EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Siliziumkarbid Sic porös Keramikscheif
Déi poréis Keramikscheif aus Siliziumkarbid (SiC) vu Semixlab ass fir héich performant Hallefleiterwaferveraarbechtungsapplikatiounen entwéckelt, déi Präzisioun, Rengheet a Haltbarkeet erfuerderen. Mat kontrolléierter Mikroporositéit, iwwerleeëner Wärmeleitfäegkeet a chemescher Inertitéit spillt dës Komponent eng entscheedend Roll am Vakuumspannen, CMP (Chemical Mechanical Polishing), Epitaxie a Waferbehandlungssystemer.
Beschreiwung
Ideal fir: CMP-Plattformen, MOCVD-Epitaxiereaktoren, Wafer-Transfermoduler, Plasma-Reinigungssystemer an ESC-Substratbaugruppen.
Ⅰ. Materialzesummesetzung a physikalesch Charakteristiken
Héichreine SiC Keramikstruktur
Aus ≥99.9% ultra-reine α-SiC- oder β-SiC-Pulver hiergestallt, gëtt all poréis Scheif duerch präzis kontrolléiert Sinter- an Infiltratiounsprozesser hiergestallt. D'Resultat ass en eenheetlecht Porennetz, dat e stabile Gasfloss a mechanesch Integritéit ënner extremen Veraarbechtungsumgebungen garantéiert.
Schlëssel technesch Eegeschaften:
| Property | bestëmmen |
| Material | α-SiC / β-SiC |
| Rengheet erauszortéiert | ≥99.9% |
| Porositéit | 10–40% (justierbar) |
| Pore Gréisst | 0.1-10 μm |
| Thermescher Conduktivitéit | 120–200 W/m·K |
| Max Operatioun Temp | 1600-1800 ° C |
| Hardness | Mohs 9.3. |
| Chemesche Widderstand | Excellent an HF, HCl, Cl₂, H₂ |
| Dicht | 2.8-3.1 g/cm³ |
Performance Highlights:
● Uniform Vakuumpermeabilitéit: Eng präzis Porenverdeelung garantéiert e ausgeglachenen Gasfloss iwwer d'Waferuewerfläch.
● Excellent thermesch Stabilitéit: Erhält mechanesch Integritéit ënner héijen Temperaturzyklen.
● Niddreg Partikelbildung: Poléiert SiC-Uewerflächen miniméieren de Kontaminatiounsrisiko.
● Iwwerleeën Haltbarkeet: Verlängert Liewensdauer och an aggressiven chemeschen an Plasmaëmfeld.
Ⅱ. Gemeinsam Prozesserausfuerderungen a Semixlab-Léisungen
| Challenge | Root Ursaach | Semixlab Léisungen |
| Ongläichméisseg Vakuumsaugkraaft | Net-uniform Porengréisst oder Verstoppung | Kontrolléiert Poregréisstverdeelung a periodesch Plasmareinigung |
| Partikelkontaminatioun | Mikrorëss duerch thermesch Zyklus | CVD SiC Beschichtung fir Uewerflächenverstäerkung opdroen |
| Thermesch Net-Uniformitéit | Ongläich Dicht oder Kontaminatioun | Benotzt héichleitfäeg SiC (>150 W/m`K) a poléiert Uewerflächen |
| Chemesch Erosioun | Verlängert Belaaschtung mat HF- oder Cl-baséierte Gaser | Benotzt dicht CVD SiC Hybrid Sinterung fir d'Korrosiounsbeständegkeet ze verbesseren |
| Reduzéiert mechanesch Stäerkt mat der Zäit | Widderholl Belaaschtungsstress vun der Wafer | Sekundärinfiltratioun fir d'Brochstäerkt ze verbesseren an d'Liewensdauer ze verlängeren |
Déi eege Materialkontroll an d'Uewerflächentechnik vu Semixlab garantéieren eng konsequent Leeschtung, laangfristeg Zouverlässegkeet a reduzéiert Ausfallzäiten vun den Ausrüstungen iwwer verschidde Prozesszyklen. Wëllkomm bei eis fir weider technesch Berodung a Produktpersonaliséierungsservicer.
Applicatioun
Uwendungen an Hallefleiterprozesser
1. Wafer Vakuum Spannung an Handhabung
Poréis SiC-Scheiwe gi wäit verbreet als Vakuum-Chuckplacken oder Trägerënnerstëtzungen a Wafer-Lade- an Transfersystemer benotzt. Hir präzis konstruéiert Porositéit garantéiert eng eenheetlech Vakuumsaugung, eliminéiert Wafer-Deformatioun an verbessert d'Ausriichtungsgenauegkeet.
2. Chemesch-mechanesch Poléieren (CMP)
Wärend CMP déngt déi poréis SiC-Scheif als Träger oder Réckplack, wat et erméiglecht:
● Gläichméisseg Schlammverdeelung
● Stabil Waferënnerstëtzung
● Verbessert Planaritéit a Defektkontroll
Am Verglach mat konventionellem Aluminiumoxid oder Quarz bitt SiC eng méi héich Häert a Wärmeleitfäegkeet, wat eng méi laang Liewensdauer an eng verbessert Prozesskonsistenz garantéiert.
3. Epitaxie a Veraarbechtung bei héijen Temperaturen
An MOCVD- an LPE-Epitaxialreaktoren funktionéiert déi poréis SiC-Scheif als thermesch Susceptorbasis oder Ënnerstëtzungsplattform a garantéiert:
● Gläichméissegen Hëtztiwwerdroung iwwer de Wafer
● Stabil epitaktesch Schichtdicke
● Héich Widderstand géint reaktiv Prozessgaser
4. Naass- & Plasmareinigungssystemer
Dank senger chemescher a Plasmakorrosiounsbeständegkeet funktionéiert déi poréis SiC-Scheif effektiv als Gasdiffusiounsplack oder chemescht Filtersubstrat a naasse Bänken a Botzkammeren.
5. ESC (Elektrostatesche Spannfutter) Basisschicht
A fortgeschrattene Waferstadien déngen poréis SiC-Keramik als thermesch Basis fir ESCs, a kombinéieren exzellenten Hëtzetransfer an elektresch Isolatioun fir eng präzis Wafertemperaturkontroll.
eis Services
Semixlab Produktshop
