Feste SiC-Träger

De Solid SiC Carrier vu Semixlab benotzt héichreinege Singlekristall-SiC als Substrat a bildt eng nanoskala SiC-C Komposit-Schutzschicht op der Uewerfläch duerch e patentéierte Beschichtungsprozess, deen d'Leeschtungsgrenz vum Trägermaterial op molekularem Niveau rekonstruéiert. Seng exzellent Leeschtung baséiert op der eenzegaarteger Kristallstruktur a kovalenter Bindungseigenschaften vu SiC.

Materialseigenschaften

● Extrem héich thermesch Stabilitéit a Temperaturbeständegkeet: SiC weist eng exzellent Stabilitéit bei héijen Temperaturen op a kann stabil an enger oxidéierender Ëmwelt bis zu 1600°C funktionéieren, a seng Sublimatiounstemperatur kann souguer ongeféier 2700°C erreechen. Dëst mécht SiC-Träger zu enger idealer Wiel fir epitaktesch Wuesstem bei héijen Temperaturen, Glühen an aner Prozesser, déi d'Toleranz vun traditionelle Materialien wäit iwwerschreiden.

● Excellent Wärmeleitfäegkeet: D'Wärmeleitfäegkeet vu SiC bei Raumtemperatur ass bis zu 120 W/m·K héich, wat dräimol sou héich ass wéi déi vu Silizium (Si). Eng héich Wärmeleitfäegkeet garantéiert, datt de Wafer um Träger eng gläichméisseg Temperaturverdeelung bei Héichtemperaturprozesser erreeche kann, wouduerch d'Uniformitéit vun der Wuessqualitéit vun der epitaktischer Schicht garantéiert gëtt an d'Verzerrung a Spannung reduzéiert ginn.

● Excellent mechanesch Stäerkt an Häert: SiC huet eng extrem héich Häert (Mohs-Häert 9.0-9.5, Vickers-Häert 32 GPa), déi nëmmen no Diamant déi zweetgréisst ass, souwéi en héije Young-Modul (440 GPa) an eng héich Biegefestigkeit (490 MPa). Dëst mécht den SiC-Träger extrem resistent géint Verschleiung a Verformung bei mechaneschen Impakter an héijer Intensitéit, wat seng Liewensdauer effektiv verlängert.

Firwat soll een de Solid SiC Carrier vu Semixlab wielen?

● Fuerschungs- a Entwécklungs- a Produktiounskapazitéiten: Semixlab huet 2 Fuerschungs- a Entwécklungszentren, 2 Produktiounsbasen, 12 Produktiounslinnen, méi wéi 150 Mataarbechter, an Investitioune a Fuerschung a Entwécklung maachen iwwer 30% aus. Et huet d'Fäegkeet, all Joer Zéngdausende vu SiC-Produkter ze produzéieren.

● Technesch Virdeeler: Onofhängeg Entwécklung vu CVD-Ausrüstung a Formelen, Ënnerstëtzung vu reinegem CVDSiC, TaC an aner Beschichtungen a feste SiC-Materialien, CNC-Präzisiounskontroll kann 3μm erreechen, Äschegehalt ass manner wéi 5ppm, an d'Produktleistung ass brancheféierend.

● Komplett Versuergungssystem: Semixlab huet eng onofhängeg Siliziumkarbidmaterialsyntheselinn an eng Präzisiouns-CNC-Veraarbechtungsplattform, déi Ø4" ~ Ø12" a personaliséiert Gréissten ubidden kann, eng séier Liwwerung ënnerstëtzt an sech un Mainstream-Ausrüstungsmarken wéi Veeco, AIXTRON an Applied Materials upasse kann.

● Personnaliséierung a One-Stop-Service: Jee no de Bedierfnesser vum Client kënne mir komplett Prozessservicer ubidden, vun der Materialauswiel, Fuerschung an Entwécklung, Pilotprojet bis zur Masseproduktioun, fir verschidde Bedierfnesser vun der High-End-Hallefleederproduktioun ze erfëllen.

● Internationale Maart a Clientèle: Semixlab huet eng laangfristeg Kooperatioun mat méi wéi 30 Wafer-Produktiouns- a Compound-Hallefleeder-Clienten am In- an Ausland opgebaut, dorënner Mini-LED-, SiC-Energiegerät-, MEMS- an HF-Geräterhiersteller.

Fest SiC-Träger ass mat senge exzellente Materialeegeschaften a Prozessleistung zu engem wichtege Verbrauchsmaterial an de Beräicher Hallefleeder-Epitaxie, Verpackung, Energieversuergungsgeräter etc. ginn. Semixlab ass e vertrauenswürdege Partner, deen héichqualitativ an effizient SiC-Trägerléisungen u weltwäit Clienten ubitt mat senge staarke Fuerschungs- an Entwécklungs-, Produktiouns- a Personaliséierungsfäegkeeten.

Spezifesch Uwendungen an der Hallefleederproduktioun

Déi exzellent Leeschtung vum Solid SiC Carrier mécht en zu enger onverzichtbarer Roll an enger Villfalt vu wichtege Prozesser fir d'Produktioun vu Hallefleeder, besonnesch gëeegent fir Verbindungen mat extrem héijen Ufuerderungen un Temperatur, Rengheet, Uniformitéit a mechanesch Stabilitéit. Déi heefeg Uwendungsszenarie sinn wéi follegt:

1. Epitaxie

MOCVD-Epitaxie: De SiC-Träger ass den Haaptkomponent vum Wuesstum vu GaN, GaAs, SiC an aner Verbindungs-Hallefleederfilmer an MOCVD-Ausrüstung, wéi z. B. Barrel-Susceptor- a Pancake-Susceptor-Träger. Seng héich Wärmeleitfäegkeet garantéiert d'Temperaturuniformitéit an der Reaktiounskammer, wat entscheedend fir d'Uniformitéit vun der Filmdicke, der Zesummesetzung an dem Dotieren ass; seng héich Rengheet a chemesch Inertitéit vermeiden effektiv Kontaminatioun duerch Ongereinheeten a garantéieren déi elektresch an optesch Eegeschafte vun der epitaktischer Schicht, besonnesch bei der Fabrikatioun vun LEDs, Leeschtungselektronik a Radiofrequenzgeräter.

SiC-Epitaxie: An der SiC-Energieversuergungsproduktioun si SiC-Träger ideal Plattforme fir den epitaktischen Wuesstum vu SiC-Waferen. Den thermeschen Ausdehnungskoeffizient, deen dem vu SiC-Waferen perfekt entsprécht, reduzéiert effektiv d'Spannung, déi duerch Temperaturännerungen während dem Epitaxieprozess verursaacht gëtt, wouduerch d'Defektquote reduzéiert gëtt an d'Qualitéit vun der epitaktischer Schicht verbessert gëtt.

Siliziumbaséiert Epitaxie: A fortgeschrattene Siliziumprozesser kënnen SiC-Träger och a bestëmmte Silizium-Epitaxieprozesser benotzt ginn, déi méi héich Temperaturuniformitéit a Rengheetsufuerderunge erfuerderen.

2. Annealing

Héichtemperaturaktivéierungsglühung: No der Ionenimplantatioun ginn SiC-Träger an Héichtemperaturglühprozesser fir Silizium- oder SiC-Waferen agesat, fir déi implantéiert Dotiermaterialien z'aktivéieren a Gitterschieder ze reparéieren. Déi héichtemperaturstabilitéit an déi gläichméisseg Heizkapazitéit vun de SiC-Träger garantéieren d'Effizienz vum Glühprozess an d'Integritéit vum Wafer.

RTP-Träger (Rapid Thermal Annealing): An Ausrüstung fir séier thermesch Glühung kënnen SiC-Träger den haarde thermesche Zyklen vun der schneller Erhëtzung a Killung standhalen a strukturell Stabilitéit behalen, wat fir fortgeschratt Prozesser wéi Flash-Glühung gëeegent ass.

3. Ion Implantatioun

Dotier- a Reparaturträger: SiC-Träger gi benotzt fir Waferen während der Ionenimplantatioun ze fixéieren. Hir héich mechanesch Stäerkt a Verschleißbeständegkeet garantéieren Stabilitéit ënner Ionenstrahlbombardement. Gläichzäiteg reduzéieren hir niddreg Partikelgeneratiounseigenschaften och d'Kontaminatioun während dem Implantatiounsprozess.

4. Aner Uwendungen

Ätzprozess: Bei verschiddenen ICP- (induktiv gekoppelte Plasma-) Ätzprozesser oder PSS- (gemusterte Saphirsubstrat-) Ätzprozesser ginn SiC-Träger als Wafer-Fixéierungsarmaturen oder Substrater benotzt wéinst hirer Resistenz géint Plasmakorrosioun a gerénger Partikeleigenschaften.

Héichreinheetsuewenréier/-Booter: A verschiddenen héichreinheets Diffusiouns- oder Oxidatiounsuewen ginn SiC-Materialien och zu Uewenréier oder Wafer-Booter veraarbecht, fir eng extrem propper Prozessëmfeld ze bidden.