CVD Silicon Carbide (SiC) Beschichtung

Eng CVD SiC-Beschichtung ass am Fong eng Siliziumcarbidschicht, déi op Graphit ofgesat gëtt, an si gëtt wäit verbreet an Epitaxie-Tools benotzt, wou souwuel Temperatur wéi och Rengheet wichteg sinn. A richtege Produktiounslinne gesäit een se dacks a Systemer vun AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, souwéi a verschiddenen AMAT-verbonne Plattformen. Wat se nëtzlech mécht, ass net nëmmen d'Temperaturbeständegkeet, mä och déi allgemeng Stabilitéit bei laange Lafzäiten. Ënner typeschen Epitaxiebedingungen - Waasserstoff, Ammoniak oder souguer chloréiert Gaser - bleift d'Beschichtung relativ stabil a schützt de Graphit drënner. Dat hëlleft, d'thermescht Feld méi konsequent ze halen an d'Chance ze reduzéieren, datt Partikelen beim Wuesstum optrieden.

Meeschtens gëtt d'Beschichtung op Deeler wéi Susceptoren, Waferträger, Graphitréng oder Hallefmoundkomponenten opgedroen. Dës sinn all direkt un der Wafererhëtzung oder -positionéierung bedeelegt, sou datt all kleng Instabilitéit d'Ausbezuelung beaflosse kann. Aus deem Grond ginn beschichtete Deeler dacks als Verbrauchsgidder behandelt, déi iwwer verschidde Zyklen zouverlässeg musse sinn, besonnesch bei der Produktioun vu 4 bis 12 Zoll.