Siliziumkarbid Keramik Äerm

Name: Siliziumkarbid Keramik Äerm
Brand: Semixlab
Price: 60.0 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (19 reviews)

De Semixlab Siliziumkarbid (SiC) Keramik-Endeffektor ass eng Wafer-Handhabungskomponent vun der nächster Generatioun, déi fir d'Produktioun vu Waferen vun 300 mm (12 Zoll) a fortgeschrattene Knuet (<7 nm) entwéckelt gouf. Aus héichreinem, voll verdichtetem SiC mat ultrapräziser Diamantschleifung hiergestallt. Entworf fir d'Settlungszäit ze minimiséieren, Reschtvibratiounen bei Héichgeschwindegkeetsbeweegungen ze eliminéieren a Partikelkontaminatioun ze verhënneren, erméiglechen d'Semixlab SiC-Äerm Hallefleeder-OEMs a Fabs, de Maschinn-WPH (Wafer Per Hour) an den Gesamtrendement ze maximéieren.

Ëmfro

Beschreiwung

Produktübersicht

Well d'Produktioun vu Hallefleederchips sech op 3nm/2nm Logikknoten an héichdichteg 3D-NAND-Architekturen entwéckelt, stinn Wafer-Transfersystemer virun extremen Erausfuerderungen a punkto Partikelkontroll, Cantilever-Oflenkung a Schwéngungsstillzäit. Traditionell Aluminiumlegierungen an Aluminiumoxid-Keramikäerm schéngen an Héichfrequenz-, Héichtemperatur- a korrosiven Plasmaëmfeld net gutt ze funktionéieren.

Semixlab Siliziumkarbid (SiC) Keramik-Endeffektoren gi mat héichreinegem reaktiounsgebonnenem/rekristalliséiertem SiC hiergestallt, deen duerch modern Diamantpräzisiounsbearbechtung a komplex Mikrokanal-Fräigung veraarbecht gëtt. Als ultimativt "Skelett a Fangerspëtzen" fir d'Waferbehandlung déngen d'Semixlab SiC-Äerm däitlech fir d'Wafer-Swap-Zäiten, eliminéieren Partikelverloscht a maximéieren den Duerchgank an d'Ausbezuelung vun der Maschinn bei Lithographie-, Ätz-, CVD/ALD- an Thermoveraarbechtungsausrüstung.

Schlësselvirdeeler & Funktiounen

1. Ultrahéich spezifesch Steifheet fir Submikron-Sedimentatioun

Mat engem Young-Modul vun 420 ~ 450 GPa an enger Dicht vun >3.10 g/cm3 bitt Semixlab SiC eng iwwerleeën spezifesch Steifheet am Verglach mat Aluminiumoxid an Aluminiumlegierungen. Reschtvibratiounen während High-Speed-Pick & Place-Operatiounen ginn praktesch eliminéiert, wouduerch d'Setzezäit ëm iwwer 60% reduzéiert gëtt an eng maximal WPH erméiglecht gëtt.

2. Aussergewéinlech Plasma- a chemesch Korrosiounsbeständegkeet

A Präsenz vun aggressiven Ätzgasen (wéi NF3, CF4, Cl2) an héichenergetesche reaktive Plasma weist Semixlab SiC eng bal inert chemesch Stabilitéit op. Et eliminéiert Uewerflächenofbau a Schälen a schützt empfindlech Wafere virun der Kontaminatioun duerch Metallionen (Al, Fe) a Mikropartikelen.

3. Héich thermesch Stabilitéit & Null thermesch Deformatioun

Mat engem niddrege Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (CTE), deen dem Eenkristallsilizium enk entsprécht, kombinéiert mat enger iwwerleeëner Widderstandsfäegkeet géint Wärmeschock, behalen d'Semixlab SiC-Äerm eng dimensional Stabilitéit vu Submikrometer ouni ze kräischen oder ze verzerren beim Antrëtt a Prozesskammeren vun 400 °C ~ 1000 °C+ oder während der schneller thermescher Veraarbechtung (RTP).

4. Benotzerdefinéiert Mikrofluidik- & Vakuumklemmdesignen

Ënnerstëtzt Vakuumspannen, Bernoulli-kontaktlos Handhabung a Edge Grip (EBR) Konfiguratiounen. Déi dicht, porenfräi Keramikstruktur erlaabt d'Integratioun vun internen Mikro-Atmungsweeër ouni Vakuumleckage oder Drockverloscht.

Firwat Semixlab wielen?

1. Vertikal Integratioun: Vum Réipulver bis zum Präzisiouns-CNC-Schleifen

Mir besëtzen End-to-End-Produktiounskapazitéiten - vu proprietäre SiC-Formuléierungen mat héijer Rengheet a Sintertechniken bis zu CNC-Diamantschleifen op verschiddenen Achsen, wat et eis erméiglecht, komplex intern mikrofluidesch Vakuumkanäl ze verschaffen.

2. Rigoréis Qualitéitssécherung & Partikelfräi Reinraumverpackung

Ausgestatt mat Koordinatenmiessmaschinnen (CMM), zerstéierende Prüfungen (NDT) a Uewerflächenprofilometeren. All Komponenten ënnerleien enger ultra-héichreiner Ultraschallreinigung a Klass 10/100 Cleanrooms a gi vakuumversiegelt fir eng direkt Plug-and-Play-Installatioun.

3. Agile Co-Design & Rapid Prototyping

Egal ob Dir e globale OEM sidd, deen Tools vun der nächster Generatioun entwéckelt, oder e Fab, deen no Second-Source-/Lokaliséierungsléisungen sicht, Semixlab bitt Simulatioune vu Finite-Element-Analyse (FEA) bannent 48 Stonnen a séier Prototypliwwerung an 2 bis 3 Wochen.

Spezifikatioune

Hei sinn d'Standardspezifikatiounen. Semixlab bitt voll personaliséiert OEM/ODM Design- a Produktiounsservicer, déi op Är spezifesch Ufuerderunge vum Tool zougeschnidden sinn:

Parameter	Spezifizéierung Wäert	Teststandard / Bemierkungen
Material	Héichreinheetsverdënnt SiC	Rengheet > 99.5%
Dicht	> 3.10 g/cm3	D 'Haaptdicht
Young's Modulus	420 ~ 450 GPa	Raumtemperatur
Flexural Kraaft	> 450 MPa	4-Punkt-Biegemethod
CTE (Coefficient of Thermal Expansion)	4.0~4.4x10-6/K	20°C ~ 1000°C, passend fir Si
Thermescher Conduktivitéit	>120 W/m²K	Uniform Hëtzt Verdeelung
Zesummen Temperatur	-196°C bis 1400°C	Vakuum / Inertgasatmosphär
Surface Rauheet	Ra ≤0.2 µm	Op Ufro spigelgepoléiert
Flaachheet / Geriichtheet	< 0.02 mm (Gesamtlängt)	Ultra-Prezisiouns Diamantschleifen
Kompatibilitéit vu Wafergréissten	200 mm (8 Zoll) / 300 mm (12 Zoll) / 450 mm	Ënnerstëtzt Panel-Level Packaging (PLP)

Applicatioun

Zil-Applikatiounsszenarien

Semixlab SiC Keramikäerm sinn voll an Mainstream Front-End Hallefleiterveraarbechtungsausrüstung integréiert:

Lithographie & EUV-Systemer: Gëtt an EUV/ArFi-Scanner an EFEM-Moduler benotzt. Déi extrem héich Steifheet miniméiert Reschtvibratiounen beim Transfert fir maximal Ausriichtungsgenauegkeet an Duerchgank ze garantéieren.

Dréche Ätzkammeren: Ginn als Transferäerm tëscht dem Loadlock an den Haaptkammeren benotzt. Widdersetzt direkt Plasmabombardement an Halogenidgaser, wouduerch d'Ätz-induzéiert Partikelgeneratioun verhënnert gëtt.

Dënnschichtoflagerung (CVD / ALD / PVD): Erreecht direkt an 400° C ~ 800° C Vakuumoflagerungskummeren ouni thermesch Verzerrung oder Vakuumleckage duerch intern Kanäl.

Thermesch Veraarbechtung (RTP / Diffusioun / Glühung): Hält extremen Heiz-/Ofkillungsraten (> 100° C/Sek) stand. Erhält Flaachheet bei 1000°C+ fir Verrutschen a Verformung vun de Waferen ze verhënneren.

Naassreinigung & CMP: Bestandt aggressiv Säuren (SPM, HF) a abrasive Schlammchemikalien, wouduerch Kräizkontaminatioun beim Wafer-Handhabung vermeit gëtt.