EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
8-Zoll SiC beschichtete Graphitring fir SiC Epitaxie
De 8-Zoll SiC-beschichtete Graphitrank ass eng kritesch Komponent, déi a SiC-epitaxialen Wuesssystemer benotzt gëtt a speziell fir héich performant Uwendungen a MOCVD- a CVD-Reaktoren entwéckelt gouf. Dëse präzis konstruéierte Rank, hiergestallt vu Semixlab, kombinéiert déi iwwerleeën thermesch Stabilitéit vu Graphit mat héijer Rengheet mat der aussergewéinlecher chemescher Inertitéit vun enger CVD-Siliciumcarbid (SiC)-Beschichtung, wat Haltbarkeet a konsequent Leeschtung an usprochsvollen Hallefleederëmfeld garantéiert. Mir freeën eis op Är weider Berodung.
Beschreiwung
Material a physikalesch Charakteristiken
De SiC-beschichtete Graphitring vu Semixlab gëtt aus isostateschem Graphit als Basismaterial hiergestallt, gefollegt vun enger eenheetlecher SiC-Beschichtung duerch chemesch Dampfoflagerung (CVD). Dës eenzegaarteg Struktur bitt e Gläichgewiicht tëscht Stäerkt, Präzisioun a Resistenz géint haart Prozessbedingungen.
Spezifikatioune
| Physikalesch Eegeschafte vum isostatesche Grafit | ||
| Property | Eenheet | Typesche Wäert |
| Bulk Dicht | g / cm³ | 1.83 |
| Hardness | HSD | 58 |
| Elektresch Resistivitéit | μΩ.m | 10 |
| Flexural Kraaft | MPa | 47 |
| Kompressive Kraaft | MPa | 103 |
| Kraaftstärkt | MPa | 31 |
| Young säi Modul | GPa | 11.8 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Thermesch Leitung | W·m-1·K-1 | 130 |
| Duerchschnëtt Grain Gréisst | μm | 8-10 |
| Porositéit | % | 10 |
| Äschen Inhalt | ppm | ≤5 (nach gereinegt) |
Applicatioun
Uwendungen am SiC-Epitaxieprozess
Am SiC-epitaxialen Wuessprozess déngt de SiC-beschichtete Graphitrank als strukturell a funktionell Grenzflächenkomponent tëscht dem Wafer, dem Susceptor an aneren Graphitdeeler an der MOCVD- oder CVD-Reaktiounskammer. Seng Leeschtung beaflosst direkt d'Qualitéit vun der epitaktischer Schicht, d'Filmuniformitéit an d'allgemeng Reaktorstabilitéit - all kritesch Parameter fir d'Fabrikatioun vun héichwäertege SiC-Energieversuergungsapparater.
1. Waferënnerstëtzung an Ausriichtung
De Graphitrank ass präzis veraarbecht fir eng korrekt Waferzentréierung an eng sécher Plazéierung bei epitaktischer Oflagerung bei héijen Temperaturen ze garantéieren. Seng dimensional Stabilitéit ënner thermescher Belaaschtung hält déi korrekt Waferausrichtung oprecht a verhënnert d'Kanteverzerrung, wouduerch e konsequent Schichtwuesstum iwwer d'Waferuewerfläch garantéiert gëtt.
2. Uniform thermesch Verdeelung
Wärend der SiC-Epitaxie ass et essentiell, en eenheetleche Temperaturgradient iwwer de ganze Wafer ze halen, fir eng konsequent Filmdicke an Dotierungskonzentratioun z'erreechen. De SiC-beschichtete Rank hëlleft beim thermesche Lastausgläich andeems en d'Hëtzttransfer tëscht dem Susceptor an dem Waferrandberäich verbessert, Hotspots reduzéiert an eng eenheetlech epitaktesch Schichtbildung garantéiert, och bei erhéichten Temperaturen iwwer 1600°C.
3. Prozess Ëmweltschutz
Onbeschichtete Graphitkomponenten si ufälleg fir chemesch Erosioun a Partikelemissioun a reaktiven epitaktischen Atmosphären, déi Gase wéi H₂, SiH₄ a C₃H₈ enthalen. D'CVD SiC Beschichtung um Rank wierkt als Schutzbarriär, déi de Graphitsubstrat vu korrosive Gase isoléiert, sou datt d'Kontaminatioun duerch Ongereinheeten miniméiert gëtt a verhënnert gëtt, datt Kuelestoffpartikelen an d'Wuesstumszon kommen. Dëst resultéiert an enger verbesserter Waferoberflächenreinheet an engem méi héije Geräterausbezuch.
4. Reduktioun vun de Randeffekter an Optimiséierung vum Gasfloss
An fortgeschrattene 8-Zoll SiC-Epitaxiesystemer ass d'Kanteuniformitéit dacks eng Schlësselprozess-Erausfuerderung. De SiC-beschichtete Graphitrank hëlleft de laminare Gasstroum no beim Waferrand ze stabiliséieren, turbulent Zonen ze vermeiden an eng kontrolléiert Grenzschichtëmfeld ze garantéieren. Dës optiméiert Gasstroumverdeelung dréit zu enger verbesserter Kontroll vun der Kantepitaxialdicke bäi, reduzéiert Materialverschwendung a garantéiert eng héichqualitativ Schichtoflagerung och op Wafere mat groussem Duerchmiesser.
5. Kompatibilitéit mat verschiddene Reaktordesignen
D'SiC-beschichtete Graphitréng vu Semixlab sinn entwéckelt fir Kompatibilitéit mat grousse Marken vun Epitaxie-Ausrüstung wéi AIXTRON, Veeco an LPE. D'Réng kënnen a punkto Geometrie, Beschichtungsdicke an Interfacestruktur personaliséiert ginn, fir präzis mat reaktorspezifesche Susceptor-Baugruppen iwwereneestëmmen, wat eng nahtlos Integratioun a stabil Leeschtung iwwer verschidde epitaxial Plattforme erméiglecht.
6. Verlängert Komponentenliewensdauer a Prozesszouverlässegkeet
Duerch d'Kombinatioun vun der héijer mechanescher Stäerkt vum isostatesche Graphit an der aussergewéinlecher Verschleissbeständegkeet vum CVD SiC weist de beschichtete Rank eng aussergewéinlech Haltbarkeet bei laangfristegem zyklischen Operatioun op. Hie widdersteet Mikrorëss, chemescher Korrosioun an thermescher Middegkeet, wat eng stabil Leeschtung iwwer verlängert Prozesszyklen garantéiert, wouduerch d'Ënnerhaltsfrequenz an d'Betribskäschte bei Epitaxie-Produktiounslinne mat héijem Volumen reduzéiert ginn.
Kompetitiv Virdeel
Virdeeler vun Semixlab
Mat iwwer zwee Joerzéngten Expertise an der Hallefleeder-Epitaxie an fortgeschrattene Keramikbeschichtungstechnologien bitt Semixlab ëmfaassend Léisunge fir héichreine SiC-Komponenten.
Eis Kärvirdeeler:
● Personaliséiert Produktioun: Gréissten, Beschichtungsdicke a Geometrie no spezifesche Reaktordesignen (AIXTRON, Veeco, LPE, etc.) ugepasst.
● Support fir Proufen: Schnell Prototyping a Proufservice fir Evaluatioun a Prozessvalidéierung verfügbar.
● Technesch Berodung: Erfuerene Ingenieuren bidden Berodung virum Verkaf a bei der Prozessintegratioun, fir d'Performance an d'Längsdauer ze optimiséieren.
●Qualitéitssécherung: All Komponent gëtt virun der Liwwerung enger präziser Inspektioun, enger Beschichtungsdickemessung an engem Héichtemperaturtest ënnerworf.
eis Services
Semixlab Produktshop
