EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
LED Epitaxie-Susceptor
De Semixlab SiC beschichtete Graphit-Susceptor ass eng präzis konstruéiert Komponent, déi fir fortgeschratt LED-Epitaxie- a MOCVD-Systemer entwéckelt gouf. Gebaut mat engem isostatesche Graphit-Substrat mat héijer Dicht a geschützt duerch eng héichrein CVD-Siliciumcarbid (SiC)-Beschichtung, bitt dëse Susceptor eng stabil thermesch Plattform fir eng eenheetlech Waferheizung a laangfristeg Kammerreinheet ënner extremen Veraarbechtungsbedingungen iwwer 1100°C. All Susceptor ënnergeet enger präziser Bearbechtung an enger Kontroll vun der Beschichtungsuniformitéit, fir eng ultraglat Uewerflächenrauheet ënner Ra 0.2 μm z'erreechen, wouduerch d'Partikelhaftung an d'Gasturbulenz am MOCVD-Reaktor miniméiert ginn. Dësen Design verbessert d'Uniformitéit vun der epitaktischer Schicht, verlängert d'Liewensdauer vun de Komponenten a reduzéiert d'Ënnerhaltsfrequenz. Mir freeën eis op Är weider Ufro.
Beschreiwung
De Semixlab SiC beschichtete Grafit-Susceptor fir LED-Epitaxie huet eng héichdichteg Grafitbasis fir thermesch Stabilitéit an eng dicht CVD SiC Beschichtung (Ra ≤0.2 μm) fir Korrosiounsbeständegkeet. Dës Struktur garantéiert eng eenheetlech Wärmeiwwerdroung, chemesch Inertitéit a laangfristeg Zouverlässegkeet an der LED MOCVD-Epitaxie.
Am Kader vum LED-Epitaxieprozess déngt de SiC-beschichtete Graphit-Susceptor net nëmmen als mechanesche Waferhalter, mä och als dat zentralt thermescht a chemescht Kontrollelement vum MOCVD-System. Hie ass verantwortlech fir d'Iwwerdroe vun der thermescher Energie vum HF- oder resistive Heizmodul an e präzis verdeelt an stabilt Temperaturfeld iwwer verschidde Waferpositiounen. Déi héich thermesch Konduktivitéit an dat optiméiert Emissivitéitsprofil vum Susceptor garantéieren eng konsequent Temperaturuniformitéit tëscht Waferen an bannent de Waferen - eng wesentlech Viraussetzung fir eng enge Kontroll iwwer d'GaN- an AlGaInP-Filmedicke, d'Dotierungsmëttelkonzentratioun an d'Kristallqualitéit z'erreechen.
Gläichzäiteg bitt d'SiC-Beschichtung eng robust chemesch Barrière, déi de Graphit virun der Waasserstoffreduktioun, der Ammoniakkorrosioun a metallorganesche Virleeferreaktiounen schützt. Dëse Schutz verlängert net nëmmen d'Liewensdauer vum Susceptor, mä verhënnert och d'Verëffentlechung vu Kuelestoffspezies, déi déi wuessend epitaktesch Schichten kontaminéiere kéinten oder d'Liichtleistung an de fäerdege LED-Chips verschlechtere kéinten. D'Resultat ass eng méi propper Reaktiounsëmfeld, eng reduzéiert Ënnerhaltsfrequenz an eng verbessert laangfristeg Prozessstabilitéit.
Ausserdeem spillen d'Uewerflächenpräzisioun an d'geometresch Uniformitéit vum Susceptor eng entscheedend Roll fir e konstante Gasfloss an d'Precursorverdeelung an der MOCVD-Kammer ze erhalen. Och subtil Ofwäichungen an der Planaritéit oder der Beschichtungstextur kënnen zu Grenzschichtvariatiounen a lokaliséierten Net-Uniformitéiten vun der Filmdicke féieren. Duerch d'Notzung vun de proprietäre Beschichtungs- an Uewerflächenveraarbechtungstechnologien vu Semixlab erreecht all Susceptor eng aussergewéinlech Flaachheet a Symmetrie, wat eng eenheetlech Gasdynamik, optimal Reaktiounskinetik a widderhuelbar epitaktesch Filmcharakteristike garantéiert.
Am Fong funktionéiert de Semixlab SiC beschichtete Graphit-Susceptor souwuel als Wärmestabilisator wéi och als Kontaminatiounsschëld, wat direkt den LED-Ausbeut an d'Materialqualitéit beaflosst. Säin fortgeschrattene Strukturdesign an d'Beschichtungstechnologie erméiglechen et Hallefleederhersteller, eng méi héich Produktivitéit, eng verbessert Prozessreproduzéierbarkeet a méi niddreg Gesamtbesëtzkäschten a modernen MOCVD-Produktiounslinnen z'erreechen.
eis Services
Semixlab Produktshop
