EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC Keramik Tiegel
De SiC Keramik-Titel vu Semixlab Semiconductor ass eng héichperformant Komponent, déi fir héichtemperaturéiert an ultra-propper Halbleiterveraarbechtungsëmfeld entwéckelt gouf. Dëse Titel, deen aus héichreinegem gesintertem oder CVD-Siliziumcarbid (SiC) hiergestallt gëtt, kombinéiert eng exzellent thermesch Leetfäegkeet, eng iwwerleeën mechanesch Stäerkt an eng aussergewéinlech chemesch Stabilitéit. Mir freeën eis op Är Ufro.
Beschreiwung
De SiC-Keramiktisch déngt als e wichtegt Eindämmungs- a Reaktiounsbehälter a Prozesser wéi SiC- a GaN-Kristallwuesstum, epitaktesch Oflagerung, Diffusioun an Héichtemperaturglühung - wou Rengheet, Stabilitéit an Temperaturuniformitéit direkt d'Waferausbezuelung an d'Kristallqualitéit bestëmmen.
Material Charakteristiken
● Materialzusammensetzung: Ultra-rein gesintert SiC oder CVD-SiC (≥99.9%)
● Dicht & Mikrostruktur: Voll dicht, feinkäreg an net-poréis Struktur fir eng iwwerleeën Gasdurchlässegkeet
● Thermesch Stabilitéit: Excellent Leeschtung bis zu 2000°C an inerten oder reaktiven Gasatmosphären
● Wärmeleitfäegkeet: 120–200 W/m·K, wat eng iwwerleeën Temperaturuniformitéit garantéiert
● Korrosiounsbeständegkeet: Aussergewéinlech Stabilitéit a Waasserstoff-, Chlor- a Halogenbaséierte Prozessgaser
● Uewerflächenfinish: Spigelpoléiert a Plasmagereinigung fir d'Partikelbildung ze minimiséieren
Applicatioun
Schlëssel Uwendungen an Semiconductor Fabrikatioun
De SiC Keramik-Titel spillt eng wichteg Roll a verschiddene Phasen vun der Produktioun vu Hallefleeder, dorënner:
1. Kristallwuesstum an Epitaxie
SiC-Titel, déi a PVT (Physical Vapor Transport) an CVD epitaktesch Wuesssystemer benotzt ginn, bidden e stabile, net-reaktive Behälter fir Quellmaterialien a wuessend Kristaller.
Hir héich Rengheet an de passenden thermeschen Ausdehnungskoeffizient miniméieren Kontaminatioun a Stress a garantéieren eng defektfräi Kristallbildung fir SiC-, GaN- a Ga₂O₃-Substrater.
2. Héichtemperaturdiffusioun an Glühung
Bei thermesche Behandlungs-, Diffusiouns- an Oxidatiounsprozesser behalen d'SiC-Tiegel hir Form a chemesch Integritéit ënner extremen thermesche Zyklen, wouduerch d'Ausgasung an d'Partikelfräisetzung verhënnert ginn, déi d'Waferqualitéit a Gefor brénge kënnen.
3. Materialsinterung a Pulververaarbechtung
SiC-Tiegel si och ideal fir d'Sinterung vu Pulver a Hallefleederqualitéit, a bidden chemesch Inertitéit bei héijen Temperaturen a dimensional Stabilitéit ënner Vakuum- oder kontrolléierter Atmosphärbedingungen.
Kompetitiv Virdeel
Virdeeler vu Semixlab
Bei Semixlab Semiconductor bidden mir méi wéi nëmme Komponenten - mir liwweren ëmfaassend Ingenieursléisungen, fir den héijen Ufuerderungen vun der Hallefleederproduktioun gerecht ze ginn.
1. Personnaliséierten Design
● Moossgeschneidert Geometrie, Déckt a Gasinlaafkonfiguratioun vum Tiegel.
● Kompatibel mat de wichtegsten Kristallwuesstums- a CVD-Systemer (LPE, PVT, AIXTRON, Veeco, etc.).
2. Technesch Berodung
● Intern Materialwëssenschaftler a Prozessingenieuren mat iwwer 20 Joer Branchenerfahrung.
● Ënnerstëtzung fir thermescht Design, Gasflusssimulatioun a Prozessanpassung.
3. Qualitéitssécherung virun der Liwwerung
● All Tiegel gëtt enger dimensionaler Präzisiounsinspektioun, engem Helium-Lecketest an enger Uewerflächenrauheetsanalyse ënnerworf.
● Optional CVD-Schutzbeschichtung a Spigelpoléierungsservicer fir eng verlängert Liewensdauer a Rengheet.
De Semixlab SiC Keramik-Titel setzt en neie Standard fir thermesch Stabilitéit, Rengheet a chemesch Haltbarkeet an der fortgeschrattener Hallefleederveraarbechtung. Mat personaliséierten Designoptiounen, technescher Berodung a strenger Inspektioun virum Versand garantéiert Semixlab, datt all Produkt den usprochsvollen Ufuerderunge vun Héichtemperatur- a Rengheetshalleederapplikatioune erfëllt. Mir freeën eis op Är weider Ufroen.
eis Services
Semixlab Produktshop
