8-Zoll TaC beschichtete Loftflotttablett fir SiC Epitaxie

Den 8-Zoll TaC-beschichteten Loftflottschacht ass eng kritesch Komponent a Multi-Wafer SiC-Epitaxieprozesser, entwéckelt fir Siliziumcarbid-Waferen während dem epitaktischen Wuesstum z'ënnerstëtzen an ze transportéieren. An der usprochsvoller Ëmwelt vun SiC-Epitaxieuewen mussen d'Schachten extrem héijen Temperaturen, korrosive Gasen a laange Veraarbechtungszyklen standhalen. Duerch d'Kombinatioun vun der CVD-TaC-Beschichtung mat héichreine Graphitsubstrater garantéiert dësen Loftflottschacht eng iwwerleeën Haltbarkeet, thermesch Stabilitéit a Prozessuniformitéit - wat en zu engem essentiellen Element an der SiC-Waferproduktioun a grousse Volumen mécht.

Ⅰ. Materialzesummesetzung a physikalesch Eegeschaften

Den TaC-beschichteten Loftfloatschacht integréiert fortgeschratt Materialien fir souwuel mechanesch Robustheet wéi och chemesch Resistenz z'erreechen, déi an der Hallefleederepitaxie erfuerderlech sinn:

●Substratmaterial: Héichreine Graphit-Susceptor (extra-niddregen Unreinheetsgehalt, héich Wärmeleitfäegkeet)

● Uewerflächenschutzschicht: CVD TaC Beschichtung (Tantalkarbid) iwwer chemesch Gasoflagerung fir extrem Verschleiungs- a Korrosiounsbeständegkeet

Schlësselphysikalesch Eegeschaften:

TaC-Beschichtungsreinheet: ≥ 99.99%

Härte (HK): ~2000 HK

Schmelzpunkt: ~3,880 °C

Wärmeleitfäegkeet: Excellent, garantéiert eng eenheetlech Waferheizung

Resistenz géint Halogenkorrosioun: Aussergewéinlech Stabilitéit an epitaktischen Ëmfeld mat vill Chlor a Fluor

Basisgrafitdicht: ~1.85–1.95 g/cm³

Aarbechtstemperatur: Bis zu 2,000 °C a kontrolléierten Ëmfeld

Dës Eegeschafte garantéieren, datt den 8-Zoll TaC-beschichteten Tray laangen epitaktischen Laf standhält, während d'Partikelbildung a Waferkontaminatioun miniméiert ginn.

Ⅱ. Schlësselfunktiounen an der SiC-Epitaxie

Eis 8-Zoll TaC-beschichtete Schacht spillt eng wichteg Roll am Epitaxieprozess vum Halbleiter-SiC andeems se verschidde kritesch Funktiounen ausféiert:

● Uniform Temperaturverdeelung: Déi héich Wärmeleitfäegkeet vum Graphitsubstrat an der TaC-Beschichtung garantéiert eng exzellent Wärmeiwwerdroung an eng eenheetlech Temperatur iwwer all SiC-Wafers. Dës Eenheetlechkeet ass entscheedend fir eng konsequent epitaktesch Schichtdicke a Morphologie z'erreechen.

● Schutz géint Ätzen a Kontaminatioun: Déi chemesch inert TaC-Beschichtung verhënnert effektiv, datt de Graphitsubstrat mat Virleefergaser reagéiert, wat zu Ätzung a Partikelkontaminatioun féiere kann. Dëse Schutz ass de Schlëssel fir eng propper Prozessëmfeld z'erhalen an eng héich Wafer-Ausbezuelung ze garantéieren.

● Verlängert Liewensdauer: Déi haltbar TaC-Beschichtung verlängert d'Liewensdauer vum Susceptor däitlech, andeems se de Graphit viru Verschleiung a chemescher Degradatioun schützt, d'Heefegkeet vum Ersatz reduzéiert an d'Betribskäschte senkt.

● Loftschwëmmer-Design: Den eenzegaartegen Loftfloat-Design miniméiert de physikalesche Kontakt tëscht dem Susceptor an der Kammer, reduzéiert d'Reibung an verhënnert potenziell Partikelbildung, déi d'Waferen kontaminéiere kéinten. Dëst Design ass de Grond, firwat et och als TaC-beschichteten Loftfloat-Tray bekannt ass.

Virdeeler vun Semixlab

Bei Semixlab gi mir iwwer Standardprodukter eraus, fir personaliséiert Léisungen ze bidden, déi den spezifesche Bedierfnesser vun Ärem Epitaxieprozess gerecht ginn.

● Personnalisatioun: Mir bidden ëmfangräich Personnalisatiounsoptiounen, dorënner verschidde Formen, Gréissten a Beschichtungsdicken, fir perfekt op Är Reaktorspezifikatiounen an Prozessufuerderungen unzepassen.

● Expert Technesch Berodung: Eis Equipe vun erfuerene Ingenieuren bitt eng detailléiert technesch Ënnerstëtzung a Berodung, fir Iech ze hëllefen, Äre Prozess ze optimiséieren an eis Produkter nahtlos z'integréieren.

●Grond Tester virum Versand: All TaC-beschichtete Plack gëtt extremen Konditiounstester ënnerworf, ier se verschéckt gëtt. Mir iwwerpréiwen hir Leeschtung an Integritéit bei héijen Temperaturen an a chemesch aggressiven Ëmfeld, fir sécherzestellen, datt se Är usprochsvoll operationell Ufuerderungen erfëllt.