CVD SiC Beschichtung Hallefmound Grafit Deeler

Semixlab bitt dem Maart exzellent CVD SiC Beschichtung op Hallefmound-Grafitdeeler als Kär-Ënnerstëtzungskomponent vun der Reaktiounskammer. Duerch den duebelen innovativen Design vu Materialien a Strukturen bitt et eng Prozessëmfeld mat héijer Temperatur, héijer chemescher Trägheet a geréngem Verschmotzungsrisiko fir SiC epitaktesch Wuesstem. Et ass zu engem wichtege Verbrauchsmaterial ginn, fir den Engpass vun der Masseproduktioun vu grousse epitaktischen Blieder mat wéineg Defekter ze duerchbriechen.

Am Kär vun der Hallefleiterchipsfabrikatioun bestëmmt d'Stabilitéit vum epitaktischen Wuessprozess direkt d'Leeschtung an den Ausbezug vum Apparat. CVD SiC Beschichtung Hallefmound-Grafitdeeler, als Kärverbrauchsmaterial fir Waferen an epitaktischen Ausrüstung ze droen, léisen duerch den Duerchbroch vu Materialkomposit- a Präzisiounsveraarbechtungstechnologie de Problem vum schnelle Verloscht a Kontaminatioun vu konventionelle Graphitbaugruppen bei héijen Temperaturen (1200-1800 ℃) a staark korrosive Gaser wéi SiH₄/C3H₈/H₂D'Komponent besteet aus engem héichreinegem isostatesche gepressten SGL-Graphitsubstrat mat enger 50μm dichter Siliziumcarbidbeschichtung op der Uewerfläch duerch chemesch Dampfoflagerung (CVD) hiergestallt, wat déi héich Wärmeleitfäegkeet vu Graphit mat der extremer Temperaturbeständegkeet vu Siliziumcarbid kombinéiert. Seng eenzegaarteg Hallefmoundgeometrie (180°±5° Bou, äusseren Duerchmiesser fir 4/6/8 Zoll Ausrüstung) verbessert d'Dickeuniformitéit vun der epitaktischer Schicht op ±1.5% andeems de Flosswee an d'thermesch Feldverdeelung optimiséiert ginn, wärend d'Diffusioun vu Metallongereien (Fe- an Al-Gehalt <0.1ppm) am Graphitsubstrat op de Wafer blockéiert gëtt. D'Defektdicht vun der epitaktischer Schicht gëtt op manner wéi 0.05 cm reduzéiert.^-2.

Gréissten:

6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll.

SiC epitaktesch Schichtwuesstumsgrafitsusceptor.

Gasinlaafdiversioun a thermesch Feldkontroll an engem SiC epitaktischen Wuesstumsuewen.

Aktuell gëtt d'Technologie an der grousser Epitaxie-Produktiounslinn fir Siliziumwafer vun de féierende Hallefleederhersteller a China ugewannt, wouduerch den duerchschnëttleche Rendement vu SiC MOSFET-Bauelementer vun 90% op 98% eropgaangen ass an d'Epitaxie-Käschte vun engem eenzegen Uewen ëm 40% reduzéiert ginn. An Zukunft, mat der Beschleunegung vum 8-Zoll SiC-Wafer-Produktiounsprozess, wäert déi integréiert Innovatioun vun der Gradienten-Kompositbeschichtung (SiC/Si₃ N₄) an dem intelligenten Thermomanagementmodul d'Komponent dozou bréngen, e méi zentralen Industriewäert an Ultrahochspannungsapplikatiounen wéi der Loft- a Raumfaart an dem elektresche Undriff vun neien Energiefahrzeuge ze spillen.

Virdeel Leeschtung:

An der praktescher Uwendung vum epitaktischen Ausdehnung vu SiC weist d'Komponent vill méi Leeschtungsvirdeeler wéi traditionell Materialien: Siliziumcarbidbeschichtung mat enger Wärmeschockzykluskapazitéit vu méi wéi 1000 Mol (vun Raumtemperatur bis 1800 ℃ plötzlecher Ännerung), eng kontinuéierlech Liewensdauer vu méi wéi 2000 Stonnen (am Verglach mat onbeschichtetem Graphit, dat 5 Mol méi héich ass). Zousätzlech ass den Wärmestäerkungsausdehnungskoeffizient (4.5 × 10^-6/K) passt gutt mam Graphitsubstrat (4.8×10^-6/K), wat effektiv Rëssbildung vun der Beschichtung a Partikeloffäll, déi duerch héijen Temperaturstress verursaacht ginn, vermeit a kee Verschmotzungsrisiko am epitaktischen Wuesstumsuewen garantéiert.

Präzisiounsstrukturdesign: Hallefmound-Féierungsstruktur optimiséiert d'Gasverdeelung, reduzéiert Turbulenzen a lokal Iwwerhëtzung.

Extrem Ëmweltadaptatioun: β-SiC Beschichtung ass resistent géint Héichtemperaturoxidatioun a Plasmaerosioun, an hir Liewensdauer gëtt ëm méi wéi 3 Mol verlängert.

Thermesch Felduniformitéit: Wärmeleitfäegkeet 300W/m·K, CTE a Graphitsubstrat passen zesummen, vermeit thermesch Spannungsrëss.

Komplette Prozessservice: Ënnerstëtzung fir Substratveraarbechtung, Beschichtungsoflagerung, Performance Tester, Liwwerung aus enger eenzeger Stopp.