Héichreinheets-Isostatesch Grafit-Dichtungsréng
Déi héichreine isostatesch Grafit-Dichtungsréng vu Semixlab sinn entwéckelt fir e stabile a kontaminatiounskontrolléierte Betrib vun fortgeschrattene Hallefleederproduktiounsausrüstung z'ënnerstëtzen. Dës Dichtungsréng, déi aus ultra-héichreinem isostatesch gepresstem Graphit hiergestallt ginn, bidden eng zouverlässeg Dichtungsleistung an héijen Temperaturen, héijen Vakuum an chemesch aggressiven Ëmfeld, déi dacks an Epitaxie-, CVD-/LPCVD-/PECVD-, Diffusiouns-, Oxidatiouns-, RTP- an Ätzprozesser optrieden. D'Graphit-Dichtungsréng vu Semixlab hëllefen d'Prozessstabilitéit ze erhalen, d'Risike vu Partikel- a Metallkontaminatioun ze reduzéieren an d'Ënnerhaltszyklen vun der Ausrüstung ze verlängeren. Mir begréissen Är Ufroen.
Beschreiwung
Héichreinheets-isostatesch Grafit-Dichtungsréng vu Semixlab gi mat ultra-héichreinheets-isostatesch gepresstem Graphit hiergestallt. Dës Dichtungsréng bidden eng stabil, kontaminéierend Dichtungsleistung, déi direkt d'Prozesszouverlässegkeet, d'Ausbezungskonsistenz an d'Uptime vun der Ausrüstung bei fortgeschrattene Front-End-Wafer-Fabrikatiounsprozesser ënnerstëtzt.
An Epitaxiesystemer, wou eng präzis Kontroll vum Gasfloss, der Drockstabilitéit an der thermescher Uniformitéit essentiell ass, spillen d'Héichreinheets-Isostatesch Grafit-Dichtungsréng vu Semixlab eng entscheedend Roll fir d'Integritéit vum Reaktor bei laangfristegen Temperaturen, déi dacks iwwer 1000 °C leien, ze erhalen. Dës Dichtungsréng, déi op Kammergrenzflächen, Dichtungsgrenzen a rotéierenden oder stationäre Verbindungen an der waarmer Zon installéiert sinn, weisen eng niddreg an isotrop thermesch Expansioun op, wat et hinnen erlaabt, d'Dimensiounsstabilitéit während widderholltem thermesche Zyklen ze erhalen. Hiren aussergewéinlech niddrege metalleschen Ongereinheetsgehalt miniméiert de Risiko vun enger ongewollter Dotierung oder Metallkontaminatioun, wat hëlleft eng eenheetlech epitaktesch Schichtdicke, kontrolléiert Dotierprofiler an héichqualitativt kristallint Wuesstum a Silizium- a Verbindungshalbleiter-Epitaxieprozesser ze garantéieren.
An CVD-, LPCVD- a PECVD-Applikatioune sinn Dichtungskomponenten enger Kombinatioun vun héijen Temperaturen, Vakuum, korrosive Virleefergaser an a verschiddene Fäll Plasma-Ëmfeld ausgesat. D'Héichreinheets-Isostatisch-Graphit-Dichtungsréng vu Semixlab gi wäit verbreet a Kammertürdichtungen, Gasisolatiounsstrukturen an Iwwergangszonen tëscht waarmen a kale Regioune vum Reaktor benotzt. Déi intrinsesch chemesch Resistenz vum héichreine Graphit erméiglecht e stabile Betrib a Präsenz vun aggressive Prozessgaser wéi HCl, NH₃ a Virleefer op Halogenbasis, während déi dicht, isotrop Mikrostruktur d'Partikelbildung an de mechaneschen Degradatioun iwwer eng verlängert Liewensdauer reduzéiert. Am Verglach mat metallesche Dichtungsléisungen bidden Graphit-Dichtungsréng eng besser Resistenz géint Korrosioun an thermesch Middegkeet, wat zu méi laangen Ënnerhaltsintervaller an enger verbesserter Prozesswidderhuelbarkeet bei der Produktioun a grousse Volumen bäidréit.
Héichtemperaturdiffusioun, Oxidatioun a séier thermesch Veraarbechtung stellen héich Ufuerderungen un d'Dichtungsleistung wéinst extremen Temperaturen, schnelle thermesche Rampsraten a reegelméissege Prozesszyklen. An dësen Ëmfeld behalen d'Semixlab High-Purity Isostatic Graphit-Dichtungsréng eng konsequent Dichtungsintegritéit bei Temperaturen iwwer 1100 °C, wat eng stabil Atmosphärkontroll an Uewenréier an RTP-Kummeren ënnerstëtzt. Déi eenheetlech mechanesch Eegeschafte vum isostatesche Pressen hëllefen, lokaliséiert Spannungskonzentratioun, Mikrorëss an Dichtungsverzerrung beim schnelle Heizen an Ofkillen ze vermeiden, wouduerch se zu stabile Dipanzdiffusiounsprofiler, engem eenheetleche Oxidwuesstum a widderhuelbare thermesche Prozessresultater bäidroen, déi fir d'Fabrikatioun vu fortgeschrattene Logik- a Speichergeräter entscheedend sinn.
Am Ätzprozess, inklusiv Dréchenätzungsapplikatiounen, déi halogenbaséiert Chemikalien a plasmagestëtzte Ëmfeld benotzen, sinn Dichtungsréng noutwendeg fir d'Vakuumintegritéit ze erhalen an d'Partikelgeneratioun an d'chemesch Degradatioun ze limitéieren. D'Héichreinheets-Isostatesch Grafit-Dichtungsréng vu Semixlab ginn typescherweis an net-direkten Plasmabelaaschtungszonen agesat, wéi z. B. Dichtungsgrenzflächen un der Kammerperipherie a strukturell Isolatiounsregiounen. A Kombinatioun mat passenden Uewerflächenverdichtung oder Schutzbeschichtungen bidden dës Dichtungsréng eng zouverléisseg Resistenz géint korrosiv Ätzgase a Wärmestress, ënnerstëtzen stabil Kammerbedingungen a reduzéieren de Risiko vun engem kontaminatiounsbedingte Rendementsverloscht.
Mat engem Fokus op Materialreinheet, strukturell Stabilitéit a laangfristeg Zouverlässegkeet entwéckelt, mécht d'Kompatibilitéit vum Semixlab High-Purity Isostatic Graphit Sealing Ring mat fortgeschrattene Beschichtungstechnologien an d'Integratioun an komplex Hallefleiterausrüstungsarchitekturen se zu enger vertrauenswürdeger Léisung fir souwuel modern wéi och reif Prozessknueten. Duerch d'Liwwerung vun enger konsequenter Dichtungsleistung ënner de fuerderndsten Prozessbedingungen ënnerstëtzt Semixlab Hallefleiterhersteller fir eng méi héich Ausbezuelung, eng verbessert Ausrüstungsauslastung a méi niddreg Gesamtbesëtzkäschten z'erreechen. Mir freeën eis häerzlech drop, Äre laangfristege Partner a China ze ginn.
Spezifikatioune
| Physikalesch Eegeschafte vum isostatesche Grafit | ||
| Property | Eenheet | Typesche Wäert |
| Bulk Dicht | g / cm³ | 1.83 |
| Hardness | HSD | 58 |
| Elektresch Resistivitéit | μΩ.m | 10 |
| Flexural Kraaft | MPa | 47 |
| Kompressive Kraaft | MPa | 103 |
| Kraaftstärkt | MPa | 31 |
| Young säi Modul | GPa | 11.8 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Thermesch Leitung | W·m-1·K-1 | 130 |
| Duerchschnëtt Grain Gréisst | μm | 8-10 |
| Porositéit | % | 10 |
| Äschen Inhalt | ppm | ≤5 (nach gereinegt) |
eis Services

Semixlab Produktshop


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ





