EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC Kristallswuesstem Rohmaterial
| Place Hierkonft: | China |
| Marque: | Semixlab |
| Model Number: | CVD SiC |
| Zertifikatioun: | ISO 9001 |
| Mindestbestand Quantitéit: | E puer kg (Ënnerstëtzung fir de Kaf vu klenge Chargen op Fuerschungs- a Entwécklungsniveau) |
| Präis: | Offeren upassen un d'Spezifikatioune fir Bestellunge mat héijer Rengheet (≥99.9999%) z'ënnerstëtzen |
| Packaging Detailer: | Héichreinheets-Inertgas-versiegelt Fläsch, fiichtegkeetsbeständeg an antioxidativ Aluminiumfoliebeutel |
| Liwwerzäit: | 7-15 Deeg (Standard) / 20-30 Deeg (personaliséiert Formel) |
| Bezuelen Konditiounen: | T/T (50% am Viraus, 50% virun der Liwwerung) |
| Kapazitéit liwweren: | Méintlech Produktiounskapazitéit 500 kg, Ënnerstëtzung vu Bestellunge mat héijer Rengheet (≥99.9999%) |
Beschreiwung
SiC Kristallwuesstumsrohmaterial ass dat neist fortgeschratt Material, dat vu Semixlab entwéckelt gouf. Den Haaptbestanddeel ass de CVD SiC Block. D'Qualitéit vum SiC Eenzelkristall, deen aus dësem Rohmaterial gewuess ass, ass exzellent an op engem féierende Niveau an der Industrie.
Produktkär hell
Subversiv Virbereedungsprozess
Mat Hëllef vun onofhängeger patentéierter Fluidbed CVD Technologie (Patent Nr.: ZL2024XXXXXXX), Methyltrichlorsilan (MTS) als Virgänger, fir folgendes z'erreechen:
Rengheet > 99.9995% (GDMS Gesamtelementanalyse)
Stéckstoffgehalt ≤0.09 ppm (keng zousätzlech Reinigung)
Partikelgréisst 4-10mm (traditionell Selbstverbreedungsmethod < 2.5mm)
Virdeel vum Kristallwuesstum
| Index | konventionell Selbstverbreedungsmethod SiC-Pulver | Semixlab SiC Kristallwuesstumsrohmaterial |
| D'Dicht vun de Mikrotubuli variéiert | 103~ 104cm-2 | <300 cm-2 |
| D'Auslastungsquote vu Rohmaterialien | 30% -40% | > 50% |
Ëmweltschutz an Wirtschaft
Null Verschmotzungsoflaf: Salzsäure kann zu Salz neutraliséiert ginn
Käschtereduktioun ëm 30%: Rohmaterial Methyltrichlorsilan ass déi dominant Chemikalie a China
SiC-Kristaller, déi mat SiC-Kristallwuesstumsrohmaterial ugebaut goufen
Quick Detail:
1. Aner Nimm: CVD SiC Block; SiC Fragment.
2. Uwendung: Rohmaterial fir de SiC-Eenkristallwuesstum.
3. Kärparameter: Rengheet > 99.9995% (GDMS Gesamtelementanalyse), Stéckstoffgehalt ≤0.09 ppm (keng zousätzlech Reinigung), Partikelgréisst 4-10 mm (traditionell Selbstverbreedungsmethod < 2.5 mm).
Spezifikatioune
Applicatioun
Rohmaterial fir de SiC-Eenkristallwuesstum.
Kompetitiv Virdeel
1. En Duerchbroch an der Rengheet
Rengheet ≥99.9995% (GDMS Ganzelementanalyse). Stickstoffgehalt ≤0.09 ppm gouf duerch chemesch Gasflagerung (keng sekundär Reinigung) erreecht. Besonnesch gëeegent fir d'Wuesstumsbedürfnisser vun halbisoléierenden SiC-Eenkristaller.
2. Optimiséierung vun der Partikelgréisst an der Dicht
Grouss Partikelgréisst (4-10 mm), verbessert d'Ladekapazitéit vum Crucpot däitlech (méi wéi 1.5 kg fir dat selwecht Volumen), reduzéiert Kuelestoffkapselungsdefekter beim Kristallwuesstum.
3. De Käschtevirdeel ass bedeitend
Reduzéiert d'Käschte fir Rohmaterialien ëm 30%.
Mat Methyltrichlorsilan (MTS) als Virgänger sinn d'Käschte fir d'Beschaffung vu Rohmaterial nëmmen 1/3 vun der traditioneller Method mat héichreinem Siliziumdioxiddamp + Graphit. D'Auslastungsquote vu Rohmaterial > 50% (nëmmen 30%-40%) beim traditionelle Prozess.
4. Ëmweltschutz zougemaachte Kreeslafprozess
Null Verschmotzungsemissioun.
Salzsäure, e Nieweprodukt vun der Produktioun, generéiert duerch eng Neutralisatiounsreaktioun harmlos Salzer, wouduerch déi dräi Offallbehandlungsproblemer vun traditionelle Prozesser komplett vermeit ginn (d'Käschte fir d'Beizung/d'Ofgasbehandlung maachen iwwer 15% aus).
5. Kristallqualitéitsspréng
D'Dicht vun de Mikrotubuli war < 300 cm-2.
D'Si/C-Atomverhältnis vum Rohmaterial ass no bei 1:1 (Ofwäichung vun der traditioneller Method > 5%), wat d'Segregatiounsdefekter vum Silizium beim Kristallwuesstum reduzéiert. Eng Barrenausbezuelung vun 85%-92% (65%-75% vum Verglach mat Konkurrenzprodukter), wat de Schnëttverloscht vum Eenzelkristall bei Downstream-Clienten reduzéiert.
