bidden eng komplett Personnaliséierung baséiert op Äre Prozessspezifikatiounen, inklusiv bannenzegen/äusseren Duerchmiesser, Déckt a speziell Uewerflächenbeschichtungen oder Texturen, fir eng perfekt Passform an optimal Leeschtung an Ärer Ätzkammer ze garantéieren.
● Ëmfangräich Palette vun Typen
Semixlab ënnerstëtzt verschidde Ätzwierkzeugplattforme wéi TEL, Lam, AMAT a personaliséiert OEM-Systemer, mat souwuel Standard- wéi och wierkzeugspezifesche Kantenréng, déi fir verschidde Prozessbedürfnisser verfügbar sinn.
● Stabil Qualitéit, séier Liwwerung
Mat ISO-zertifizéierter Produktioun, strenger Qualitéitskontroll an enger optiméierter Liwwerketten garantéiere mir eng konsequent Leeschtung vun den Deeler, kuerz Liwwerzäiten a pünktlich Liwwerungen, fir datt Är Produktioun ouni Verspéidungen weidergoe kann.
Spezifikatioune
Kärphysikalesch Eegeschafte vu festem SiC
| Physikalesch Eegeschafte vu festem SiC | |||
| Dicht | 3.21 | g / cm3 | |
| Elektrizitéitswiderstand | 102 | Ω/cm | |
| Flexural Kraaft | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
| Young's Modulus | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
| Vickers Hardness | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
| CTE (RT-1000℃) | 4.0 | X10-6/K | |
| Wärmeleitfäegkeet (RT) | 250 | W / mK | |
Applicatioun
Uwendung an der Hallefleiterproduktioun
De Solid SiC Edge Ring ass eng essentiell Komponent am Plasmaätzprozess vu Siliziumwaferen, wou en als schützende a strukturell Grenzfläche tëscht dem Wafer an der Kammerhardware déngt. Dës Komponent, déi ronderëm de Rand vum Wafer positionéiert ass, garantéiert d'Prozessstabilitéit, schützt den elektrostatesche Spannfutter (ESC) a reduzéiert d'Kontaminatiounsrisiken andeems se Partikelakkumulatioun verhënnert. En ass besonnesch wäertvoll an héichpräzisen Dréchenätzungs- an RIE-Ëmfeld (Reactive Ion Etching), wou d'Prozesswidderhuelbarkeet, de Kammerschutz an d'laangfristeg Zouverlässegkeet entscheedend sinn.
eis Services

Semixlab Produktshop


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




