EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
CVD SiC Waferhalter
D'SiC-Waferhalter vu Semixlab gi mat isostateschem Graphit mat héijer Dicht hiergestallt an duerno mat enger héichreineger CVD-Siliciumcarbidschicht beschichtet. Si si fir déi haart Konditiounen an MOCVD- an Epitaxiereaktoren gebaut. D'Resultat: eng gutt thermesch Uniformitéit iwwer de ganze Wafer a ganz niddreg metallesch Kontaminatioun - wat direkt zu Ärer Ausbeutung an der Leeschtung vum Apparat bäidréit.
Beschreiwung
An der Epitaxie vu verbonnenen Hallefleeder – wéi zum Beispill bei der Fabrikatioun vu GaN-op-Si, GaN-op-Saphir oder MicroLED – ass den Waferhalter (heiansdo och e SiC-beschichtete Susceptor genannt) e wichtegen Deel. E sëtzt tëscht dem Heizelement an dem Wafer a geréiert de gréissten Deel vum Wärmetransfer.
Firwat wielen Ingenieuren Semixlab SiC Waferhalter?
● 7-Nine-Reinheet (Gesamtmetaller < 5 ppm) – Mir benotzen e proprietäre CVD-Prozess (entwéckelt vum Prof. Shaolong He), deen Spuermetaller wéi Fe, Cu an Ni ganz niddreg hält. Dat heescht manner Gitterdefekter beim Wuesstum vu sensiblem GaN.
● Gud thermesch Uniformitéit (±1 %) – De CVD SiC-Film huet eng héich thermesch Leetfäegkeet (~300 W/m·K). D'Hëtzt verdeelt sech séier a gläichméisseg, wat hëlleft d'Béiung vun de Waferen an d'thermesch Belaaschtung ze reduzéieren.
● Staark Widderstandsfäegkeet géint H₂- an NH₃-Korrosioun – Am Géigesaz zu blannenem Graphit oder Quarz bleift eis dicht SiC-Beschichtung inert ënner héijen Temperaturen am Ammoniak- a Waasserstoffstréim (900–1200 °C). Manner Partikelverloscht, an den Deel hält 3–5 Mol méi laang.
● CTE-Upassung – Eng speziell Gradienteniwwergangsschicht hält de Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung tëscht der Beschichtung an dem Graphit gutt ofgestëmmt. Keng Delaminatioun oder Rëssbildung, och net bei schnellem Op- an Ofbau.
Spezifikatioune
| Parameter | Typesche Wäert | Firwat Et ass wichteg |
| Beschichtungsmaterial | 99.99999% CVD SiC | Kee Ionenleckage oder Schwéiermetallkontaminatioun |
| Substrat | Isostatesch Grafit mat héijer Dicht | Hält d'Festigkeit bei 1600 °C |
| Wuelhaft Leitung | ~300 W/m·K (bei Raumtemperatur) | Gläichméisseg EPI-Schichtdicke |
| Beschichtung Hardness | ~2500 HV (Vickers) | Widderstand géint Verschleiung duerch automatiséiert Belueden/Entlueden |
| Surface Rauhkeet | Ra < 0.2 μm | Manner Haftung vu Polymeren a Nieweprodukter |
| Kompatibilitéit | personaliséiere kënnt | Präzisioun op Är Ufuerderunge vum Personaliséierungspersonal ugepasst |
Applicatioun
Schlëssel Applikatiounsszenarien
● GaN-op-Si / GaN-op-Saphir-Epitaxie – Wichteg fir Energieversuergungsapparater an RF-Chips, wou déi lokal thermesch Stabilitéit direkt d'elektresch Mobilitéit vun der GaN-Schicht beaflosst.
● MicroLED an fortgeschratt Displays – Braucht ultrahéich Rengheet a ganz wéineg Partikelen, wat eis Halter fir LED-Arrays mat héijer Dicht ubitt.
● SiC-Kristallwuesstum (PVT) – Funktionéiert als héichperformante Träger fir SiC-Quellmaterial a kann Wuestumsraten bis zu ~1.46 mm/h ënnerstëtzen.
● Schnell thermesch Veraarbechtung (RTP) – Den Halter kann extremen thermesche Schock während schnelle Glühzyklen ouni Mikrorëss verkraften.
Kompetitiv Virdeel
Virdeeler vun Semixlab
Mir sinn net nëmmen e Liwwerant – mir probéieren e richtege Partner fir Är Bedierfnesser am Thermoberäich ze sinn. Semixlab gouf vu Fuerscher vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften gegrënnt a mir bedreiwen méi wéi 12 speziell CVD-Produktiounslinnen. Mir hunn och eng intern 5-Achs CNC-Bearbeitung, sou datt mir Waferhalter mat Toleranzen vun bis zu ±0.01 mm hierstelle kënnen. Dat heescht, datt se direkt an Är global Toolsets passen, ouni zousätzlech Upassung.
eis Services
Semixlab Produktshop
