all Kategorie
CVD Tantalkarbid (TaC) Beschichtung

CVD Tantalkarbid (TaC) Beschichtung

Doheem> Produiten > CVD Beschichtung > CVD Tantalkarbid (TaC) Beschichtung

Poréis Tantalkarbid TaC beschichtete Grafit
Tantalkarbid TaC beschichtete poröse Grafit
Poréis Tantalkarbid TaC beschichtete Grafit
Tantalkarbid TaC beschichtete poröse Grafit

Poréis Tantalkarbid (TaC) beschichtete Grafit


Semixlab Porous TaC Coated Graphite kombinéiert héichreine Graphitsubstrater mat fortgeschratt TaC-Beschichtungstechnologie a liwwert aussergewéinlech thermesch Stabilitéit, chemesch Resistenz a kontrolléiert Porositéit. Entworf fir SiC-Kristallwuesstum an Hallefleeder-Epitaxie, garantéiert et eng zouverlässeg Leeschtung ënner extremen Héichtemperaturëmfeld.

Beschreiwung

Wann Dir jeemools e SiC-Kristallwuesstumsuewen bedriwwen hutt, wësst Dir, datt den Tiegel an déi ëmleiend Deeler staark belaascht ginn. Héich Temperaturen, Siliziumdamp, thermesch Zyklen - et ass eng haart Ëmwelt. Eng Komponent, déi dacks iwwersinn gëtt, awer eng grouss Roll spillt, ass den Tableau, deen ënner allem steet. Bei Semixlab maache mir dësen Tableau aus porösem Graphit a beschichten en dann mat Tantalcarbid (TaC) iwwer CVD. Firwat? Well einfache Graphit net laang géint Siliziumkorrosioun hält, an eng volldicht Keramik de Gasfloss stéiere kann. Déi poréis Struktur gëtt Iech eng kontrolléiert Permeabilitéit fir den Dampftransport, während d'TaC-Beschichtung Iech eng robust, chemesch inert Uewerfläch gëtt, déi net mam Silizium reagéiert oder ofgefallene Partikelen ofgëtt.

Produkt Features

● Fortgeschratt TaC-Beschichtung fir Uwendungen mat ultrahéijen Temperaturen

● Optiméiert poréis Struktur fir d'Reguléierung vun der thermescher Feld

● Verbessert SiC-Kristallqualitéit duerch Kontaminatiounskontroll

● Excellent Widderstandsfäegkeet géint thermesch Schock

● Personaliséiert Design fir verschidde Wuesstemssystemer

Schematesch Diagramm vu porösem Tantalkarbid TaC

1

Virreaktiounsmaterial

Typesch physesch Eegeschafte vu porösen Grafit
ltem Parameter
D 'Haaptdicht 0.89 g / cm2
Kraaftkraaft 8.27 MPa
Biegefecht 8.27 MPa
Kraaftstäerkt 1.72 MPa
Spezifesch Resistenz 130Ω-anX10-5
Porositéit 50%
Duerchschnëtt Pore Gréisst 70um
Thermescher Conduktivitéit 12 W/M*K

Wou benotzen d'Leit dës Tafel?

● SiC Eenzelkristallwuesstem (PVT)

● Komponenten vum Hallefleiter-Thermofeld

● Epitaxie a fortgeschratt Materialveraarbechtung

Firwat Semixlab?

Mir sinn keng generesch Bearbeitungswerkstatt. Mir spezialiséieren eis op Thermofeldmaterialien fir Compound-Hallefleeder. Mir schaffen zënter Jore mat SiC-Produzenten zesummen, dofir verstinn mir d'Schmerzpunkten - Dampkorrosioun, Beschichtungshaftung, thermesch Uniformitéit. Eise CVD-Prozess gëtt streng kontrolléiert, a mir maachen eng komplett Inspektioun vun all Charge. Zousätzlech bidden mir séier Prototyping a weltwäite Versand, sou datt Dir net Méint op en Testdeel waart.

Spezifikatioune
Physikalesch Eegeschafte vun TaC Beschichtung
Dicht 14.3 (g/cm³)
Spezifesch Emissioun 0.3
Thermesch Erweiderungskoeffizient 6.3*10-6/K
Hardness (HK) 2000 HK
Resistenz 1 × 10-5 ohm*cm
Thermesch Stabilitéit <2500 ℃
Graphite Gréisst Ännerungen -10-20 Uhr
Schichtdicke ≥20um typesche Wäert (35um±10um)
FAQ

1. Wat ass et?

Eng poréis Graphitschacht, déi mat TaC beschichtet ass, déi a SiC-Wuesstumsuewen benotzt gëtt.

2. Firwat TaC amplaz vu blannen Graphit?

Vill besser Resistenz géint Siliziumdamp, manner Partikeloffäll, méi laang Liewensdauer.

3. Firwat poréis?

Hëlleft bei der Gasdiffusioun an der Temperaturverdeelung – gëtt Iech eng méi stabil Wuestumsëmfeld.

4. Kënnt Dir et no Mooss maachen?

Jo – Dimensiounen, Porositéit, Beschichtungsdicke a Geometrie, déi zu Ärem Uewen passen.

eis Services

Semixlab Produktshop

semixlab-Produkter-Lager

Ëmfro

Hot Kategorien