all Kategorie
BLOG

Wéi wielt een héichreine Quarz-Titel? Eng ëmfaassend Analyse vun de wichtegste Verbrauchsmaterialien & eng Verbesserung vum Rendement beim Wuesstum vu monokristallinem CZ-Silizium

2026-07-30 28 min liest Auteur: Semixlab

An der moderner Hallefleeder- a Photovoltaikproduktioun gëtt d'Qualitéit vu monokristalline Siliziumwaferen net eleng duerch Rohmaterial bestëmmt. Polysiliziummaterialien ; et hänkt nach méi staark vum Behälter of, deen a direkten Kontakt mat geschmolltem Silizium ënner héijen Temperaturen an héijem Vakuum-Wuesstumsëmfeld steet - dem Quarz-Titel mat héijer Rengheet.

Als eng zentral verbrauchbar thermesch Feldkomponent am Czochralski (CZ) monokristalline Siliziumwuesstum muss e Quarz-Dichel kontinuéierlech a staark korrodéierendem geschmollte Silizium bei Temperaturen iwwer 1,420 °C fir 200 bis iwwer 300 Stonnen funktionéieren. Wärend dëser Period bestëmmen déi chemesch Rengheet, d'Blasenverdeelung, d'thermesch Stabilitéit an d'strukturell Uniformitéit vum Quarz-Dichel direkt d'Dislokatiounsquote, d'Liewensdauer vun de Minoritéitsträger vun de Silizium-Eenzelkristaller an déi spéider Hallefleeder-/Photovoltaik-Wafer-Ausbezuelungen.

Mat iwwer 20 Joer Expertise an der Fuerschung an Entwécklung vu Hallefleedermaterial vun senger Mammegesellschaft, Zhejiang Liufang Semiconductor Technology Co., Ltd., huet SEMIXLAB e Präzisiounsproduktiounssystem etabléiert, dat e komplett Spezifikatiounsspektrum vun héichreine Quarz-Dichelen vun 28 bis 36 Zoll (an personaliséierbar bis zu 42 Zoll) ofdeckt. Dës Produkter déngen ëmfaassend fir d'Fabrikatioun vun 300 mm Hallefleederwaferen, souwéi d'Produktioun vun N-Typ TOPCon an HJT Héichleistungs-Solarwaferen.

1. Firwat sinn héichreine Quarz-Titelcher d'Liewenslinn vum Ausbezuelungsprodukt vum CZ-Siliziumwachstum?

★ Kär Abléck: E Quarz-Tigel ass net nëmmen e physikalesche Behälter fir geschmollte Silizium, mä e dynamesche chemesche Reaktor, deen kontinuéierlech bei 1,420 °C funktionéiert. Kleng Schwankungen a senger Rengheet oder Mikrostruktur iwwerdroe sech direkt op de Siliziumbarr, wat zu enger reduzéierter Kristallausbezuelung a schwéiere Verloschter am Waferausbezuelung féiert.

Wärend dem CZ-Kristallzuchprozess schmëlzt Polysilizium am Quarz-Tichel, an e Keimkristall gëtt an d'Schmëlz getippt an no uewe gezunn, während en dréit, fir e Singlekristall-Barr ze bilden. Wärend dësem Prozess geschitt eng liicht Opléisung op der bannenzeger Mauer vum Tichel (SiO₂ + Si → 2SiO↑), wouduerch Spuermetallongeräicher a Mikroblosen, déi an der Tichelmatrix enthale sinn, kontinuéierlech an d'Siliziumschmëlz fräigesat ginn.

CZ Kristall Zéiprozess

Physikalesch/chemesch Eegeschafte vum Tiegel Physikochemesche Prozess op der Schmelzgrenzfläche Ultimativen Impakt op Siliziumbarren / Waferen
Spuermetallverunreinigungen (Fe, Na, K, B) Léist sech bei héijen Temperaturen an der Siliziumschmëlz op Verkierzt d'Liewensdauer vun de Minoritéitsträger, erhéicht d'Dicht vun den Déifniveau-Fallen a féiert zu engem erhéichte Leckstroum.
Mikroblosen an enger transparenter Schicht Bei héijen Temperaturen ausdehnen a platzen, wouduerch fest Partikelen fräigesat ginn Verursaacht Stéierunge vun de feste Partikelen an der Siliziumschmëlz, wat zu Verloscht vum dislokatiounsfräie Wuesstum (Dislokatiounszesummebroch) féiert.
Héichtemperatur Erweichung & Deformatioun (Sagging) D'Mauer vum Schmelzteil fält zesummen, wouduerch d'Konvektiounsmuster vun der Schmelz verännert ginn. Stéiert d'thermesch Feldgläichgewiicht op der Grenzfläche tëscht Feststoff a Flëssegkeet, wouduerch d'Kontroll vum Kristallduerchmiesser an d'Ënnerbriechung vum Wuesstum verursaacht gëtt.
Anormal Devitrifikatioun Déi kristalliséiert Schicht schielt sech of a produzéiert Cristobalitpartikelen. Partikelen schwiewen op d'Wuesstumsgrenzfläche, wouduerch massiv Kristalldislokatiounen ausléisen.

2. Duebelschichteg Strukturdesign: Funktionell Synergie vun der bannenzeger a baussenzeger Schicht

★ Kär Abléck: Modern High-End-Quarz-Tichelcher benotzen eng duebelschichteg Kompositstruktur, déi aus enger ultra-reiner, blasefräier bannenzeger transparenter Schicht an enger mikroporöser baussenzeger, opaker Schicht mat héijer Blasendicht besteet. Dëst léist perfekt den duebele Widdersproch tëscht 'ultra-héijer Rengheet un der Kontaktfläche' an 'allgemenger thermescher Felduniformitéit'.

Strukturell Layer Physikalesch Morphologie Kär Funktioun Schlëssel technesch Indicateuren
Bannenzeg Schicht (Transparent Schicht) Blasenfräi, dicht transparent geschmolzen Quarzglas, Déckt ≥ 5 mm Kommt direkt a Kontakt mat geschmolltem Silizium, blockéiert d'Verëffentlechung vu Verunreinigungen a verhënnert datt Blasenbriechen d'Schmelz kontaminéieren.

• Blasenverhältnis < 0.05%

• Gesamtgehalt vun Onreinheeten < 10 ppm

• Null Mikroblosen an enger Déift vun 0–1 mm

Äusser Schicht (opak Schicht) Mëllechwäisst Quarzglas mat gläichméisseg verdeelte Mikroblosen Garantéiert eng gläichméisseg strahlend Wärmeiwwerdroung, verbessert d'mechanesch Stäerkt a verhënnert d'Beschleunigung bei Héichtemperatur.

• Duerchmiesser vun de Blasen: 50–150 μm

• Dichtkonsistenz ≥ 99%

• Uniform Verdeelung vun der thermescher Leetfäegkeet

Beim tatsächleche Kristallzéien, wann déi transparent Schicht ze dënn ass (< 3 mm), ass se ufälleg fir während Honnerte vu Stonne vun der Opléisung vun der Schmelz duerchzerodéiert ze ginn. Dëst verursaacht datt Blasen an Ongereinheeten aus der baussenzeger Schicht an d'Siliziumschmëlz stréimen. SEMIXLAB Hallefleeder-Qualitéits-Dichelen halen strikt eng bannenzeg transparent Schichtdicke vun ≥ 5 mm (bis zu 10-12 mm op Ufro) an, sou datt d'Korrosiounsfront iwwer extra laang Zéizyklen komplett an der ultra-propperer transparenter Schicht bleift.

3. Kärparameter & Materialmetriken, déi d'Leeschtung vum Quarz-Titel bestëmmen

★ Kär Abléck: D'Kontroll vun Iwwergangsmetaller an Alkalimetaller op ppm- a souguer ppb-Niveau ass de Schlëssel fir d'Liewensdauer vu Wafer-Minoritéitsträger ze verlängeren; gläichzäiteg stellt d'Gestioun vun Héichtemperatur-Flëssegkeetsinklusiounen an der Devitrifikatiounsbeständegkeet de Grondsteen vun der laangzyklischer Zuchstabilitéit duer.

Héichreinheetsquarz-Titel Rohmaterialien

3.1 Kontrollstandarde fir ultra-niddreg Spuermetallverunreinigungen

Iwwergangsmetaller (z.B. Fe, Cu, Ni) degradéieren direkt d'Duerchbrochspannung vun Apparater, während Alkalimetaller (Na, K, Li) als primär Katalysatoren fir anormal Devitrifikatioun vu Quarzglas bei héijen Temperaturen déngen. SEMIXLAB setzt streng Onreinheetsgrenzen fir Quarzmaterialien an der bannenzeger Schicht iwwer ICP-MS an GDMS Tester fest:

Kontrolléiert Element Klassifikatioun vun der Gefor vun der Onreinheet Hallefleiterqualitéit (ppm) Photovoltaesch Qualitéit (N-Typ TOPCon) (ppm) Testmethod
Fe (Eisen) Déifniveau-Rekombinatiounszentrum; verschlechtert d'Liewensdauer vu Minoritéitsträger ≤ 0.10 ≤ 0.30 Icp-ms
Na (Natrium) Induzéiert Devitrifikatioun/Kristallisatioun bei héijer Temperatur; verursaacht Ladungsdrift ≤ 0.15 ≤ 0.30 Icp-ms
K (Kalium) Katalyséiert d'Devitrifikatioun; stéiert d'Struktur vum Quarznetz ≤ 0.15 ≤ 0.30 Icp-ms
Li (Lithium) Schnelldiffuséierend Onreinheet; beaflosst d'Uniformitéit vum Widderstand ≤ 0.20 ≤ 0.50 Icp-ms
B (Bor) P-Typ Dotierelement; beeinträchtigt d'Prezisiounskontroll vun der Widderstandsfäegkeet ≤ 0.05 ≤ 0.10 GDMS
Al (Aluminium) Erhéicht d'Viskositéit vu Quarz; erfuerdert eng präzis Konzentratiounskontroll 8.0 - 15.0 10.0 - 20.0 Icp-ms

3.2 Kontroll vu Blasen an Flëssegkeetsinklusiounen

Mikrometergrouss Gas-Flëssegkeet-Inklusiounen, déi natierlech am réie Quarzäerz präsent sinn, bauen extrem héich intern Drock bei Temperaturen iwwer 1,400 °C op. SEMIXLAB benotzt Héichtemperatur-Vakuumentgasung a fortgeschratt elektresch Lichtbuenschmelztechniken beim Schmelzen, wouduerch d'Dicht vu Blasen mat engem Duerchmiesser vu méi wéi 50 μm an der transparenter Schicht op bal Null reduzéiert gëtt a Partikelkontaminatioun an der Siliziumschmëlz beim Kristallwuesstum effektiv verhënnert gëtt.

4. Quarz-Titelcher a Hallefleiterqualitéit vs. Photovoltaikqualitéit: Auswielvergläich

★ Kär Abléck: Halbleiter-Dichelcher verfollegen "Null Defekter a maximal Rengheet", während photovoltaesch Dichelcher sech op "ultralaang Liewensdauer vun der kontinuéierlecher Opluedung (CCZ) a Käschteeffizienz" konzentréieren. Déi zwee ënnerscheede sech fundamental an der Auswiel vu Rohmaterialien, der Veraarbechtungstechnologie an der Qualitéitsinspektioun.

Dimensioun / Parameter Quarz-Titel fir Hallefleiterqualitéit Photovoltaesch Quarz-Titel (N-Typ TOPCon/HJT)
Mainstream Gréissten 28 Zoll, 32 Zoll, 36 Zoll (Adaptéiert fir 200mm / 300mm Waferen) 32 Zoll, 36 Zoll, 40 Zoll (Adaptéiert fir 182mm / 210mm Solarwaferen)
Matière première Zesummesetzung Bannenzeg Schicht: Ultra-reine synthetesche Quarzsand / importéierte Premium Natursand; Baussenzeg Schicht: Héichreine Sand Bannenzeg Schicht: Premium importéierten/bannenzegen natierleche Quarzsand; Baussenzeg Schicht: Standard héichreine Sand
Rengheetsfuerderung (SiO₂) ≥ 99.9995% (5N5) ≥ 99.999% (5N)
Transparent Schichtdicke ≥ 6 – 10 mm ≥ 4 – 6 mm
Kontinuéierlech Aarbechtsdauer 150 – 250 Stonnen (Fokus op Premium Kristallqualitéit & ultra-niddreg Defektdicht) 300 – 400 Stonnen (Ënnerstëtzt Multi-Recharge / CCZ Prozesser)
Kärfehlermodi Mikropartikelverloscht (POP), Spuerverunreinheeten iwwerschreiden d'Schwellwäerter Randhängung / Deformatioun, Entglasungsofschielen
Inspektioun Standarden SEMI C19 Standard, 100% GDMS / ICP-MS Batch Inspektioun JC/T 1048-2018 Standard, Proufnahmeinspektiounsmechanismus

5. Gemeinsam Feelermechanismen vu Quarz-Tichelcher & Mitigatiounsstrategien

★ Kär Abléck: Entglasung an Héichtemperaturdeformatioun sinn déi Haaptursaache fir d'Ënnerbriechunge vum CZ-Kristallwuesstum. Duerch Mikrolegierung mat Aluminiumdotierung a spezialiséiert ... Beschichtungstechnologie , kann d'Resistenz géint héich Temperaturen däitlech verbessert ginn.

5.1 Entglasung

Quarzglas (amorph SiO₂) tendéiert dozou, bei erhéichten Temperaturen an eng kristallin Cristobalitstruktur ze transforméieren.

· Geforen: Den thermeschen Ausdehnungskoeffizient vun der kristalliséierter Schicht ënnerscheet sech däitlech vun deem vu Quarzglas. Beim Ofkille oder bei thermescher Stéierung entstinn einfach Mikrorëss a Partikelofschielen, déi an d'Siliziumschmëlz andréngen an zu engem Kristallzerrennungszerfall féieren.

· Ausléiser: Kontaminatioun duerch Alkalimetall (Na, K) oder Reschter vu Botzchemikalien.

· SEMIXLAB Léisung: Integréiert eng präzis Kontroll vum Mikrodotierungsverhältnis a bildt eng dicht, defektfräi reng Schutzschicht op der bannenzeger Mauer. Dëst garantéiert, datt d'Kristallisatioun extrem gläichméisseg, flaach an dënn Schichten (gehärtete Schicht) ofleeft, wat d'Erosiounsbeständegkeet vum Tiegel tatsächlech verbessert.

5.2 Héichtemperaturdeformatioun a Sagging

Ënner schwéiere Laaschten vun Honnerte vu Kilogramm geschmollte Silizium a laangfristeger Belaaschtung duerch héich Temperaturen, grouss Gréissten Quarz Kruuchten sinn ufälleg fir no bannen ze kollapsen op der ieweschter Mauer.

· Geforen: Ännert dat thermescht Feld op der flësseger Uewerfläch an d'Argon-Fléissmuster, wouduerch d'Stabilitéit vun der Grenzfläch tëscht Feststoff a Flëssegkeet gestéiert gëtt.

· SEMIXLAB Léisung: Reguléiert präzis d'Gréisst vun de Mikroblasen an den Inhalt vun de Blasen an der äusserer opaker Schicht, wouduerch d'Gesamtsteifegkeet an d'Héichtemperatur-Kriipbeständegkeet vun der äusserer Wandstruktur verbessert ginn.

6. SEMIXLAB Produktiounsméiglechkeeten & Personaliséierungsservicer

★ Kär Abléck: Standarddimensioune sinn nëmmen d'Basislinn. Déi komplett Prozesskontrolle vun der Rohmaterialkontroll bis zur endgülteger Liwwerung, zesumme mat der schneller Upassung vun net-Standarddimensioune an Ufuerderunge fir d'thermescht Feld, representéieren de wichtegste Konkurrenzvirdeel vu SEMIXLAB.

Personaliséierungsdimensioun Standardkonfiguratioun Personaliséierbaren Ëmfang / Funktiounen
Duerchmiesser vum Tiegel 28 ", 32", 36 " Voll Ofdeckung vun 20" bis 42", Ënnerstëtzung vu Fuerschungs- an Entwécklungspilotlinnen mat groussen Duerchmiesser.
Transparent Schichtstruktur 5 mm Standard transparent Schicht Benotzerdefinéiert Déift vun 3 mm bis 12 mm fir d'Ufuerderunge fir extra laang Kristallzéihung gerecht ze ginn.
Wanddicke & Buedemform Standard flaach Buedem / ronne Bou Buedem Verstäerkt Säitewanddicke, personaliséierten R-Radius an der ënneschter Eck fir d'Schmelzkonvektioun ze optimiséieren.
Uewerflächenbeschichtung / Behandlung Standard héichreine chemesch Reinigung Optional Verstäerkung vun der Rekristalliséierung vun der baussenzeger Wand an speziell Vir-Devitrifikatiounsbeschichtung vun der bannenzeger Wand.
Applikatioun Adaptatioun Halbleiter CZ / MCZ Zuch Geschnidden fir N-Typ TOPCon, HJT, a Halbleiter GaAs/InP Verbindungskristallschmëlz.

6.2 Qualitéitskontrollsystem (EEAT Qualitéitssécherungsverpflichtung)

SEMIXLAB setzt d'Gestioun vun der kompletter Verfollegbarkeet vum Prozess vun der Quell vun der Réiquarzsand bis zu de fäerdege Produkter duerch:

· 1. Qualitéitskontroll vun den Input-Produkter (IQC): All Charge vu réie Quarzsand gëtt engem komplette 18-Element-Metallspektrumtest iwwer ICP-MS ënnerworf, fir d'Rengheet vun de 5N5+ Standarden ze garantéieren.

· 2. Qualitéitskontroll am Prozess (IPQC): Automatiséiert elektresch Liichtbue-Schmelzsystemer iwwerwaachen Echtzäit-Temperaturkurven a Vakuumniveauen, fir eng perfekt Grenzflächenplanaritéit tëscht den Duebelschichten ze garantéieren.

· 3. Schlussqualitéitskontroll (FQC): CMM (Koordinatenmessmaschinnen) iwwerpréiwen geometresch Dimensiounen, während automatiséiert Laserblasendetektoren en 3D-Scannen vun der Blasenverdeelung an der transparenter Schicht duerchféieren.

7. Véier wëssenschaftlech Standarden fir d'Evaluatioun vu Quarz-Titellieferanten

★ Kär Abléck: Wann Dir d'Liwweranten vu Quarz-Tichel evaluéiert, sollt Dir vermeiden, nëmmen op Präisofferen oder isoléiert 'Reinheetsverpflichtungen' ze kucken. Et ass onbedéngt néideg, d'Transparenz vun Tester, d'Konsistenz vun der duebeler Schichtstruktur an den Ënnerstëtzung vum Ingenieursdéngscht grëndlech ze evaluéieren.

· 1. Test vun der Transparenz a Vollständegkeet vun den Donnéeën: Liwwert de Fournisseur e komplette ICP-MS / GDMS Analysebericht fir all Charge? Deckt d'Blasentest kritesch Beräicher wéi d'Buedem vum Tiegel an d'Eckbéi of?

· 2. Kontrollfäegkeet vun der transparenter Schicht: Ass d'Dicke vun der transparenter Schicht gläichméisseg (z.B. Toleranz bannent ±0.5 mm iwwer all Punkten)? Gëtt et dicht Mikroblosen op der Schichtgrenz?

· 3. Kontroll vun der Rohstoffversuergungskette: Verfügt de Fournisseur iwwer eng stabil an diversifizéiert Versuergungskette fir héichreine Quarzsand, déi fäeg ass, international Schwankungen an de Rohstoffe ze reduzéieren?

· 4. Ënnerstëtzung fir Ingenieurswiesen & Thermalfeldanpassung: Kann de Fournisseur d'Geometrie vun der Tiegel an d'Wanddickeverdeelung op Basis vum thermesche Feld vum Client am Uewen optimiséieren (z.B. MCZ-Magnéitfeldzuch)?

8. Oft gestallte Froen (FAQ)

Q1: Wat ass déi haapt Zesummesetzung vun héichreine Quarz-Tichelcher? Kënne se nei benotzt ginn?

Déi primär Komponent vun héichreine Quarz-Dichelen ass Siliziumdioxid (SiO₂, Rengheet ≥ 99.999%). Quarz-Dichelen sinn Eenwegverbrauchsartikelen a kënnen net nei benotzt ginn. Nom Ofschloss vun engem Kristallzuchszyklus geschitt eng partiell Devitrifikatioun am Dichel, an eng thermesch Expansiounsungläichheet beim Ofkille an der Erstarrung vum Reschtsilizium verursaacht e Broch am Dichel.

Q2: Firwat si Quarz-Tichelcher fir Hallefleederqualitéit däitlech méi deier wéi fir Photovoltaik?

Den Ënnerscheed am Präis baséiert op dräi Haaptfaktoren: 1) Méi héich Rohmaterialkäschten: D'bannenzeg Schichten vun den Hallefleiter erfuerderen synthetesche Quarzsand mat ultra-héijer Reinheet oder Natursand vun héchster Qualitéit; 2) Streng Defektkontroll: D'Grenze fir metallesch Ongereinheeten (wéi Fe a B) sinn op 0.1 ppm mat enger bal null Blasentoleranz festgeluecht; 3) Qualitéitskontrollkäschten: Hallefleiterprodukter ginn engem 100% Präzisiounsscannen an enger SEM/ICP-MS-Inspektioun ënnerworf.

Q3: Wéi gëtt de 'Blasengehalt / Blasenverhältnis' an engem Quarz-Tigel gemooss?

SEMIXLAB benotzt en automatiséiert Laser-Optical Inspection-System fir eng net-destruktiv 3D-Bildgebung vun der transparenter Schicht vum Tiegel duerchzeféieren. Dëst erméiglecht eng präzis Berechnung vun der Blasenquantitéit an dem Volumenverhältnis iwwer verschidden Déiften (z.B. 0–1 mm, 1–3 mm, 3–5 mm).

Q4: Wéi eng spezifesch Ufuerderunge stellt d'MCZ (Magnetic Czochralski) Technologie u Quarz-Tichel?

D'MCZ-Technologie benotzt Magnéitfelder fir d'Schmelzkonvektioun vu Silizium z'ënnerdrécken, wat zu méi héijen Zuchtemperaturen a méi laangen Zykluszäiten féiert. Dëst stellt extrem Ufuerderungen un d'Weichmachungsbeständegkeet bei héijen Temperaturen an d'Schmelzerosiounsbeständegkeet vun der bannenzeger Schicht. D'spezialiséiert MCZ-Tichelcher vu SEMIXLAB weisen eng erhéicht transparent Schichtdicke an optiméiert äusserlech mikroporéis Strukturen, fir eng laangfristeg thermesch Stabilitéit ze garantéieren.

Q5: Wat sinn d'Liwwerzäiten an d'Mindestbestellquantitéiten (MOQ) fir Standardbestand am Verglach zu personaliséierte Tiegel?

SEMIXLAB hält e Standardinventar fir 28", 32", an 36" Hallefleeder- a PV-Klass-Tichel fir séier Liwwerung a Validatioun vum Client. Fir net-Standard Dimensiounen oder personaliséiert Wanddicken ënnerstëtze mir MOQs op Fuerschungs- a Entwécklungsniveau a klenge Chargen, mat typeschen Liwwerzäiten vun 2 bis 4 Wochen.

9. Resumé

★ Kär Abléck: Am CZ-monokristalline Silizium-Wuesstumsprozess déngen héichreine Quarz-Tiegel als kritesch Wärmefeldverbrauchsmaterialien, deenen hir Qualitéit direkt mat der Waferausbezuelung, der Kristallbildungsquote an den Gesamtproduktiounskäschte korreléiert.

· Auswiel vu Qualitéit a Rengheet: Hallefleiterapplikatioune konzentréiere sech op ultra-niddreg Onreinheeten (Fe/Na/K/B) a blasefräi transparent Schichten; PV-Applikatioune leeë Wäert op laangfristeg Duerchsaugungsbeständegkeet a Käschteeffizienz.

· Strukturell Versécherung: Eng transparent bannenzeg Schicht mat héijer Reinheet vun ≥ 5 mm ass d'Kärbarriär, déi d'Opléisung vun Ongereinheeten an d'Verëffentlechung vu Blasen verhënnert.

· Evaluatioun vun de Fournisseuren: Kuckt Iech ganzheetlech d'Transparenz vun Tester, d'Uniformitéit vun zwou Schichten an d'Modelliséierung vun der Ingenieurskonscht un, anstatt nëmmen den Haaptpräis.

Iwwer SEMIXLAB

SEMIXLAB (eng Mark ënner der Zhejiang Liufang Semiconductor Technology Co., Ltd.) spezialiséiert sech op d'Fuerschung an d'Entwécklung an d'Produktioun vu Quarz mat héijer Rengheet a fortgeschrattene Keramikmaterialien fir Hallefleeder- a Photovoltaikanwendungen. All technesch Parameteren, déi an dësem Artikel opgezielt sinn, ginn empiresch mat Hëllef vun optesche Miessapparater wéi ICP-MS, GDMS a CMM verifizéiert.

Fir Produktspezifikatiounen, Prouftester oder personaliséiert thermesch Feldléisungen, kontaktéiert w.e.g. den Ingenieursteam vu SEMIXLAB.

Technesch Referenznormen:

1. SEMI C19 — Spezifikatioun fir héichreine Quarzmaterialien

2. JC/T 1048-2018 — Quarz-Titel fir monokristallint Silizium-Wuesstumsindustriestandard

3. ISO 13320 — Partikelgréisstanalyse - Laserdiffraktiounsmethoden

Deelen

Semixlab Technology Co., Ltd. gouf 2018 gegrënnt an ass eng technologiebaséiert Entreprise, déi sech op d'Fuerschung an d'Entwécklung, d'Produktioun an de Verkaf vun fortgeschrattene Materialien konzentréiert. Et ass e weltwäit féierende Produzent vu Hallefleedermaterialien.

Méi iwwer dëst

Hot Kategorien