EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC Beschichtete Grafit Heizung fir MOCVD
Den Semixlab SiC beschichteten Graphit MOCVD Heizkierper ass en héichperformante gehëtzten Träger, dee fir Hallefleederherstellungsprozesser entwéckelt gouf, an deen chemesch Dampfoflagerung (CVD) benotzt fir eng eenheetlech, dicht Siliziumcarbid (SiC) Beschichtung op der Uewerfläch vun engem ultra-héichreine Graphitsubstrat ze bilden.
Beschreiwung
Produkter Detailer
Den SiC-beschichtete Graphit MOCVD-Heizapparat kombinéiert déi exzellent Wärmeleitfäegkeet vu Graphit mat der héijer Temperatur- a Korrosiounsbeständegkeet vu SiC-Beschichtungen a gëtt wäit verbreet a metallorganesche chemesche Gasoflagerungs- (MOCVD) Ausrüstung benotzt, fir Stabilitéit a héich Rengheet a Wafer-Epitaxie-Wuesstumsprozesser ze garantéieren.
Produkteigenschaften vum SiC-beschichteten Grafit MOCVD-Heizung
1. Ultrahéich Rengheet a chemesch Stabilitéit
Rengheet ≥99.99995%: Eise Grafitheizung gëtt ënner Héichtemperaturchloréierung duerch de CVD-Prozess virbereet, wat effektiv d'Kontaminatioun duerch Metallverunreinheeten vermeit an den Ufuerderunge fir ultra-propper Ëmfeld an der Hallefleederproduktioun gerecht gëtt.
Anti-chemesch Korrosioun: Déi dicht an héich Häert vun der SiC-Beschichtung (Vickers-Häert vun 2500-2800) kann der Erosioun vu Säuren, Alkalien, Salzer an organesche Léisungsmëttel widderstoen, wat d'Liewensdauer vun der Ausrüstung an der korrosiver Gasëmfeld verlängert.
2. Excellent héich Temperatur Resistenz
Héich Temperaturstabilitéit: et kann bis zu 3000 °C an inerter Atmosphär standhalen, stabile Betrib bis zu 2200 °C am Vakuumëmfeld an 1600-1700 °C an oxidéierender Ëmwelt, wat fir déi extrem Konditioune vun der MOCVD-Reaktiounskammer gëeegent ass.
Niddrege Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (4.5 x 10-⁶K-¹): Dës Eegeschaft vum MOCVD Grafitheizung reduzéiert effektiv Rëssbildung oder Ofpellung vun der Beschichtung wéinst Temperaturännerungen, wouduerch d'strukturell Integritéit ënner laangfristegem thermesche Zyklen garantéiert gëtt.
3. Optiméiert Leeschtung vum Wärmemanagement
Héich thermesch Konduktivitéit (200-300 W/mK): Déi héich thermesch Konduktivitéit vum Graphit MOCVD Heizkierper bestëmmt, datt de Produit Hëtzt séier an gläichméisseg iwwerdroe kann, fir eng konsequent Verdeelung vun der Waferuewerflächentemperatur (±1°C) z'erreechen, wouduerch d'Uniformitéit vun der epitaktischer Schicht effektiv verbessert gëtt.
Laminar Gasflossfelddesign: No kontinuéierlecher Technologieiteratioun an Moderniséierung garantéiert d'Uewerflächenglättung vun eisem MOCVD-Heizungsapparat (Ra ≤ 0.8 μm) an d'Geometrieoptimiséierung eng gläichméisseg Verdeelung vu reaktive Gase a reduzéiert d'Net-Uniformitéit vun der Oflagerung, déi duerch Turbulenzen verursaacht gëtt.
Spezifikatioune
Technesche Parametervergläich a Virdeeler
| Beméien | Semixlab SiC-beschichtete Heizelementer | Konventionell Graphitheizungen |
| Maximal Betribstemperatur (inert) | 3000 ° C | 2500 ° C |
| Chemesch Reinheet | ≥99.99995% | ≤99.99 |
| Wuelhaft Leitung | 300 W / mK | 120-150 W/mK |
| Beschichtungsadhäsioun | 415 MPa (4-Punkt-Béiung) | 100-200 MPa |
| Typesch Liewensdauer (Zyklen) | > 500 Zyklen | 100-200 Zyklen |
Kompetitiv Virdeel
Firwat Semixlab?
Personnalisatioun: Semixlab engagéiert sech fir personaliséiert Produkter an technesch Servicer fir eis Clienten ze liwweren. Mir ënnerstëtzen d'Personaliséierung vun net-Standardgréissten (bis zu engem Duerchmiesser vun 360 mm) a Beschichtungsdicken (20-500 μm), fir eng breet Palette vun Ausrüstungsbedürfnisser gerecht ze ginn.
Global Zertifizéierung: Eis SiC-beschichtete Grafitheizung ass SEMI-konform, ISO 9001 zertifizéiert, an eis Produkter ginn haaptsächlech an Europa an d'USA exportéiert, souwéi Japan a Südkorea, mat engem bedeitende Präis-Leeschtungsvirdeel.
Technesch Synergien: Semixlab schafft zënter laangem enk mat Top-Fuerschungsinstituter a China zesummen a benotzt patentéiert Beschichtungstechnologien (wéi de SiC³-Prozess vu CGT Carbon) fir d'Beschichtungsdicht an d'Wärmestäerkt ze optimiséieren.
