EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC-beschichtete Hallefmoundkomponenten
LPE Half Moon Components si präzis konstruéiert Reaktorkomponenten, déi fir héichtemperatur Halbleiter-Epitaxie-Ëmfeld entwéckelt goufen. Hiergestallt aus héichreinegem isostatesche Graphit a geschützt duerch eng dicht SiC-Beschichtung, spillen dës Komponenten eng entscheedend Roll bei der Optimiséierung vun der thermescher Feldverdeelung, der Stabiliséierung vun der Gasstroumdynamik an der Minimiséierung vun der Partikelkontaminatioun an LPE-, CVD- an MOCVD-Epitaxiesystemer. Hir Hallefmoundgeometrie ass speziell entwéckelt fir d'Prozessuniformitéit ze verbesseren, Randeffekter ze reduzéieren an d'Qualitéit vun der epitaktischer Schicht fir usprochsvoll Uwendungen mat Si-, SiC- a GaN-Materialien ze verbesseren. Mir freeën eis op Är weider Ufro.
Beschreiwung
Dës SiC-beschichtete Hallefmounddeeler si grondsätzlech Präzisiounsgrafitkomponenten, déi an der Héichtemperatur-SiC-Epitaxie benotzt ginn. Wann se an der waarmer Zon vum Reaktor installéiert sinn, hëllefen se d'Kammer stabil ze halen, den thermesche Gläichgewiicht z'erhalen an e konstante Gasfloss iwwer laang Produktiounsläufe z'ënnerstëtzen.
Si gi mat héichreinegem Graphit mat enger dichter CVD SiC-Beschichtung uewendrop hiergestallt. Wann Dir eng Reaktorplattform bedreift, déi mat Epitaxiesystemer vum Typ LPE SpA kompatibel ass, kënnen dës Deeler als direkten Ersatz déngen oder no Bedarf personaliséiert ginn.
Schlëssel ass näischt geschitt
-Héichreine isostatesche Grafitsubstrat
-Dicht CVD SiC Schutzbeschichtung
- Gudde Widderstand géint thermesch Schock
-Gering Partikelbildung am Betrib
- D'Beschichtung hält gutt op
-Funktionéiert gutt fir laangzykleg Epitaxie
Wat liwwere mir?
Mir maachen e puer Reakterdeeler, déi a Kammerstrukture vum LPE-Stil passen:
-Hallefmoundkomponenten
-Schutzdecken
-Deeler vum Flossleiter
-Wafer-Ënnerstëtzungsdeeler
-Schirmréng
-Benotzerdefinéiert Grafitbaugruppen
Fabrikatioun
All Deel gëtt fir d'éischt präzis aus ausgewählte Graphitqualitéiten veraarbecht, dann mat CVD SiC beschichtet a schliisslech op Dimensiounen iwwerpréift. Mir kontrolléieren d'Beschichtungsdicke, den Uewerflächenzoustand an déi kritesch Dimensiounen, fir eng konsequent Leeschtung an Halbleiterproduktiounsëmfeld ze garantéieren.
Service
Mir kënnen hëllefen mat:
-OEM Ersatzproduktioun
-Personaliséierung baséiert op Ären Zeechnungen
-Reverse Engineering vu Beispiller
- Ënnerstëtzung vun der Batchproduktioun
Spezifikatioune
Typesch technesch Parameteren
| Parameter | Typesche Wäert |
| Basis Material | Isostatesche Grafit mat héijer Reinheet |
| zerwéiert | CVD SiC |
| Beschichtungsreinheet | > 99.99999% |
| Dicht (Graphit) | 1.75-1.90 g/cm³ |
| Zesummen Temperatur | bis zu 2000°C+ |
| Beschichtungsdicke | 50 – 200 μm (justierbar) |
| Surface Rauh (Ra) | Kontrolléiert pro Applikatioun |
| Adhäsioun Kraaft | Keng Delaminatioun ënner thermesche Zyklus |
| Chemesche Widderstand | Stabil an H₂- a Si-haltege Gasen |
Applicatioun
Dës Deeler gi wäit verbreet benotzt an:
-SiC Epitaxiereaktoren
-Halbleiter-CVD-Ausrüstung
-Héichtemperatur Kristallwuesstumssystemer
Si si besonnesch gëeegent fir Reaktorplattforme, déi mat LPE SpA Epitaxie-Ausrüstung kompatibel sinn.
eis Services
Semixlab Produktshop
