EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC-beschichtete Wafer-Susceptor
Quick Detail:
Zweck: Speziell fir Hallefleiter-CVD (1000°C - 1400°C) an PVD-Héichtemperaturprozesser entwéckelt, bitt et eng stabil Ënnerstëtzungsplattform fir Waferen.
Kärparameter: Uewerflächenrauheet Ra < 0.5 μm; héich Häert (>2500 HV); den thermeschen Ausdehnungskoeffizient (CTE) ass präzis ugepasst (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), wouduerch d'Verkrampfung oder d'Verrutschung vun de Wafer duerch thermesch Belaaschtung komplett eliminéiert gëtt.
Beschreiwung
Semixlab bitt héich performante Wafer-Susceptoren. Dëst Produkt gëtt haaptsächlech a Hallefleeder-CVD-PVD-Ausrüstung benotzt, fir Waferen z'ënnerstëtzen an all Schued a versehentlech Fäll duerch Stickstofffloss ze vermeiden.
SiC-beschichtete Siliziumcarbid-Basis (SiC-beschichtete Susceptor) gëtt wäit verbreet an Halbleiter benotzt wéinst senge Eegeschafte wéi Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, héijer Rengheet a manner Verschmotzung vun de Waferen.
Applikatioun:
Speziell fir Hallefleiter-CVD (1000°C - 1400°C) an PVD-Héichtemperaturprozesser entwéckelt, bitt et eng stabil Ënnerstëtzungsplattform fir Waferen.
Kärfeatures:
Aussergewéinlech Héichtemperaturstabilitéit: Widderstandsfäeg extremen Temperaturen iwwer 1400°C, wat eng präzis Waferpositionéierung ouni Ofwäichung garantéiert.
Super staarke Schutz: Widdersetzt effektiv den Impakt vun engem Stickstoffstroum >10 m/s a versehentleche Fäll, a bitt maximalen Schutz fir de Wafer.
Aussergewéinlech Haltbarkeet: D'SiC-Beschichtung bitt eng héich Häert (>2500 HV) a Korrosiounsbeständegkeet, wat d'Liewensdauer verlängert.
Héichrein Uewerfläch: Uewerflächenrauheet Ra < 0.5 μm, wat de Risiko vun enger Partikelkontaminatioun reduzéiert.
Siliciumbasis (Silicon Susceptor)
Uwendung: Gëeegent fir Héichtemperaturprozesser vu Siliziumwaferen mat extrem héijen Ufuerderungen un d'thermesch Anpassung (wéi z.B. epitaktesch Wuesstem, <1200°C).
Kärfeatures:
● Perfekt thermesch Upassung: Am Aklang mam Wafermaterial (monokristallint Silizium) ass den thermeschen Ausdehnungskoeffizient (CTE) präzis ugepasst (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), wouduerch Verzerrung oder Verrutschen vum Wafer duerch thermesch Belaaschtung komplett eliminéiert gëtt.
● Schnell Liwwerung: De Liwwerzyklus vu Standardprodukter gëtt däitlech verkierzt, op nëmmen 4-6 Wochen (am Verglach zu 8-12 Wochen fir SiC-Basen).
● Héich Rengheet: Entsprécht de Standarden vun Halbleiter-Siliziummaterialien.
● Uewerflächenqualitéit: Präzis poléiert, Uewerflächenrauheet Ra < 0.2 μm.
Spezifikatioune
| Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiC Beschichtung | |
| Property | Typesche Wäert |
| Kristall Struktur | FCC β Phase polykristallin, haaptsächlech (111) orientéiert |
| Dicht | 3.21 g / cm³ |
| Hardness | 2500 Vickers Hardness (500g Laascht) |
| Käre Gréisst | 2 ~ 10μm |
| Chemesch Reinheet | 99.99995% |
| Hëtzt Kapazitéit | 640 J·kg-1·K-1 |
| Sublimatioun Temperatur | 2700 ℃ |
| Flexural Kraaft | 415 MPa RT 4-Punkt |
| Young's Modulus | 430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃ |
| Thermesch Leitung | 300W·m-1·K-1 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Applicatioun
SiC epitaktesch Schichtwuesstumsgrafitsusceptor.
Gasinlaafdiversioun a thermesch Feldkontroll an engem SiC epitaktischen Wuesstumsuewen.
Semixlab Produktshop
