SiC beschichtete Grafithalter fir ICP

Multi-Wafer Si epitaktesch Veraarbechtungsplattform

De Semixlab SiC beschichtete Grafithalter fir ICP ass speziell fir induktiv gekoppelt Plasmaätzen an -oflagerung entwéckelt. En benotzt en héichreinege Grafitsubstrat a Kombinatioun mat engem Siliziumcarbid-Beschichtungsprozess fir eng exzellent Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an Oxidatiounsbeständegkeet ze bidden. En ass gëeegent fir haart analytesch Ëmfeld, verlängert d'Liewensdauer vun de Komponenten däitlech an reduzéiert d'Ënnerhaltskäschten. Gläichzäiteg garantéiere mir eng strikt Qualitéitskontroll, personaliséiert Servicer a séier Liwwerung.

Applikatioun:

SiC-beschichtete Graphithalter ass eng Schlësselkomponent an induktiv gekoppelte Plasma- (ICP) Ätzungs- a Depositiounsprozesser fir Hallefleiter wéinst senger héijer Rengheet, héijer Temperaturbeständegkeet an exzellenter Plasmaerosiounsbeständegkeet.

Servicer déi geliwwert kënne ginn:

Client Applikatioun Szenario Analyse, passende Materialien, technesch Problemléisung.

Firma Profil:

Semixlab huet 2 Laboratoiren, en Team vun Experten mat 20 Joer Materialerfahrung, mat R&D a Produktioun, Testen a Verifizéierungsfäegkeeten.

technesch Parameter

Main Applikatioun Felder

Genehmegung vun der Verifizéierung vun der ökologescher Ketten

D'Verifizéierung vum Semixlab SiC beschichteten Grafithalter fir d'ökologesch Ketten vun ICP deckt d'Rohmaterialien bis zur Produktioun of, huet eng international Standardzertifizéierung bestanen an huet eng Rei vu patentéierte Technologien fir seng Zouverlässegkeet an Nohaltegkeet an de Beräicher Hallefleeder an nei Energien ze garantéieren.

Fir detailléiert technesch Spezifikatiounen, Whitepaperen oder Beispiller vun Testarrangementer, kontaktéiert w.e.g. eisen techneschen Supportteam fir erauszefannen, wéi Semixlab Är Prozesseffizienz verbessere kann.

Virdeeler vum Semixlab SiC beschichteten Grafithalter fir ICP Kär

Super Korrosiounsbeständegkeet

SiC-beschichtete Graphithalter benotzen e chemesche Gasoflagerungsprozess fir eng dicht Schutzschicht aus Siliziumcarbid op der Graphituewerfläch ze bilden, déi effektiv géint Korrosioun duerch staark Säuren, Basen an organesche Léisungsmëttel widderstoe kann. Am Verglach mat traditionelle Graphit- oder Metallhalter sinn dës Halter méi stabil beim Ëmgang mat héich korrosiven Proben a verhënneren Kontaminatioun duerch Materialdegradatioun. Si si besonnesch gëeegent fir ICP-Uwendungen, déi eng laangfristeg Belaaschtung duerch korrosiv Medien involvéieren.

Héich Temperatur Stabilitéit

An der Héichtemperatur-ICP-Plasmaëmfeld oxidéiert an ofgebaut normal Graphit liicht, awer d'SiC-Beschichtung hemmt d'Reaktioun tëscht dem Graphitsubstrat a Sauerstoff däitlech. Seng Héichtemperaturbeständegkeet garantéiert, datt den Halter seng strukturell Integritéit ënner laangfristege Betribsbedingungen mat héijen Temperaturen behält, wouduerch eng Verschlechterung vun der Instrumenteleistung duerch thermesch Deformatioun oder Materialverloscht verhënnert gëtt. Et ass besonnesch gëeegent fir déi kontinuéierlech Testbedürfnisser vun Héichdurchsatzlaboratoiren.

Héich mechanesch Kraaft

SiC huet eng Häert, déi no bei där vum Diamant läit, a seng Beschichtung verbessert d'Verschleißbeständegkeet vun der méi haarder Uewerfläch däitlech. Bei ICP reduzéieren SiC-Beschichtungen den Uewerflächenverschleiß an erhéijen d'Prezisioun vun der Passform vun de Schlësselkomponenten, wouduerch eng stabil Ionentransmissiounseffizienz erhale bleift an d'Ersatzfrequenz reduzéiert gëtt.

Präissverwierklech

Am Verglach mat purem SiC oder Platin behält SiC-beschichtete Graphit eng exzellent Leeschtung a reduzéiert d'Käschten ëm 30% - 50%. Seng Liewensdauer ass 3-5 Mol sou laang wéi déi vun normale Graphithalter, wat d'Ausfallzäit an d'Verbrauchsmaterialien däitlech reduzéiert. Et ass eng optimal käschtegënschteg Léisung, besonnesch fir Laboratoiren mat limitéierte Budgets, déi e laangfristege stabile Betrib erfuerderen.