CVD SiC Single wafer susceptor

Applikatiounsszenarien oder Ausrüstung: AMTA epitaktesch Ausrüstung

Ultrahéich Rengheet (≤100ppb, ICP-E10 zertifizéiert) an aussergewéinlech thermesch/chemesch Stabilitéit fir kontaminatiounsbeständegt Wuesstum vun GaN-, SiC- an Silizium-baséierten Epi-Schichten. Entwéckelt mat Präzisiouns-CVD-Technologie, ënnerstëtzt et 6"/8"/12" Waferen, garantéiert minimale thermesche Stress a hält extremen Temperaturen bis zu 1600°C stand.

Gesellschaft Stäerkt

Semixlab Technology Co.,Ltd huet 2 Fuerschungs- an Entwécklungszentren, 2 Produktiounsbasen, 12 Produktiounslinnen, iwwer 150 Mataarbechter, an Investitioune fir Fuerschung an Entwécklung maachen iwwer 30% aus. Eis Produktiounsstruktur gëtt haaptsächlech an LED-, IC-, Hallefleeder- a Photovoltaikindustrien agesat. Semixlab huet staark Fuerschungs- an Entwécklungs-, Produktiouns- a Verifizéierungskapazitéiten. Gläichzäiteg verbesseren mir eis Technologie an Ausrüstung stänneg mat Investitioune vun Zéngmilliounen pro Joer.

CVD SiC Eenzelwafer-Susceptor gëtt haaptsächlech a Silizium-Epitaxie-Ausrüstung fir ugewandte Materialien benotzt, d'Material ass importéiert Graphit + CVD SiC Beschichtung.

Kär Spezifikatiounsparameter: Siliziumcarbidbeschichtung a Graphitmaterial:

Main Applikatiounen:

Als Accessoire an der AMTA-Epitaxie-Ausrüstung kënne mir 6 Zoll, 8 Zoll an 12 Zoll Wafer-Susceptor ubidden.

CVD SiC Eenzelwafer-Susceptor an AMTA-Epitaxie-Ausrüstung:

1. Waferënnerstëtzung an Homogeniséierung vum thermesche Feld

Als Kärfunktioun vum CVD SiC Eenzelwafer-Susceptor an AMTA-Epitaxie-Ausrüstung. A MOCVD, CVD an aneren Epitaxie-Ausrüstungen handelt de Susceptor als Waferträger a transferéiert d'Hëtzt gläichméisseg op d'Waferuewerfläch mat Hëllef vu Widderstandsheizung oder HF-Heizung, fir dat gläichméissegt Wuesstum vun epitaktischen Schichten (z.B. GaN, SiC) ze garantéieren.

Säin Design mat héijer thermescher Leetfäegkeet reduzéiert den Temperaturgradient tëscht dem Rand an der Mëtt, kontrolléiert d'Temperaturuniformitéit bannent ±1°C a vermeit Materialspannungsdefekter.

2. Chemesch Verschmotzungsbarriär

Grafitsubstrater, déi direkt Prozessgaser ausgesat sinn, tendéieren ze oxidéieren a CO₂ oder Pulver ze bilden, wat d'Reaktiounskammer verschmotzt. D'CVD-SiC-Beschichtung wierkt als Schutzschicht fir Graphit vu korrosive Gasen ze isoléieren an d'partikelfërmeg Kontaminatioun op der Waferoberfläche ze reduzéieren.

Zum Beispill, am GaN-Epitaxieprozess kann d'Beschichtung effektiv der Erosioun vu Virleefer wéi NH₃ an TMGa widderstoen an d'Reinheet vum Film garantéieren.

3. Adaptatioun vun ënnerschiddlechen epitaktischen Prozesser

Halbleiter vun der drëtter Generatioun: fir SiC- oder GaN-Epitaxie op SiC-Substrater, fir d'Ufuerderunge vun Héichleistungsgeräter fir déck Schichten a niddreg Defektraten ze erfëllen.

Mikro-LED-Fabrikatioun: fir d'héichpräzis Positionéierung an d'thermesch Gestioun vu klenge Waferen (z.B. 8 Zoll) z'ënnerstëtzen, an d'Dispersioun vun der Wellelängteverdeelung ze reduzéieren.

Materialcharakteristiken: exzellent Leeschtung vu CVD SiC

1. Ultrahéich Rengheet a dicht Struktur

D'Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung, déi iwwer chemesch Dampfoflagerung (CVD) ofgesat gëtt, erreecht Onreinheetsniveauen vun ≤100ppb (E10-Standard), wéi duerch ICP-MS (Induktiv gekoppelt Plasmamassenspektrometrie) verifizéiert. Dës ultrahéich Rengheet miniméiert d'Kontaminatiounsrisiken beim epitaktischen Wuesstum a garantéiert eng iwwerleeën Kristallqualitéit fir kritesch Uwendungen, wéi d'Hierstellung vu Galliumnitrid (GaN) a Siliziumkarbid (SiC)-Hallefleeder mat breeder Bandlück.

D'Beschichtungsstruktur ass dicht an gläichméisseg, mat enger gerénger Uewerflächenrauheet, wat de Risiko vu Partikelverloscht reduzéiert an den héijen Ufuerderunge vun Hallefleeder-Propperraim erfëllt.

2. Extrem Ëmweltbeständegkeet

Héich Temperaturbeständegkeet: Et kann eng physikochemesch Stabilitéit bei 1600 °C behalen, wat vill méi héich ass wéi den Oxidatiounsschwellwäert vum Graphitsubstrat (ongeféier 400 °C), wat seng Liewensdauer däitlech verlängert.

Korrosiounsbeständegkeet: Extrem resistent géint korrosiv Gaser wéi Cl₂, H₂ a Plasmaerosioun, gëeegent fir MOCVD, MBE an aner haart Prozessëmfeld.

3. Excellent thermesch Leeschtung

Eng thermesch Konduktivitéit vu bis zu 300 W/mK garantéiert, datt d'Waferen gläichméisseg erhëtzt ginn, reduzéiert d'Ofwäichung vun der epitaktischer Schichtdicke (z.B. Problemer mat der Wellelängteverschiebung) a verbessert d'Ausbezuelung vun LEDs, Stroumversuergungsapparater an aner Produkter.

De Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (4×10⁶/K) ass no bei deem vum Graphitsubstrat, wat Rëss oder Ofschielen vun der Beschichtung wéinst Temperaturännerungen verhënnert.

4. Mechanesch Kraaft an Haltbarkeet

Biegefestigkeit bis zu 470 MPa, fäeg héichfrequent Héich-Temperatur-Niddregtemperatur-Zyklen a mechanesche Belaaschtungen auszehalen, wouduerch d'Ënnerhaltsfrequenz reduzéiert gëtt.

Am Moment kann d'Reinheet vun eiser Siliziumcarbidbeschichtung den E10 am ICP-Test erreechen, deen ongeféier 100 ppb ass, an dëse Reinheetsniveau ass ee vun den héchsten a China.