EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
TaC Planetary Epi Susceptor
| Place Hierkonft: | China |
| Marque: | Semixlab |
| Model Number: | TPES0001 |
| Zertifikatioun: | ISO 9001 |
| Mindestbestand Quantitéit: | 1pc |
| Präis: | personnaliséierten |
| Packaging Detailer: | Standard Exportkëscht |
| Liwwerzäit: | 30-45days |
| Bezuelen Konditiounen: | Verhandelt ginn |
| Kapazitéit liwweren: | 200 Stéck pro Mount |
Beschreiwung
D'Aixtron Planéitscheif ass eng Schlëssellagerkomponent an Ausrüstung fir metallorganesch chemesch Gasoflagerung (MOCVD), déi haaptsächlech am Wuessprozess vun epitaktischen Placken aus Siliziumcarbid (SiC) benotzt gëtt. Seng Kärstruktur baséiert op dem Kompositdesign aus héichreinegem Graphitmaterial + Tantalcarbid (TaC) Beschichtung.
Quick Detail:
1. Aner Nimm: Aixtron Planetaresch Scheif, TaC Beschichtete Planetaresch Susceptor, SiC Epi Susceptor fir Aixtron Reaktor
2. Uwendung: Fir héichperformant Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) an aner epitaktesch Hallefleederprozesser vun der drëtter Generatioun.
3. Kär Parameteren:
D'Struktur bleift bei 2000 ℃ stabil, fir Kontaminatioun vun der Reaktiounskammer duerch d'Verdampfung vun der Beschichtung ze vermeiden.
Effektiv Resistenz géint Erosioun vu Virleefergaser wéi SiH₄ an HCl. Reduzéiert Uewerflächendefekter um Substrat.
D'Wärmeleitfäegkeet vun der Graphit+TaC-Kompositstruktur ass no bei där vum SiC-Wafer (SiC: 490 W/m·K), wat d'Gitterverzerrung, déi duerch thermesch Belaaschtung verursaacht gëtt, reduzéiert.
D'Uewerflächenrauheet vun der TaC-Beschichtung ass < 1 μm, wat den Offall vu Mikropartikelen hemme kann an d'Uewerflächenqualitéit vun der epitaktischer Schicht garantéiere kann (Defektdicht < 0.5/cm²).
Produkt Iwwersiicht
D'Aixtron Planéitscheif ass eng Schlëssellagerkomponent an Ausrüstung fir metallorganesch chemesch Gasoflagerung (MOCVD), déi haaptsächlech am Wuessprozess vun epitaktischen Siliziumcarbid (SiC) Placken benotzt gëtt. Seng Kärstruktur baséiert op dem Kompositdesign aus héichreinegem Graphitmaterial + Tantalcarbid (TaC) Beschichtung:
Grafitsubstrat: bitt exzellent Wärmeleitfäegkeet (~130 W/m·K) a héich Temperaturstabilitéit (Temperatur > 2000 ℃) fir eng gläichméisseg Verdeelung vum Wärmefeld an der Reaktiounskammer ze garantéieren.
Tantalkarbidbeschichtung: D'Grafituewerfläch gëtt duerch eng chemesch Dampfoflagerung (CVD) oder e Sinterprozess bedeckt, normalerweis 30-100 µm déck, fir eng dicht chemesch Barrière ze bilden.
Den Design ass fir déi héich Temperaturen (1500-1700 ℃), héich korrosiv (Silan, HCl an aner Gaser) Ëmfeld vum epitaktischen SiC-Wuesstum optimiséiert, wat d'Prozessstabilitéit an d'Waferausbezuelung däitlech verbessert.
Vergläich vun der Leeschtung vun Tantalkarbid (TaC) a Siliziumkarbid (SiC) Beschichtungen
| Beschichtung Material | Tantalkarbid (TaC) Beschichtung | Siliziumkarbid (SiC) Beschichtung |
| Schmëlzpunkt | Schmelzpunkt 3880 ℃ (héich Temperaturlimit) | Schmelzpunkt 2700 ℃ (liicht zersetzen bei héijen Temperaturen) |
| Thermesch Expansiounskoeffizient | Thermesch Ausdehnungskoeffizient 6.3 × 10⁻⁶/K (besser kompatibel mat Graphit) | 4.5×10⁻⁶/K (liicht ze briechen wéinst thermescher Ofwäichung) |
| Resistenz géint Siliziumdampkorrosioun | Excellent Resistenz géint Siliziumdampkorrosioun (niddreg TaC- a Si-Reaktivitéit) | schlecht (bei héijen Temperaturen reagéiert SiC mat Si fir eng Gasphas Si₂C ze bilden) |
| Risiko vun der Partikelverschmotzung | Ganz niddrege Risiko vu Partikelkontaminatioun (dicht Beschichtung ouni Poren) | Héich (Beschichtung ufälleg fir lokal Ofpellung) |
| Liewenszäit | Liewensdauer > 5000 Stonnen (verlängerte Wartungszyklus méi wéi 50%) | Iwwert 2000-3000 Stonnen |
Produktiounskompatibilitéit
Ugepasst un d'Aixtron G5 WW C an d'Prophet Plattform, kann et 6/8-Zoll Waferen mat enger Kapazitéit vu > 30 Waferen/Batch droen.
Technesche Wäert a Bedeitung vun der Industrie
De planetaresche Susceptor mat Graphit + Tantalkarbid beschichtete léist de Problem vun der Engpässe vun der traditioneller SiC-Beschichtung am laangfristege Prozess mat héijer Temperatur:
Käschtenoptimiséierung: den Ersatzzyklus vu Verbrauchsgidder verlängeren an d'epitaxial Käschte vun engem eenzege Stéck ëm méi wéi 20% reduzéieren;
Verbesserung vun der Ertragsausstattung: Reduzéiert d'Partikelverschmotzung an den Hëtzfleckeffekt, a fördert d'Ertragsausstattung vun der epitaktischer Blechlag op iwwer 95%;
Verbreederung vum Prozessfënster: ënnerstëtzt méi héich Wuestumsraten (> 50μm/h) a méi déck epitaktesch Schichten.
Well d'global SiC-Kapazitéit op 8 Zoll eropgesat gëtt, wäert dës Technologie e wichtege Wee sinn, fir den epitaktischen Konsistenzenglass ze duerchbriechen.
Spezifikatioune
| Physikalesch Eegeschafte vun TaC Beschichtung | |
| Dicht | 14.3 (g/cm³) |
| Spezifesch Emissioun | 0.3 |
| Thermesch Erweiderungskoeffizient | 6.3 10-6/K |
| Hardness (HK) | 2000 HK |
| Resistenz | 1×10⁻⁶ Ohm*cm |
| Thermesch Stabilitéit | <2500 ℃ |
| Graphite Gréisst Ännerungen | -10-20 Uhr |
| Schichtdicke | ≥20um typesche Wäert (35um±10um) |
| Wuelhaft Leitung | 9-22 (W/m·K) |
| Physikalesch Eegeschafte vum isostatesche Grafit | ||
| Property | Eenheet | Typesche Wäert |
| Bulk Dicht | g / cm³ | 1.83 |
| Hardness | HSD | 58 |
| Elektresch Resistivitéit | μΩ.m | 10 |
| Flexural Kraaft | MPa | 47 |
| Kompressive Kraaft | MPa | 103 |
| Kraaftstärkt | MPa | 31 |
| Young säi Modul | GPa | 11.8 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Thermesch Leitung | W·m-1·K-1 | 130 |
| Duerchschnëtt Grain Gréisst | μm | 8-10 |
Applicatioun
Siliziumkarbid-Kraaftvorrichtungsepitaxie
Et ass gëeegent fir homogen epitaktesch Wuesstem vu 4H-SiC, wat benotzt gëtt fir Héichspannungs-MOSFET- an IGBT-Komponenten iwwer 1200V ze produzéieren.
D'Nofro fir nei Energiefahrzeuge, Photovoltaik-Inverter, Schinneverkéier an aner Beräicher ass staark eropgaang.
Entwécklung vun der drëtter Generatioun vu Hallefleeder
Ënnerstëtzt de GaN-op-SiC Heteroepitaxie-Prozess fir 5G RF-Geräter a Millimeterwelle-Kommunikatiounschips.
Kompetitiv Virdeel
Zesummefassung vun de wichtegste Virdeeler:
D'TaC-Beschichtung ass besser wéi déi traditionell SiC-Beschichtung wat d'Korrosiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen, d'thermesch Anpassung an d'laang Liewensdauer ugeet, a besonnesch gëeegent fir Siliziumdampanreicherungsëmfeld am epitaktischen SiC-Wuesstum.
Resistenz géint extrem Hëtzt:
D'Struktur bleift bei 2000 ℃ stabil, fir Kontaminatioun vun der Reaktiounskammer duerch d'Verdampfung vun der Beschichtung ze vermeiden.
Chemesch Resistenz:
Effektiv Resistenz géint Erosioun vu Virleefergaser wéi SiH₄ an HCl. Reduzéiert Uewerflächendefekter um Substrat.
Thermesch Felduniformitéit:
D'Wärmeleitfäegkeet vun der Graphit+TaC-Kompositstruktur ass no bei där vum SiC-Wafer (SiC: 490 W/m·K), wat d'Gitterverzerrung, déi duerch thermesch Belaaschtung verursaacht gëtt, reduzéiert.
Niddreg Verschmotzungsausgab:
D'Uewerflächenrauheet vun der TaC-Beschichtung ass < 1 μm, wat den Offall vu Mikropartikelen hemme kann an d'Uewerflächenqualitéit vun der epitaktischer Schicht garantéiere kann (Defektdicht < 0.5/cm²).
