SiC beschichtete Set-Disc

SiC beschichtete Set Disc Zesummesetzung

D'Semixlab SiC Coated Set Disc ass e Waferträger, deen fir Aixtron MOCVD-Ausrüstung entwéckelt gouf. Si besteet haaptsächlech aus de folgenden zwou Deeler:

1. Substratmaterial: héichreine isostatesche Graphit

Materialeigenschaften: extrem héich Wärmeleitfäegkeet (bis zu 180 W/m·K), staark Stabilitéit bei héijen Temperaturen, net einfach ze deforméieren oder ze räissen.

Virdeeler: Bitt eng gutt thermesch Uniformitéit a strukturell Stäerkt fir Waferen, wat eng wichteg Basis ass fir d'Konsistenz vum Wuesstumsprozess ze garantéieren.

2. Uewerflächenbeschichtung: CVD-Oflagerung vun héichreinegem SiC (Siliziumkarbid)

Oflagerungsmethod: Plasma-verstäerkt CVD oder thermesch CVD-Prozess gëtt benotzt, an d'Beschichtungsdicke gëtt tëscht 50–200 μm kontrolléiert.

Beschreiwung vun der Eegeschafte: D'Uewerflächeschicht ass dicht a porenfräi, mat enger mechanescher Stäerkt vun enger Mohs-Härheet no bei 9, an ass extrem resistent géint Korrosioun an Héichtemperaturschlag.

Firwat wielt Semixlab?

Wann Dir sicht no:

● Héichleistungs-SiC-beschichtete Setscheif fir Aixtron-Systemer.

● Carrier-Léisungen, déi personaliséiert Gréissten, Renovatiounsservicer a Korrosiounsëmfeld mat héijen Temperaturen ënnerstëtzen.

● Héichqualitativ Komponenten, déi d'MOCVD-Ausbezuelung verbesseren an d'Prozessstabilitéitszyklen verlängeren.

Kontaktéiert eis elo fir déi aktuellst Offer an technesch Spezifikatiounen ze kréien. Mir bidden global Liwwerung an techneschen Support, fir Iech ze hëllefen, séier an Är Produktiounslinn ëmzesetzen.

Analyse vun de wichtegste physikalesche Eegeschaften

1. Héich Temperaturbeständegkeet

Déi iewescht Grenz vun der Betribstemperatur kann 1600°C+ erreechen. D'Beschichtungsstruktur wäert net duerch thermesch Belaaschtung bréchen oder ofblätteren a kann enger laangzyklischer MOCVD-Reaktiounsumgebung standhalen.

2. Wärmeleitfäegkeet an thermesch Uniformitéit

D'Kombinatioun vu Substrat + Beschichtung mécht d'Wärmeleitung méi effizient a vermeit Wafer-Wuesstumsdefekter, déi duerch ongläichméisseg Hëtzt verursaacht ginn. Déi konsequent Wärmeleitung garantéiert eng gläichméisseg Verdeelung vun der Oflagerungsdicke an der Zesummesetzung a verbessert d'Ausbezuelung.

3. Chemesch Korrosiounsbeständegkeet

D'Beschichtung kann effektiv géint héich korrosiv MOCVD-Prozessgaser wéi Waasserstoff, Ammoniak, TMGa an TMAl widderstoen. D'Material selwer huet eng héichdicht β-SiC-Struktur a bal keng Niewereaktioune mam Reaktiounsgas geschéien.

4. Kontroll vun Uewerflächenpartikelen

D'Beschichtungsoberfläche huet eng niddreg Rauheet (Ra<0.5μm) a léisst sech net einfach Partikelen adsorbéieren oder ofschielen. Reduzéiert d'Kontaminatioun duerch Prozessmikropartikelen, besonnesch gëeegent fir grouss Waferprozesser vun 6 Zoll a méi.

Produktapplikatiounsszenarien an hir Funktiounen

1. Speziell fir d'Struktur vum Aixtron Planetary Reactor entwéckelt

Uwendbar op d'Reaktiounskummeren vu planetaresche Drehtischstrukturen wéi AIX 200 an AIX 2800G4.

D'Scheifstruktur ass präzis entwéckelt fir d'thermesch Symmetrie an d'Loftflossgläichgewiicht vum Wafer während der Rotatioun ze garantéieren.

2. Wichteg Roll an der Epitaxie vu Verbindungshalbleiter

Uwendbar op MOCVD epitaxial Wuesstem vu verschiddenen III-V Verbindungsmaterialien, dorënner awer net limitéiert op:

● GaN/AlGaN: fir LEDs, Laser, Stroumversuergungsapparater.

● AlN, InGaN: fir UV-LEDs an Héichfrequenzapparater.

● GaAs/InP-Epitaxie: fir elektronesch Apparater mat héijer Geschwindegkeet a Laserkommunikatiounschips.

Kette vun der Epitaxie-Industrie fir Hallefleiterchips:

Semixlab SiC beschichtete Set Scheiwengeschäfter