CVD Tantalkarbid (TaC) Beschichtung

Eng TaC-Beschichtung gëtt normalerweis a Betruecht gezunn, wann SiC seng Grenzen erreecht. Dëst geschitt méi dacks bei SiC-Epitaxie oder Kristallwuesstum, wou souwuel d'Temperatur wéi och d'Prozesatmosphär méi usprochsvoll sinn.

Mat engem vill méi héije Schmelzpunkt hält TaC eng méi laang Belaaschtung mat héijen Temperaturen besser stand, besonnesch an Ëmfeld mat Waasserstoff oder HCl. An der Praxis mécht dat en Ënnerscheed a Prozesser wéi PVT-Wuesstum, wou d'thermesch Stabilitéit direkt d'Kristallqualitéit beaflosst.

Typesch Uwendungen ëmfaassen Flossleitréng, Somhalter, Deeler am Zesummenhang mat Tiegel an aner Strukturen am thermesche Feld. Dës Komponenten si laangfristeg haarde Konditioune ausgesat, dofir ass d'Reduktioun vun der Degradatioun wichteg. A verschiddene Konfiguratiounen ersetzt TaC lues a lues méi al Materialien wéi pBN, a souguer e puer SiC-beschichtete Deeler, obwuel dëst ëmmer nach vun de Käschten an dem Prozessdesign ofhänkt.