EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Héichreinheets-SiC-Waferboot
An den Haaptprozesser vun der Hallefleederherstellung – wéi Oxidatioun, Diffusioun an LPCVD – bestëmmen d'Strukturstäerkt an d'Materialreinheet vun de Waferträger direkt d'Ausbezungsraten. De Siliziumcarbid (SiC)-Boot, dee vu Semixlab entwéckelt gouf, ënnerstëtzt vun den duebele Virdeeler vun engem héichfeste, atmosphärendrock-gesintertem Siliziumcarbid (S-SiC)-Substrat an enger dichter CVD-SiC-Beschichtung, huet d'Problem vun der Partikelkontaminatioun an traditionelle Prozesser komplett geléist. Och an extremen Ëmfeldbedingungen, déi bis zu 1600°C erreechen, behält dëse Boot eng exzellent physikalesch Stabilitéit, mat Haltbarkeet a Liewensdauer, déi däitlech besser si wéi déi vu Quarz- oder Graphitträger, wat en zur ideal Wiel fir héichzouverlässeg Produktiounsprozesser mécht. Mir freeën eis op Är weider Ufro.
Beschreiwung
Optiméiert thermesch Feldléisungen fir 4-12 Zoll Fabrikatioun
Firwat wiesselen féierend Fabrécke vu Quarz- op SiC-Booter?
Iwwerleeën am Verglach mat Quarz, deen onvermeidlech bei 1150°C wéinst Devitrifikatioun futti geet, behalen eis SiC-Booter absolut geometresch Präzisioun ënner extremer thermescher Belaaschtung. Dank hirer héijer Dicht verhënnert d'CVD SiC-Matrix de Partikeloffall. Si ass speziell gebaut fir den Ufuerderunge vun den haitege Submikron-Fabrikatiounsprozesser gerecht ze ginn.
Eis Komponenten halen eng aggressiv HF/HNO3-Reinigung vill besser wéi Quarz, halen méi laang a senken d'Ersatzkäschten. Mat enger optiméierter Wärmeverwaltung fir eng séier an gläichméisseg Erhëtzung bidden si déi néideg Prozessstabilitéit fir 4-Zoll- bis 12-Zoll-Waferen an der Produktioun vu grousse Volumen.
Expert Abléck
Am Géigesaz zu traditionelle Graphit-Booter, déi sech staark op Uewerflächenbeschichtunge stëtzen, eliminéiert d'monolithesch SiC-op-SiC-Architektur vu Semixlab déi strukturell "Mismatch" tëscht Substrat a Haut. Indem mir d'Expansiounskoeffizienten iwwer déi ganz Eenheet vereenegt hunn, hu mir de chronesche Kappwéi vun der Delaminatioun an der Industrie geléist. Fir 8-Zoll- an 12-Zoll-Héichvolumenfabriken ass dëst net nëmmen eng Materialverbesserung - et ass eng TCO-Revolutioun. Mat enger Liewensdauer, déi 5x méi héich ass wéi Standardquarz, transforméieren eis massiv SiC-Booter e Verbrauchskäschten an e laangfristege Produktiounsverméigen.
Spezifikatioune
Technesch Spezifikatiounen & Personnalisatioun
Mir kënnen alles op Är spezifesch Uewenopstellung upassen - egal ob horizontal oder vertikal - an Är exakt Bedierfnesser am Beräich vun der Waferbehandlung upassen.
| Fonktioun | bestëmmen |
| Substrat Material | Gesintert Siliziumkarbid (S-SiC) |
| Uewerflächenbehandlung | CVD SiC Beschichtung (Chemesch Dampfdepositioun) |
| Beschichtungsdicke | 50μm – 300μm (Vollstänneg personaliséierbar) |
| Rengheet Niveau | 7N (Gesamt Onreinheeten < 0.1 ppm) |
| Wafer-Kompatibilitéit | 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll |
| Thermesch Stabilitéit | Stabil bis zu 1600°C am Vakuum/inert Atmosphär |
| Applicatioun | Oxidatioun, Diffusioun, LPCVD, Glühung, RTP |
Applicatioun
Typesch Applikatiounen
Eis SiC-Booter si fir déi haardst Fabrécksbedingungen gebaut. Si halen hir Form perfekt während der Si/SiC-Epitaxie trotz H2-Ätzen, an hir héich Rengheet ass e Liewensretter fir Diffusiounsprozesser, wou Kontaminatioun e Risiko ass. Fir ALD an LPCVD handele si als stabil thermesch Mass fir sécherzestellen, datt de Film gläichméisseg op all Wafer oflagert.
Kompetitiv Virdeel
Schema vum CVD-Prozess fir d'Beschichtung vu SiC-Booter, wat 7N Rengheet an eng eenheetlech Dicht garantéiert
1) 7N Ultra-Héich Rengheet (CVD-Verkapselung) Amplaz vun enger Basisbeschichtung benotze mir eng CVD-SiC-Verkapselung mat héijer Dicht, fir eng global Rengheet vun 99.99999% ze garantéieren. Fir Héichspannungs-Energiegeräter wéi IGBTs a MOSFETs ass dat net optional - et ass deen eenzege Wee, fir metallesch Ongereinheeten (Fe, Ni, Cu) fest dovun ofzehalen, katastrophal Leckstréim auszeléisen.
2) Präzisiounskonstruéiert Schlitzgeometrie Mir maachen net "One Size Fits All". Egal ob Dir eng Standard-V-Nut oder e spezialiséierten U-Schlitz fir d'Handhabung vu fragilen, dënnen Waferen braucht, eis CNC-Zentren halen Toleranzen op eng enk ±0.05 mm. Dës extrem Präzisioun eliminéiert d'Rasselen vun de Waferen un der Quell a reduzéiert d'Kantespannung bei héichgeschwindegen Robotertransferten.
3) Optiméierten Duty Cycle & CTE-Upassung De gréisste Feelerpunkt bei beschichtete Booter ass Delaminatioun. Mir hunn dëst geléist andeems mir d'Bindungsstäerkt vun der Beschichtung sou ugepasst hunn, datt se dem thermeschen Ausdehnungskoeffizient (CTE) vum Substrat perfekt reflektéiert. D'Resultat? E Boot, dat en onopfällegen thermesche Zyklen an Oxidatiouns- an Diffusiounsuewen iwwerlieft, ouni datt d'Beschichtung vum Basismaterial ofblättert oder ofschielt.
eis Services
Semixlab Produktshop
