Siliziumkarbiduewenröhrchen

Semixlab bitt ultra-héichreine SiC-Uewenrohrsystemer, Hallefleeder-Qualitéits-Thermofeldléisungen mat enger Beschichtungsreinheet vun 99.9999% a komplett Linnliwwerung.

Kärwäertpropositioun

Suergt fir eng Null-Verschmotzungs-thermesch Ëmwelt fir d'Waferproduktioun: 99.9% SiC-Reinheet vum Substrat + 99.9999% Reinheet vun der CVD-Beschichtung, kombinéiert mat engem komplette SiC-Cantilever-Paddle- & Wafer-Boot-System, fir Null Metallverschmotzung an der Prozesskammer z'erreechen.

Verschidde Nimm fir Produkter:

Héichtemperatur-SiC-Uewenrohr; Siliziumcarbid-Rohr; SiC-Rohr mat héijer Reinheet; Siliziumcarbid-Rohr fir Diffusiounsuewen; Siliziumcarbid-Rohr fir den Diffusiouns- &LPCVD-Prozess; SiC-Rohr fir RTP, SiC-Rohr fir Oxidatioun

Kär Spezifikatiounen:

Materialreinheet: D'Basismaterial ass Siliziumcarbid mat enger Reinheet vu méi wéi 99.9%, an d'Reinheet no der CVD-Beschichtung ass iwwer 99.9999% (Grad 6N).

Thermesch Leeschtung: Maximal Betribstemperatur 1650 ℃ (laangfristeg), thermesch Ausdehnungskoeffizient: 4.6 × 10⁻⁶/℃, Eenheetlechkeet an der konstanter Temperaturzon: ±1.5 ℃ (1200 ℃);

Mechanesch Stäerkt: Biegefestigkeit 450Mpa (bei Raumtemperatur).

Haaptanwendungen

Thermesche Feldträger

E stabilt an eenheetlecht Temperaturfeld am Beräich vun 1200℃ bis 1650℃ etabléieren (den Temperaturënnerscheed an der konstanter Temperaturzon ass ≤±1.5℃)

Sécherstellen, datt d'thermodynamesch Konditioune vu Prozesser wéi Diffusioun, Oxidatioun an Glühung sinn.

Verschmotzungsisolatiounsbarrière

Blockéiert d'Diffusioun vu Metallionen (wéi Fe/Ni/Cu, etc.) duerch héichrein Materialien (wéi SiC).

Kräizkontaminatioun tëscht Prozessgaser an der externer Ëmwelt vermeiden.

Prozessgaskanal

Präzis d'Stroumrichtung an d'Verdeelung vu Reaktiounsgaser kontrolléieren (wéi O₂/N₂/SiH₄, etc.)

Erreeche vun eenheetleche Gasphasreaktiounen op der Waferuewerfläch (wéi z.B. SiO₂-Wuesstum).

Photovoltaesch Beschichtung: Ënnerstëtzung vum TOPCon/HJT Zell PECVD Prozess Wafer Transport.

Applikatiounsszenarien

● Epitaxie

● Oxidatioun/Diffusioun

● LPCVD/PECVD Prozess

● Glühung vun III-V-Verbindungshalbleiter

Léisunge fir Schwierpunkte vun der Industrie

Eis Léisunge adresséieren d'Schmerzpunkte vun eise Clienten:

1. Kontaminatioun vu Partikelen duerch héich Temperaturen: 6N Beschichtung blockéiert Nidderschlag vun Ongereinheeten.

Reegelméissegen Ersatz vu SiC a Quarzkomponenten erhéicht d'Korrosiounsbeständegkeet ëm den 8-fache.

2. CTE-Konsistenzdesign fir thermesch Expansiounsmismatch vun thermesche Feldkomponenten an der ganzer Serie vu SiC-Materialien.

3. Ultra-poléiert Uewerflächenbehandlung vun der Metallkontaminatioun op der Récksäit vum Wafer (Ra 0.2μm).

Kärvirdeeler vun den technesche Spezifikatioune vun de Komponenten:

1. SiC-Uewenröhr - Grondmaterialreinheet: 99.9% gesintert Siliziumcarbid

▶ D'Resistenz géint Thermeschocken ass ëm den 3-fache verbessert (séier Ofkillung > 1600 ℃)

De Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung ass sou niddreg wéi 4.6 × 10⁻⁶/℃

Nanoskala-Beschichtung - CVD-Oflagerung vu 6N-Héichreinheets-SiC (99.9999%)

▶ Blockéierung vun der Diffusioun vu Metaller wéi Fe an Ni

▶ Uewerflächenrauheet Ra < 0.5 μm

2. SiC Wafer Boat - Kompatibel mat 12-Zoll Waferen

- Méischichteg droend Design

▶ 100% thermesch Upassung un Uewenréier

D'Wafer-Kontaminatiounsquote ass manner wéi 0.01 ppb

3. Cantilever-Paddelsystem - isostatescht Graphitsubstrat + SiC-Beschichtung

- Automatesch Ausriichtungsgenauegkeet ±0.1 mm

▶ Liewensdauer géint Schleichwiderstand > 100,000 Mol

D'Transmissiounsvibratioun ass manner wéi 5μm

Disruptiv technologesch Highlights

D'Puritéitsrevolutioun

Zwee-Niveau Schutzsystem

D'Basisschicht besteet aus 99.9% SiC → fir e staarkt Kader ze bauen

De 6N-Niveau CVD-SiC an der funktioneller Schicht bilt eng op atomarer Ebene versiegelt
Barriär

Kontroll vun den Onreinheeten: Na/K < 0.1 ppm, Schwéiermetaller < 5 ppb, erfëllt d'Ufuerderunge vu Prozesser ënner 28 nm

Virdeel vun der Systemsynergie

● Thermesch Felduniformitéit: Dräifach thermesch Kopplungsdesign vun Uewenröhr + Waferboot + Paddelklingen, den Temperaturënnerscheed an der konstanter Temperaturzon (> 1200 ℃) ass ≤±1.5 ℃

● Verduebelung vun der Liewensdauer: Déi ganz Léisung verlängert d'Liewensdauer ëm 40% am Verglach zum Hybridsystem, mat enger MTBA vu méi wéi 8,000 Stonnen